集成電路制造工藝-wenkub.com
2025-01-04 18:43 本頁(yè)面
【正文】 2023年 1月 24日星期二 2時(shí) 39分 51秒 02:39:5124 January 2023 ? 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 , January 24, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過(guò)去最杰出的人談話。 。 :39:5102:39Jan2324Jan23 ? 1世間成事，不求其絕對(duì)圓滿，留一份不足，可得無(wú)限完美。 2023年 1月 24日星期二 2時(shí) 39分 51秒 02:39:5124 January 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 :39:5102:39:51January 24, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國(guó)見青山。 , January 24, 2023 ? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 ?金屬膜的形成方法： ?在集成電路工藝中，淀積金屬薄膜最常用的方法是蒸發(fā)和濺射，這兩種方法都屬于物理氣相淀積 (FVD)技術(shù)．少數(shù)金屬也可以來(lái)用CVD方法淀積。 ?除此以外， CMOC集成電路還具有設(shè)計(jì)靈活、抗干擾能力強(qiáng)、單一工作電源、輸入阻抗高、適合于大規(guī)模集成等特點(diǎn)， CMOS集成電路已經(jīng)以絕對(duì)優(yōu)勢(shì)成了集成電路工業(yè)的主流技術(shù)． ?（ 1）初始材料準(zhǔn)備：一般采用 (100)晶向的硅片 ?（ 2） 形成 N阱 (圖 (a)) ?初始氧化 ?淀積氮化硅層 ?光刻，定義出 N阱 ?反應(yīng)離子刻蝕氯化硅層 ? N阱離子注入，注磷 ?（ 3） 形成 P阱 (圖 (b)， (c)) ?在 N阱區(qū)生長(zhǎng)厚氧化層，其它區(qū)域被氮化硅層保護(hù)而不會(huì)被氧化 ?去掉光刻膠及氮化硅層 ? P阱離子注入，注硼，并退火驅(qū)入 ?去掉 N阱區(qū)的氧化層 ? (4)形成場(chǎng)隔離區(qū) (圖 (d)) ?場(chǎng)氧化區(qū) ? (5)形成多晶硅柵 (圖 (d)． (e)) ?生長(zhǎng)柵氧化層 ?淀積多晶硅 ?光刻多晶硅柵 ?刻蝕多晶硅柵 ?淀積氧化層 ? (6)形成 N管源漏區(qū) (圖 (e)) ?光刻，利用光刻膠將 PMOS區(qū)保護(hù)起來(lái) ?離子注入磷或砷，形成 N管源漏區(qū) ? (7)形成 P管源漏區(qū) (圖 (e)) ?光刻，利用光刻膠將 NMOS區(qū)保護(hù)起來(lái) ?離子注入磷或砷，形成 P管派漏區(qū) ? (8)形成接觸孔 (圖 (f)) ?化學(xué)氣相淀積磷硅玻璃層 ?退火和致密 ?光刻接觸
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1