模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)_知識(shí)點(diǎn)總結(jié)-wenkub
2024-11-13 19 本頁面
【正文】 且波形的形狀良好。 、輸出電阻*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍 附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。（3）確定反饋信號(hào)的極性。反饋信號(hào)反饋到輸入端）串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。（輸出短路時(shí)反饋消失）電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。二．反饋的形式和判斷。2．當(dāng)ＡＦ＝０時(shí)，表明反饋效果為零。，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。=β1216。 理想狀態(tài)：Uom≈VCC Pc1m=% 在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。導(dǎo)通角為180o~360o，效率較高，失真較大。*零點(diǎn)漂移當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點(diǎn)”而作隨機(jī)變動(dòng)。體積大，成本高，無法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場效應(yīng)管一致。* 輸入電阻高，輸出電阻低。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。（2）飽和失真*產(chǎn)生原因Q點(diǎn)設(shè)置過高*失真現(xiàn)象NPN管削底，PNP管削頂。*作用分析信號(hào)被放大的過程。*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響1）改變Rb ：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。、不失真、能傳輸。截止區(qū)發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。直流等效電路法*總的解題手段將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路)。*。* PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?dǎo)通，反偏截止。*載流子的濃度多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。第一篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)_知識(shí)點(diǎn)總結(jié)模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章 半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*體電阻通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。*單向?qū)щ娦哉驅(qū)?，反向截止。，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路)。若 V陽 216。 * 共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件式子稱為穿透電流。溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。比， *概念直流電流通的回路。2）改變Rc ：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。*交流負(fù)載線連接Q點(diǎn)和V CC’點(diǎn) V CC’= UCEQ+ICQR L’的直線。*消除方法增大Rb、減小Rc、增大VCC。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。第三章 場效應(yīng)管及其基本放大電路（JFET）（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）轉(zhuǎn)移特性曲線 UP截止電壓（MOSFET）分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。 (表明場效應(yīng)管是電壓控制器件)EMOS 的跨導(dǎo)gm * 靜態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析若帶有Cs，則 * 靜態(tài)分析* 動(dòng)態(tài)分析若源極帶有Cs，則* 靜態(tài)分析或* 動(dòng)態(tài)分析第四章 多級(jí)放大電路；能有效地傳輸交流信號(hào)；體積小，成本低。，便于集成。 1．中頻段(fL≤f≤fH)波特圖幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是φ=180o。 216。216。 甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OTL電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源VCC。β 2第六章 集成運(yùn)算放大電路，以減小零漂。 ↑→ iCiC2↑→ iEiE2 ↑→ uE↑→ uBEuBE2↓→ iBiB2↓→ iCiC2↓。3．當(dāng)ＡＦ＜０時(shí)，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。、直流或交直流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。Rs越小反饋效果越好。（4）根據(jù)Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號(hào)的大小。若表示為幅值和相位的條件則為：第八章 信號(hào)的運(yùn)算與處理分析依據(jù)“虛斷”和“虛短” R2 =R1//Rf R2=R1//RfR4=R1//R2//R3//RfR1//R2//R3//R4=Rf//R5R1//R2//Rf=R3//R4//R5 第九章 信號(hào)發(fā)生電路(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件：: 幅值條件 ：相位條件:、分類 正弦波振蕩器的組成(1)放大電路建立和維持振蕩。* 正弦波振蕩器的分類(1)RC振蕩器振蕩頻率較低,1M以下。、熱敏和摻雜特性。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*體電阻通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。*單向?qū)щ娦哉驅(qū)?，反向截止。，分析二極管兩端電位的高低:若V陽V陰（正偏)，二極管導(dǎo)通(短路)。若V陽*三種模型216。*共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件式子稱為穿透電流。溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。*概念直流電流通的回路。2）改變Rc：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。*交流負(fù)載線連接Q點(diǎn)和VCC’點(diǎn)VCC’=UCEQ+ICQRL’的直線。*消除方法增大Rb、減小Rc、增大VCC。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’－UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。第三章場效應(yīng)管及其基本放大電路（JFET）（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）轉(zhuǎn)移特性曲線UP截止電壓（MOSFET）分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。(表明場效應(yīng)管是電壓控制器件)EMOS的跨導(dǎo)gm*靜態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析若帶有Cs，則*靜態(tài)分析*動(dòng)態(tài)分析若源極帶有Cs，則*靜態(tài)分析或*動(dòng)態(tài)分析第五章功率放大電路導(dǎo)通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。任意狀態(tài)：Uom≈Uim216。甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OCL利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。β第六章集成運(yùn)算放大電路，以減小零漂。當(dāng)T↑→iCiC2↑→iEiE2↑→uE↑→uBEuBE2↓→iBiB2↓→iCiC2↓。3．當(dāng)ＡＦ＜０時(shí)，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。、直流或交直流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。Rs越小反饋效果越好。（4）根據(jù)Xi與Xf的極性，確定凈輸入信號(hào)的大小。若表示為幅值和相位的條件則為：第八章信號(hào)的運(yùn)算與處理分析依據(jù)“虛斷”和“虛短”R2=R1//RfR2=R1//RfR4=R1//R2//R3//RfR1//R2//R3//R4=Rf//R5R1//R2//Rf=R3//R4//R5第九章信號(hào)發(fā)生電路(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件:即幅值平衡條件：相位平衡條件：:幅值條件：相位條件:、分類正弦波振蕩器的組成(1)放大電路建立和維持振蕩。*正弦波振蕩器的分類(1)RC振蕩器振蕩頻率較低,1M以下。、熱敏和摻雜特性。*P型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。*轉(zhuǎn)型通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)
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