【文章內容簡介】 為180o~360o，效率較高，失真較大。216。任意狀態(tài)：Uom≈Uim216。盡限狀態(tài)：Uom=VCCUCES216。理想狀態(tài)：Uom≈VCCPc1m=%在兩管交替時出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質上是截止失真)。216。甲乙類雙電源互補對稱功率放大器OCL利用二極管、三極管和電阻上的壓降產生偏置電壓。動態(tài)指標按乙類狀態(tài)估算。216。甲乙類單電源互補對稱功率放大器OTL電容C2上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負電源VCC。動態(tài)指標按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。=β1β第六章集成運算放大電路，以減小零漂。(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)。，為各級提供合適的靜態(tài)電流。當T↑→iCiC2↑→iEiE2↑→uE↑→uBEuBE2↓→iBiB2↓→iCiC2↓。Re對溫度漂移及各種共模信號有強烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。2靜態(tài)分析1)計算差放電路IC設UB≈0，則UE=－，得2)計算差放電路UCE雙端輸出時單端輸出時(設VT1集電極接RL)對于VT1：對于VT2：1）差模電壓放大倍數(shù)雙端輸出單端輸出時從VT1單端輸出：從VT2單端輸出：2）差模輸入電阻3）差模輸出電阻雙端輸出：單端輸出:當uI在+Uim與Uim之間，運放工作在線性區(qū)域：*開環(huán)電壓放大倍數(shù)Aod→∞；*差模輸入電阻Rid→∞；*輸出電阻Ro→0；*共模抑制比KCMR→∞；1)運放工作在線性區(qū):*電路特征——引入負反饋*電路特點——“虛短”和“虛斷”:“虛短”“虛斷”2)運放工作在非線性區(qū)*電路特征——開環(huán)或引入正反饋*電路特點——輸出電壓的兩種飽和狀態(tài):當u+u時，uo=+Uom當u+兩輸入端的輸入電流為零:i+=i=0第七章放大電路中的反饋＊開環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａｆ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ＊環(huán)路增益－－－ＡＦ：1．當ＡＦ＞０時，Ａｆ下降，這種反饋稱為負反饋。2．當ＡＦ＝０時，表明反饋效果為零。3．當ＡＦ＜０時，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。4．當ＡＦ＝－１時，Ａｆ→∞。放大器處于“自激振蕩”狀態(tài)。二．反饋的形式和判斷。、直流或交直流。直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋則為交、直流反饋。：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。（輸出短路時反饋消失）電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。（輸出短路時反饋不消失）：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。反饋信號反饋到輸入端）串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。Rs越小反饋效果越好。反饋信號反饋到非輸入端）：（1）假定某輸入信號在某瞬時的極性為正（用+表示），并設信號的頻率在中頻段。（2）根據該極性，逐級推斷出放大電路中各相關點的瞬時極性（升高用+表示，降低用－表示）。（3）確定反饋信號的極性。（4）根據Xi與Xf的極性，確定凈輸入信號的大小。Xid減小為負反饋；Xid增大為正反饋。某反饋元件引入級間（本級）直流負反饋和交流電壓（電流）串聯(lián)（并聯(lián)）負反饋。、輸出電阻*串聯(lián)負反饋使輸入電阻增加1+AF倍*并聯(lián)負反饋使輸入電阻減小1+AF倍*電壓負反饋使輸出電阻減小1+AF倍*電流負反饋使輸出電阻增加1+AF倍附加相移將負反饋轉化為正反饋。若表示為幅值和相位的條件則為：第八章信號的運算與處理分析依據“虛斷”和“虛短”R2=R1//RfR2=R1//RfR4=R1//R2//R3//RfR1//R2//R3//R4=Rf//R5R1//R2//Rf=R3//R4//R5第九章信號發(fā)生電路(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件:即幅值平衡條件：相位平衡條件：:幅值條件：相位條件:、分類正弦波振蕩器的組成(1)放大電路建立和維持振蕩。(2)正反饋網絡與放大電路共同滿足振蕩條件。(3)選頻網絡以選擇某一頻率進行振蕩。(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。*正弦波振蕩器的分類(1)RC振蕩器振蕩頻率較低,1M以下。(2)LC振蕩器振蕩頻率較高,1M以上。(3)石英晶體振蕩器振蕩頻率高且穩(wěn)定。第三篇：模擬電子技術基礎知識點總結資料模擬電子技術復習資料總結第一章 半導體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。*P型半導體: 在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。*N型半導體: 在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。*載流子的濃度多子濃度決定于雜質濃度，少子濃度與溫度有關。*體電阻通常把雜質半導體自身的電阻稱為體電阻。*轉型通過改變摻雜濃度，一種雜質半導體可以改型為另外一種雜質半導體。* ~，~。* PN結的單向導電性正偏導通，反偏截止。*單向導電性正向導通，反向截止。*二極管伏安特性同ＰＮ結。*~，~。*。，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 V陰(正偏)，二極管導通(短路)。若 V陽 該式與伏安特性曲線 的交點叫靜態(tài)工作點Q。2)等效電路法216。直流等效電路法*總的解題手段將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 V陰(正偏)，二極管導通(短路)。若 V陽 216。 微變等效電路法*穩(wěn)壓二極管的特性正常工作時處在PN結的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。第二章 三極管及其基本放大電路、類型及特點 。，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較小；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。 * 共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件式子稱為穿透電流。*輸入特性曲線同二極管。* 輸出特性曲線(飽和管壓降，用UCES表示放大區(qū)發(fā)射結正偏，集電結反偏。截止區(qū)發(fā)射結反偏，集電結反偏。溫度升高，輸入特性曲線向左移動。溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。（簡化）hie輸出端交流短路時的輸入電阻，常用rbe表示；hfe輸出端交流短路時的正向電流傳輸 常用β表示；、VCC、Rb、Rc、CC2的作用。、不失真、能傳輸。比， *概念直流電流通的回路。*畫法電容視為開路。*作用確定靜態(tài)工作點*直流負載線由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。*電路參數(shù)對靜態(tài)工作點的影響1）改變Rb ：Q點將沿直流負載線上下移動。2）改變Rc ：Q點在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。3）改變VCC：直流負載線平移，Q點發(fā)生移動。*概念交流電流流通的回路*畫法電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用分析信號被放大的過程。*交流負載線連接Q點和V CC’點 V CC’= UCEQ+ICQR L’的直線。（1）截止失真*產生原因Q點設置過低*失真現(xiàn)象NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法減小Rb，提高Q。（2）飽和失真