微納加工工藝流程(參考版)
2024-08-05 16:21本頁(yè)面
【正文】 3． 取出冷卻后按不同區(qū)域用刀片切好?？偨Y(jié)：PDMS軟注膜以及芯片粘合：1． 配置A:B=10：1的PDMS約30克，攪拌均勻后等倒入模具盒子內(nèi)等氣泡消失。同時(shí)，等離子體轟擊表面還有助于表面的凈化。用氧離子轟擊玻璃和PDMS的表面，可以提高其表面活性，之后通過(guò)一定的壓力即可使二者永久鍵合。圖8 北大微流與納米技術(shù)中心空氣等離子體處理器。PDMS與PDMS之間的封合通常采用熱封合的辦法。圖7為制作芯片PDMS部分的示意圖： 圖7 PDMS的鑄模過(guò)程。將攪勻的液態(tài)PDMS倒在模具上，等到無(wú)氣泡時(shí)，放到80oC的恒溫箱內(nèi)30分鐘，PDMS完全固化后，將其從模具上剝離，即可得到有圖形的PDMS。通過(guò)控制單體和交聯(lián)劑的比例可以調(diào)節(jié)PDMS的硬度。PDMS對(duì)300nm以上的光有很好的光透性。PDMS由于具有獨(dú)特的彈性，良好的透光性，高介電性，化學(xué)惰性，無(wú)毒，容易加工，價(jià)格便宜而得到廣泛的應(yīng)用。二、 按甩膠，前烘，曝光，后烘，顯影，吹干步驟完成由掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。根據(jù)不同的需要，顯影后有時(shí)要進(jìn)行定影和后烘烤，以保證圖形的平整度和堅(jiān)固性。使用正光膠時(shí)，顯影得到的圖形與所用掩模的圖像相同；使用負(fù)光膠時(shí)，顯影得到的圖形與掩模上的圖形相反。如圖5所示： 圖5 光刻膠對(duì)掩模上圖形的轉(zhuǎn)移。之后進(jìn)行紫外曝光，曝光機(jī)在曝光的區(qū)域內(nèi)光強(qiáng)的誤差一般會(huì)小于5%，這使得整個(gè)基片上的光刻膠可以均勻的進(jìn)行曝光。經(jīng)過(guò)光刻，可將掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。一般曝光設(shè)備大多采用紫外光源如汞燈，且具有XY方向的對(duì)位功能，簡(jiǎn)易式的可只需一個(gè)汞燈光源。光刻及顯影光膠涂布后，要進(jìn)行前烘烤，使液態(tài)光膠固化，稱為前烘。解決的方法為在硅片上預(yù)先涂上一層物質(zhì)，使光膠的附著力增強(qiáng)。超凈間內(nèi)微塵的數(shù)量一般為千級(jí)()，局部為百級(jí)，可以很好的保證甩膠的質(zhì)量。此外，光膠預(yù)烘烤的溫度和時(shí)間、光膠的施加量及環(huán)境溫度也有一定影響?；谵D(zhuǎn)動(dòng)盤(pán)的帶動(dòng)下快速旋轉(zhuǎn)，一般先用較低速運(yùn)轉(zhuǎn)數(shù)秒使膠散開(kāi)，然后再以高速運(yùn)轉(zhuǎn)使膠在離心力的作用下均勻的覆蓋在基片上，此過(guò)程稱旋涂（SpinCoating）。先將基片（通常是硅片襯底）置于甩膠機(jī)的轉(zhuǎn)盤(pán)上，基片在真空的作用下被吸在盤(pán)上。90sec30〞3500rpmSU8 305023℃20%10〞500rpm2min15min1min5min∕cm178。130sec30〞2500rpmSU8 305024℃24%10〞500rpm2min15min1min5min∕cm178。190sec30〞1500rpmSU8 305022℃20%10〞500rpm2min15min1min5min18μw∕cm178。65sec19μm30〞4000rpm光刻標(biāo)定相關(guān)數(shù)據(jù)（SU8 3050）膠型環(huán)境溫度環(huán)境濕度涂膠轉(zhuǎn)數(shù)(兩步程序)前烘時(shí)間后烘時(shí)間光刻機(jī)光強(qiáng)曝光時(shí)間平均高度65℃95℃65℃95℃SU8 305020℃52%10〞500rpm2min25min1min7min18μw∕cm178。90sec
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1