微電子工藝課程設(shè)計(jì)(參考版)
2025-07-02 12:49本頁面
【正文】 六、 參考文獻(xiàn)1.《集成電路制造技術(shù)》，電子工業(yè)出版社，王蔚等著，2000年2.《半導(dǎo)體物理》，電子工業(yè)出版社，劉恩科等著，2006年3.《半導(dǎo)體仿真工具silvaco學(xué)習(xí)資料》，網(wǎng)絡(luò)，化龍居士，2009年。但是也深深體會(huì)到了對(duì)于理論知識(shí)的缺乏，以及運(yùn)用時(shí)候思路的單調(diào)，并不能夠提出新穎的方案，拘泥于固定思維的我們，更應(yīng)該利用課程設(shè)計(jì)以及其他實(shí)踐機(jī)會(huì)拓展自己的思維。五、 體驗(yàn)與展望在為期一周的時(shí)間里，我們對(duì)于微電子工藝這門課程進(jìn)行了相應(yīng)的微電子工藝課程設(shè)計(jì)。從知之甚少到一點(diǎn)點(diǎn)設(shè)計(jì)，最終成功完成了本次設(shè)計(jì)，通過仿真軟件仿真可以知道此次設(shè)計(jì)基本符合題目要求的參數(shù)值。單位面積雜質(zhì)濃度：由上述表1可知硼在硅中有： 為了方便計(jì)算，取由公式 ，得出發(fā)射區(qū)的預(yù)擴(kuò)散時(shí)間： 氧化層厚度 氧化層厚度的最小值由預(yù)擴(kuò)散（1353K）的時(shí)間t=1683s來決定的，且服從余誤差分布，并根據(jù)假設(shè)可求 ，由一些相關(guān)資料可查出硼（B）在溫度950℃時(shí)在中的擴(kuò)散系數(shù)：考慮到生產(chǎn)實(shí)際情況，基區(qū)氧化層厚度取為7000。 基區(qū)再擴(kuò)散的時(shí)間PNP基區(qū)的磷再擴(kuò)散的溫度這里取1200℃?；鶇^(qū)相關(guān)參數(shù)的計(jì)算過程 A、預(yù)擴(kuò)散時(shí)間PNP基區(qū)的磷預(yù)擴(kuò)散的溫度取1080℃，即1353K。但另一方面，結(jié)深卻又受條寬限制，由于基區(qū)積累電荷增加，基區(qū)渡越時(shí)間增長(zhǎng)，有效特征頻率就下降，因此，通常選?。悍瓷浣Y(jié)結(jié)深為集電結(jié)結(jié)深為芯片厚度和質(zhì)量 本設(shè)計(jì)選用的是電阻率為 的P型硅，晶向是111。其中和分別是位于N型區(qū)內(nèi)的EB和CB耗盡區(qū)寬度，在BJT分析中指的就是準(zhǔn)中性基區(qū)寬度。因?yàn)镃B結(jié)輕摻雜一側(cè)的摻雜濃度比EB結(jié)輕摻雜一側(cè)的濃度低，所以＞。增大集電區(qū)厚度會(huì)使串聯(lián)電阻Rcs增加，飽和壓降VCES增大，因此WC的最大值受串聯(lián)電阻限制。因此，當(dāng)集電結(jié)上的偏置電壓接近擊穿電壓V時(shí)， 集電結(jié)可用突變結(jié)近似，
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