薄膜混合集成電路的制作工藝(完整版)
【正文】 瓷基片 ② 微晶玻璃基片 ③ BeO 陶瓷基片 ④ AlN 陶瓷基片 還有碳化硅，人造金剛石等用的較少 。 （ 3） 表面光潔度 形響到電路損耗，薄膜的附著力，和線條的分辨率，劃痕等缺陷。 按無源網(wǎng)路中元件參數(shù)的集中和分布情況，薄膜集成電路分為集中參數(shù)和分布參數(shù)兩種。而薄膜在薄膜電阻，薄膜電容，薄膜聲表面波器件應(yīng)用尤為廣泛。其主要性能指標(biāo)： （ 1） 高頻損耗 tgδ，隨溫度 T 和工作頻率 fo 升高而增加 ， 在微波頻段工作的材 料，其高頻吸收能量 P=2π fV2ε rtgδ 。 （ 6） CTE 基片的熱膨脹系數(shù)應(yīng)與管殼材料，元器件材料相匹配，以避免產(chǎn)生應(yīng)力，影響可靠性。主要靠金剛沙研磨，需要把基片粘到玻璃上，打完孔后取下基片，清洗蠟層。超聲時(shí)間不要太長(zhǎng)，一般不要超過 5min。通過一定加熱方式使被蒸發(fā)材料受熱蒸發(fā)或升華，由固態(tài)或液態(tài)變成氣態(tài)。 ? 濺射鍍膜 是指在真空室中，利用荷能粒子轟擊鍍料表面，使被轟擊出的粒子在基片上沉積的技術(shù)。 ? CVD 與 PVD 的不同處：沉積粒子來源于化合物的氣相分解反應(yīng) ? 液相反應(yīng)沉積 (液相外延 ) ? 利用液相中進(jìn)行的反應(yīng)而沉積薄膜的方法。然后通過修編技術(shù)來調(diào)整阻值圓形電阻用機(jī)械方法切割螺旋線來修正阻值，達(dá)到調(diào)阻目的，平行板可采用機(jī)械或激光方法 來調(diào)阻。以碳化鈦、碳化硅、碳化鎢等為基體，與金屬鈷、鎳、鉻、鎢、鉬等金屬?gòu)?fù)合而成，具有高硬度、高耐磨性、耐高溫等特點(diǎn)，用于制造切削刀具 、高溫軸承、密封環(huán)、撿絲模套及透平葉片。 薄膜電容 電容器依著介質(zhì)的不同，它的種類很多，例如：電解質(zhì)電容、紙質(zhì)電容、 薄膜電容、陶瓷電容、云母電容、空氣電容等?；谝陨系膬?yōu)點(diǎn)，所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。例如常見的 MKP電容，就是金屬化聚丙烯膜電容器 (Metailized Polypropylene Film Capacitor)的代稱，而 MKT 則是金屬化聚乙酯電容 (Metailized Polyester)的代稱。它們還可以用于開關(guān)電源、鑒頻和濾波器電路，以及能量存儲(chǔ)和取樣與保持應(yīng)用等。此外，聲表面波的有效機(jī)電耦合系數(shù)也隨換能器電極結(jié)構(gòu)和壓電薄膜的厚度而變化。在這種情況下，由于人們往往需要迅速完成設(shè)計(jì)和元件選擇，當(dāng)出 現(xiàn)特殊需求時(shí)，電容器制造商提供一對(duì)一式的服務(wù)能夠幫助解決設(shè)計(jì)問題和保證干擾濾波器、基本信號(hào)調(diào)節(jié)電路和電子鎮(zhèn)流器等基本功能模塊的順利完成。金屬化薄膜這種型態(tài)的電容器具有一種所謂的我我復(fù)原作用 (Self Healing Action)，即假設(shè)電極的微小部份因?yàn)殡娊缳|(zhì)脆弱而引起短路時(shí)， 引起短路部份周圍的電極金屬，會(huì)因當(dāng)時(shí)電容器所帶的靜電能量或短路電流，而引發(fā)更大面積的溶 融和蒸發(fā)而恢復(fù)絕緣，使電容器再度回復(fù)電容器的作用。在所有的塑料薄膜電容當(dāng)中，又以聚丙烯 (PP)電容和聚苯乙烯 (PS)電容的特性最為顯著，當(dāng)然這兩種電容器的價(jià)格也比較高。電解電容大多被使
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