【正文】 習(xí)題課本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：12學(xué)時(shí)主要內(nèi)容：各章課后作業(yè)重點(diǎn)：各章課后作業(yè)難點(diǎn)：各章課后作業(yè)講授方式方法及要求：板書。第 8 章：直流穩(wěn)壓電源本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：8學(xué)時(shí)主要內(nèi)容：?jiǎn)雾?xiàng)整流電路，濾波電路，穩(wěn)壓電路，開關(guān)穩(wěn)壓電路重點(diǎn)：濾波電路，穩(wěn)壓電路難點(diǎn)：濾波電路，穩(wěn)壓電路講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時(shí)采用討論式、現(xiàn)場(chǎng)教學(xué)、案例教學(xué)等方式，采用共創(chuàng)模式活躍課堂氣氛，引發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣。第 6 章：功率放大電路本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：6學(xué)時(shí)主要內(nèi)容：功率放大電路的特點(diǎn)，功率放大電路中的問(wèn)題重點(diǎn)：功率放大電路的特點(diǎn)難點(diǎn)：功率放大電路的特點(diǎn)講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時(shí)采用討論式、現(xiàn)場(chǎng)教學(xué)、案例教學(xué)等方式，采用共創(chuàng)模式活躍課堂氣氛，引發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣。第 4 章：電路中的負(fù)反饋本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：4學(xué)時(shí)主要內(nèi)容：反饋的概念，反饋的分類，反饋對(duì)放大電路性能的影響重點(diǎn)：反饋的分類，反饋對(duì)放大電路性能的影響難點(diǎn)：反饋對(duì)放大電路性能的影響講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時(shí)采用討論式、現(xiàn)場(chǎng)教學(xué)、案例教學(xué)等方式，采用共創(chuàng)模式活躍課堂氣氛，引發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣。第 2 章：基本放大電路本章（次）學(xué)時(shí)數(shù)：12學(xué)時(shí)主要內(nèi)容：基本共射放大電路，放大電路的分析方法，靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定以及放大電路的頻率特性重點(diǎn)：放大電路的分析方法，基本共射放大電路難點(diǎn)：放大電路的分析方法講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時(shí)采用討論式、現(xiàn)場(chǎng)教學(xué)、案例教學(xué)等方式，采用共創(chuàng)模式活躍課堂氣氛，引發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣。教案的編寫要按章（節(jié)）或每次課為單元。第五篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)教案教案2014/ 2015 學(xué)年，第一學(xué)期課程名稱電路與模擬電子技術(shù)任課教師周拓本學(xué)期學(xué)時(shí)數(shù)專業(yè)、班級(jí)14物聯(lián)網(wǎng)學(xué)生用教科書：《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》劉國(guó)巍主編學(xué)生用參考書：教案：教案是教師以章節(jié)或每次課為單元，根據(jù)教學(xué)大綱和教學(xué)內(nèi)容，針對(duì)不同層次、不同專業(yè)學(xué)生，對(duì)授課的知識(shí)群和知識(shí)點(diǎn)進(jìn)行思考設(shè)計(jì)，周密組織編寫出的整個(gè)教學(xué)過(guò)程方案。一張 A4 紙，正反面都可以使用，要求自己手寫。會(huì)算的步驟：判斷組態(tài)，計(jì)算放大倍數(shù)，得到電壓放大倍數(shù)；放大電路中反饋的正確引入，深度負(fù)反饋對(duì)電路性能的影響：穩(wěn)定放大倍數(shù)，改變輸入電阻和輸出電阻等；會(huì)連：根據(jù)電路要求引入負(fù)反饋。（區(qū)分其和單管放大電路的區(qū)別）。(3)石英晶體振蕩器振蕩頻率高且穩(wěn)定。(3)選頻網(wǎng)絡(luò)以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。（2）根據(jù)該極性，逐級(jí)推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時(shí)極性（升高用 + 表示，降低用 － 表示）。Rs越大反饋效果越好。：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態(tài)。2靜態(tài)分析1)計(jì)算差放電路IC 設(shè)UB≈0，則UE=－，得2)計(jì)算差放電路UCE ? 雙端輸出時(shí)? 單端輸出時(shí)(設(shè)VT1集電極接RL)對(duì)于VT1：對(duì)于VT2：1）差模電壓放大倍數(shù)? 雙端輸出 ?? 單端輸出時(shí)從VT1單端輸出 ：從VT2單端輸出 ：2）差模輸入電阻3）差模輸出電阻 ? 雙端輸出：? 單端輸出:當(dāng)uI在+Uim與Uim之間，運(yùn)放工作在線性區(qū) * 開環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod→∞； * 差模輸入電阻 Rid→∞； * 輸出電阻 Ro→0；* 共模抑制比KCMR→∞； 1)運(yùn)放工作在線性區(qū): * 電路特征——引入負(fù)反饋* 電路特點(diǎn)——“虛短”和“虛斷”: “虛短”域 ：“虛斷”2)運(yùn)放工作在非線性區(qū)* 電路特征——開環(huán)或引入正反饋 * 電路特點(diǎn)——輸出電壓的兩種飽和狀態(tài): 當(dāng)u+u時(shí)，uo=+Uom當(dāng)u+兩輸入端的輸入電流為零: i+=i=0第七章 放大電路中的反饋＊開環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａｆ ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ ＊環(huán)路增益－－－ＡＦ：1．當(dāng)ＡＦ＞０時(shí)，Ａｆ下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)。動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。 甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OCL利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。 任意狀態(tài)：Uom≈Uim 216。 (表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件)EMOS 的跨導(dǎo)gm * 靜態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析若帶有Cs，則 * 靜態(tài)分析* 動(dòng)態(tài)分析若源極帶有Cs，則* 靜態(tài)分析或* 動(dòng)態(tài)分析第五章 功率放大電路 導(dǎo)通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。第三章 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路（JFET）（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）轉(zhuǎn)移特性曲線 UP截止電壓（MOSFET）分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。*消除方法增大Rb、減小Rc、增大VCC。*交流負(fù)載線連接Q點(diǎn)和V CC’點(diǎn) V CC’= UCEQ+ICQR L’的直線。2）改變Rc ：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。比， *概念直流電流通的回路。溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。 * 共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件式子稱為穿透電流。若 V陽(yáng) 216。，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽(yáng) V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路)。*單向?qū)щ娦哉驅(qū)ǎ聪蚪刂埂?體電阻通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。第三篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)資料模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章 半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。、輸出電阻*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍*并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍*電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍*電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。（3）確定反饋信號(hào)的極性。反饋信號(hào)反饋到輸入端）串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。（輸出短路時(shí)反饋消失）電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。二．反饋的形式和判斷。2．當(dāng)ＡＦ＝０時(shí)，表明反饋效果為零。，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。=β1甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OTL電容C2上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源VCC。216。216。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一致。*輸入電阻高，輸出電阻低。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’－UCEQ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。（2）飽和失真*產(chǎn)生原因Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)高*失真現(xiàn)象NPN管削底，PNP管削頂。*作用分析信號(hào)被放大的過(guò)程。*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響1）改變Rb：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。、不失真、能傳輸。截止區(qū)發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較小；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。直流等效電路法*總的解題手段將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若V陽(yáng)V陰（正偏)，二極管導(dǎo)通(短路)。*。*PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?dǎo)通，反偏截止。*載流子的濃度多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。第二篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)使波形幅值穩(wěn)定，