模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)_知識(shí)點(diǎn)總結(jié)-文庫吧
2024-11-13 19:11 本頁面
【正文】 ．當(dāng)ＡＦ＞０時(shí)，Ａｆ下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。2．當(dāng)ＡＦ＝０時(shí)，表明反饋效果為零。3．當(dāng)ＡＦ＜０時(shí)，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。4．當(dāng)ＡＦ＝－１時(shí)，Ａｆ→∞。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態(tài)。二．反饋的形式和判斷。、直流或交直流。直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存 在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。（輸出短路時(shí)反饋消失）電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。（輸出短路時(shí)反饋不消失）：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。反饋信號(hào)反饋到輸入端）串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。Rs越小反饋效果越好。反饋信號(hào)反饋到非輸入端）：（1）假定某輸入信號(hào)在某瞬時(shí)的極性為正（用+表示），并設(shè)信號(hào)的頻率在中頻段。（2）根據(jù)該極性，逐級(jí)推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時(shí)極性（升高用 + 表示，降低用 － 表示）。（3）確定反饋信號(hào)的極性。（4）根據(jù)Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號(hào)的大小。Xid 減小為負(fù)反饋；Xid 增大為正反饋。某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。 、輸出電阻*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍 附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。若表示為幅值和相位的條件則為：第八章 信號(hào)的運(yùn)算與處理分析依據(jù)“虛斷”和“虛短” R2 =R1//Rf R2=R1//RfR4=R1//R2//R3//RfR1//R2//R3//R4=Rf//R5R1//R2//Rf=R3//R4//R5 第九章 信號(hào)發(fā)生電路(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件：: 幅值條件 ：相位條件:、分類 正弦波振蕩器的組成(1)放大電路建立和維持振蕩。(2)正反饋網(wǎng)絡(luò)與放大電路共同滿足振蕩條件。(3)選頻網(wǎng)絡(luò)以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。* 正弦波振蕩器的分類(1)RC振蕩器振蕩頻率較低,1M以下。(2)LC振蕩器振蕩頻率較高,1M以上。(3)石英晶體振蕩器振蕩頻率高且穩(wěn)定。第二篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。*載流子的濃度多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。*體電阻通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。*轉(zhuǎn)型通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。*~，~。*PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?dǎo)通，反偏截止。*單向?qū)щ娦哉驅(qū)?，反向截止?二極管伏安特性同ＰＮ結(jié)。*~，~。*。，分析二極管兩端電位的高低:若V陽V陰（正偏)，二極管導(dǎo)通(短路)。若V陽1）圖解分析法該式與伏安特性曲線的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。2)等效電路法216。直流等效電路法*總的解題手段將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若V陽V陰（正偏)，二極管導(dǎo)通(短路)。若V陽*三種模型216。微變等效電路法*穩(wěn)壓二極管的特性正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。第二章三極管及其基本放大電路、類型及特點(diǎn)。，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。*共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件式子稱為穿透電流。*輸入特性曲線同二極管。*輸出特性曲線(飽和管壓降，用UCES表示放大區(qū)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。截止區(qū)發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。（簡(jiǎn)化）hie輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，常用rbe表示；hfe輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比，常用β表示；、VCC、Rb、Rc、CC2的作用。、不失真、能傳輸。*概念直流電流通的回路。*畫法電容視為開路。*作用確定靜態(tài)工作點(diǎn)*直流負(fù)載線由VCC=ICRC+UCE確定的直線。*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響1）改變Rb：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。2）改變Rc：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。3）改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。*概念交流電流流通的回路*畫法電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用分析信號(hào)被放大的過程。*交流負(fù)載線連接Q點(diǎn)和VCC’點(diǎn)VCC’=UCEQ+ICQRL’的直線。（1）截止失真*產(chǎn)生原因Q點(diǎn)設(shè)置過低*失真現(xiàn)象NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法減小Rb，提高Q。（2）飽和失真*產(chǎn)生原因Q點(diǎn)設(shè)置過高*失真現(xiàn)象NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法增大Rb、減小Rc、增大VCC。（1）Uopp是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。（2）范圍*當(dāng)（UCEQ－UCES）＞（VCC’－UCEQ）時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’－UCEQ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’－UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。*放大倍數(shù)*輸入電阻*輸出電阻放大電路的等效電路法1．靜態(tài)分析2．動(dòng)態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)在Re兩端并一電解電容Ce后輸入電阻在Re兩端并一電解電容Ce后*輸出電阻1．靜態(tài)分析2．動(dòng)態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)*輸入電阻*輸出電阻*電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡(jiǎn)稱射隨器。*輸入電阻高，輸出電阻低。第三章場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路（JFET）（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）轉(zhuǎn)移特性曲線UP截止電壓（MOSFET）分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)*NEMOS的輸出特性曲線*NEMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。*NDMOS的輸出特性曲線注意：uGS可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一致。(表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件)EMOS的跨導(dǎo)gm*靜態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析若帶有Cs，則*靜態(tài)分析*動(dòng)態(tài)分析若源極帶有Cs，則*靜態(tài)分析或*動(dòng)態(tài)分析第五章功率放大電路導(dǎo)通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。ICQ≈0，導(dǎo)通角為180o，效率高，失真大。導(dǎo)通角
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