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2025-07-29 17:58 本頁面
【正文】 一般危害品的防護：帶一次性手套、帶眼罩 危害大的化學品防護：帶面具，防護服等。 光刻膠一般有 兩種： 正性 （ Positive） 光刻膠 負性 （ Negative） 光刻膠 Lattice Power (Jiangxi) Corporation ?正性和負性光刻膠 正性光刻膠 受光或紫外線照射后 感光的部分發(fā)生光分解反應 ， 可溶于顯影液 ， 未感光的部分顯影后仍然留在晶圓的表面 ， 它一般適合做長條形狀； 負性光刻膠 的 未感光部分溶于顯影液中 ， 而感光部分顯影后仍然留在基片表面 ， 它一般適合做窗口結構 ， 如接觸孔 、 焊盤等 。 Lattice Power (Jiangxi) Corporation 光刻工藝 光刻 是集成電路加工過程中的 重要工序 。 Lattice Power (Jiangxi) Corporation 鈍化區(qū)域 Lattice Power (Jiangxi) Corporation 光刻 ?從第一個晶體管問世算起，半導體技術的發(fā)展已有多半個世紀了，遵循 Moore定律即芯片集成度18個月翻一番，每三年器件尺寸縮小 發(fā)展現(xiàn)在片徑已達 300mm， DRAM半節(jié)距已達150nm， MPU柵長達 100nm。 欲形成好的歐姆接觸，有二個先決條件：凡是能夠降低勢壘 фb或增大載流子濃度的方法都有助于降低接觸電阻。 3， DHF:HF： H20=1:50,用 HF清洗去除表面的自然氧化膜。 目前常用 H2O2作強氧化劑，選用 HCl作為 H+的來源用于清除金屬離子。 硅片及外延片的化學清洗工藝原理 Lattice Power (Jiangxi) Corporation ? 清洗方案 自 1970年美國 RCA實驗室提出的浸泡式 RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用， 1978年 RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以 RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術不斷被開發(fā)出來，例如 ： ⑴ 美國 FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術。 ? 硅片表面的表面沾污 ： 可通過有機試劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術來去除。大 規(guī) 模 集 成 電 路 的 制 造 都 是以
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