薄膜混合集成電路的制作工藝(參考版)
2024-11-05 22:29本頁面
【正文】 此外，聲表面波的有效機(jī)電耦合系數(shù)也隨換能器電極結(jié)構(gòu)和壓電薄膜的厚度而變化。 在薄膜聲表面波器件中，壓電薄膜和非壓電襯底形成了多層結(jié)構(gòu)，而聲表面波傳播特性則由壓電薄膜和襯底的特性共同決定。該表面層的厚度為一個(gè)表面波的波長。在這種情況下，由于人們往往需要迅速完成設(shè)計(jì)和元件選擇，當(dāng)出 現(xiàn)特殊需求時(shí)，電容器制造商提供一對(duì)一式的服務(wù)能夠幫助解決設(shè)計(jì)問題和保證干擾濾波器、基本信號(hào)調(diào)節(jié)電路和電子鎮(zhèn)流器等基本功能模塊的順利完成。它們還可以用于開關(guān)電源、鑒頻和濾波器電路，以及能量存儲(chǔ)和取樣與保持應(yīng)用等。這些特點(diǎn)使金屬化聚丙烯薄膜電容器成為交流輸入濾波器、電子鎮(zhèn)流器和緩沖電路等應(yīng)用的重要選擇。在所有各類薄膜電容器中，聚脂電容器以適度的成本實(shí)現(xiàn)了最佳的體積效率，而且是解耦、阻斷、旁路和噪聲抑制等直流應(yīng)用中最流行的選擇。金屬化薄膜這種型態(tài)的電容器具有一種所謂的我我復(fù)原作用 (Self Healing Action)，即假設(shè)電極的微小部份因?yàn)殡娊缳|(zhì)脆弱而引起短路時(shí)， 引起短路部份周圍的電極金屬，會(huì)因當(dāng)時(shí)電容器所帶的靜電能量或短路電流，而引發(fā)更大面積的溶 融和蒸發(fā)而恢復(fù)絕緣，使電容器再度回復(fù)電容器的作用。例如常見的 MKP電容，就是金屬化聚丙烯膜電容器 (Metailized Polypropylene Film Capacitor)的代稱，而 MKT 則是金屬化聚乙酯電容 (Metailized Polyester)的代稱。但是另外薄膜電容器又有一種制造法，叫做金屬化薄膜 (Metallized Film)，其制法是在塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬以做為電極。讀者們可以經(jīng)常見到某某牌的器材，號(hào)稱用了多少某某名牌的 PP 質(zhì)電容或 PS 質(zhì)電容，以做為在聲音品質(zhì)上的背書，其道理就在此。在所有的塑料薄膜電容當(dāng)中，又以聚丙烯 (PP)電容和聚苯乙烯 (PS)電容的特性最為顯著，當(dāng)然這兩種電容器的價(jià)格也比較高。基于以上的優(yōu)點(diǎn)，所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。 薄膜電容器由于具有很多優(yōu)良的特性，因此是一種性能優(yōu)秀的電容器。薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚笨乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。電解電容大多被使用在需要電容量很大的地方，例如主電源部份的濾波電容，除了濾波之外，并兼做儲(chǔ)存電能之用。 薄膜電容 電容器依著介質(zhì)的不同，它的種類很多，例如：電解質(zhì)電容、紙質(zhì)電容、 薄膜電容、陶瓷電容、云母電容、空氣電容等。而在實(shí)際比例中為 1： 1，此時(shí)方阻約為 1K 歐姆 /□，因此用同一圖形做出阻值約為 CrSiO五倍。 CrSiO 金屬陶瓷實(shí)用快速爭渡方法制成，其方阻特性隨 Cr 和 SiO 的比例變化很大，一般來講， Cr 含量越高 TCR 越小。以氮化鈦、 氮化硼、氮化硅和氮化鉭為基體，具有超硬性、抗熱振性和良好的高溫蠕變性，應(yīng)用較少。以碳化鈦、碳化硅、碳化鎢等為基體，與金屬鈷、鎳、鉻、鎢、鉬等金屬復(fù)合而成，具有高硬度、高耐磨性、耐高溫等特點(diǎn)，用于制造切削刀具 、高溫軸承、
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