電位移有介質(zhì)時(shí)的高斯定理(參考版)
2025-01-22 10:31本頁面
【正文】 RE ?????? ????1r01 π2 RE ???? )( 1Rr ?2r02 π2 RE ???? )( 2Rr ?rDEr0r0 π2 ???????1R2Rr????第五章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 5 – 2 電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 真空?qǐng)A柱形電容器電容 （３） 由（１）可知 rEr0π2 ???? )( 21 RrR ???? ??? 21 r0π2dd RR rrrEU?????120lnπ2 RRr????12r0 lnπ2 RRl???UQC ?0r C??12r0 lnπ2 RRlC ???單位長(zhǎng)度電容 1R2Rr????。 ???? ??（ 2） 1r00r101 ??????? DEr200r202 ??????? DE第五章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 5 – 2 電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 r 例 3 常用的圓柱形電容器，是由半徑為 的長(zhǎng)直圓柱導(dǎo)體和同軸的半徑為 的薄導(dǎo)體圓筒組成，并在直導(dǎo)體與導(dǎo)體圓筒之間充以相對(duì)電容率為 的電介質(zhì) .設(shè)直導(dǎo)體和圓筒單位長(zhǎng)度上的電荷分別為 和 . 求（ 1） 電介質(zhì)中的電場(chǎng)強(qiáng)度、電位移和極化強(qiáng)度； （２） 電介質(zhì)內(nèi)、外表面的極化電荷面密度；（３） 此圓柱形電容器的電容． ??1R2Rr???1R2R????第五章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 5 – 2 電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 lSDS ???? ?? d解（ 1） lrlD ??π2rDπ2??rDEr0r0 π2 ???????)( 21 RrR ???????rEPrr0r π21)1( ????1R2Rr????第五章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 5 – 2 電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 （２） 由上題可知 1rr10r1 π2)1()1(39。2??39。1??39。2??1S10d SSDS ??????0??D1E?2E?1r00r101 ??????? DEr200r202 ??????? DE解（ 1） 第五章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 5 – 2 電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 2211d dEdElEU l ???? ???)(2r21r10 ???ddSQ ??12r21r2r1r00ddSUQC????????0r1r11139。1??+ + + + + +
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