集成電路分析與設(shè)計(參考版)
2025-03-04 05:55本頁面
【正文】 版圖熟悉與非門和或非門的版圖 。 所以，信號電壓單端輸出，放大器的電壓增益會受到損失。若定義了 UIC， 則在瞬態(tài)分析開始時，使用各元件行中定義的 IC值作為初始瞬態(tài)條件進(jìn)行分析 電路控制語句 輸出控制 .PRINT PRTTYPE OUTVAR1 OUTVAR2 … PRTTYPE 是分析類型，可以是 DC、 AC、 TRAN、 NOISE及 DISTO OUTVARl～ OUTVAR8為輸出變量 第七章 運(yùn)放設(shè)計：電流鏡、差分放大器 MOS 電流鏡 基本電流鏡 : 2 個對稱的 MOS管結(jié)構(gòu)： IOUT/IREF=(W/L)2/(W/L)1 比例電流鏡：電流比為 M M1 晶體管的寬長比之比 實(shí)際情況中電流比易受到溝道長度調(diào)制效應(yīng)及輸出端負(fù)載的影響而不恒定。 元件描述語句無源：電阻、電容 半導(dǎo)體元器件：二極管、 BJT、 MOSFET 電源：直流、瞬態(tài)脈沖 其他：模型、子電路、文件 電路特性分析語句 ： .DC SRCNAM VSTART VSTOP VINCR SRC2 START2 STOP2 INCR2 SRCNAM是用于掃描的獨(dú)立電壓源或電流源 VSTART是掃描電壓 (或電流 )的起始值 VSTOP是掃描電壓 (或電流 )的結(jié)束值 VINCR則是增量 值 .TRAN TSTEP TSTOP TSTARTTMAX UIC TSTEP是數(shù)據(jù)輸出的時間增量 TSTOP是分析結(jié)束時間 TSTART 是數(shù)據(jù)輸出的開始時間，默認(rèn)是 0。 VGVT，半導(dǎo)體表面為電子 (少子 ) 高頻 CGB=CCdep/(C+Cdep) 低頻 CGB=Cox MOSFET及其 SPICE模型 第六章 SPICE程序數(shù)據(jù)和指令輸入所使用的語句主要分為 電路描述語句、特性分析語句和特性控制語句 三大類。 : NMOS 的 G和 D 短接，始終工作在 飽和區(qū) (VGSVT=VDSVT VDS) Ron=VDS/IDS=2V/[KN(VVTN)2] rds=dVDS/dIDS=dVGS/dIDS=1/gm=1/[KN(VVTN)] 電流方向 LWh 集成電容 *平板電容 C=ε rε 0lw/d C=ε rε 0/d *PN結(jié)電容 Cj= Cj0(1VD/V0)m； V0為 PN 結(jié)內(nèi)建勢壘電壓， VD為 PN 結(jié)兩端偏壓值， Cj0為零偏壓勢壘電容， m為梯度因子（突變結(jié)為 1/2）。 h有關(guān)，與 l和 w（即方塊大?。o關(guān)。 微米 (micron)規(guī)則： 以微米為分辨單位 ； 以特征尺寸為基準(zhǔn) 。 規(guī)則越富有進(jìn)取性，則電路性能改進(jìn)的可能性也越大，這種改進(jìn)可能是以犧牲成品率為代價的。 設(shè)計規(guī)則與性能和成 品率之間的關(guān)系：一般來講，設(shè)計規(guī)則反映了 性能 和 成品率 之間可能的最好的折衷。 4)第二次光刻 – P+隔離擴(kuò)散孔光刻：反偏 PN 結(jié)隔離相鄰的元件 5)第三次光刻 – P 型基區(qū)擴(kuò)散孔光刻 6)第四次光刻 – N+發(fā)射區(qū)擴(kuò)散孔光刻 7)第五次光刻 – 引線接觸光刻 8)第六次光刻 – 金屬內(nèi)連線光刻 CMOS IC 基本制造工藝 低功耗，集成度高，抗干擾能力強(qiáng)； 但速度低，驅(qū)動能力差。 常見的外延技術(shù)：
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