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2024-11-05 07:47本頁面
【正文】 ,第二十頁，共二十四頁。,8.4半導(dǎo)體閘流管,器件(q236。ji224。n)結(jié)構(gòu),2.雙邊(shuāngbiān)對稱的閘流管,第二十一頁，共二十四頁。,8.4半導(dǎo)體閘流管,器件(q236。ji224。n)結(jié)構(gòu),3.MOS柵控的閘流管,第二十二頁，共二十四頁。,8.4半導(dǎo)體閘流管,器件(q236。ji224。n)結(jié)構(gòu),4.MOS關(guān)態(tài)閘流管,第二十三頁，共二十四頁。,內(nèi)容(n232。ir243。ng)總結(jié),8.1功率雙極晶體管。橫截面示意圖 相互交叉的晶體管結(jié)構(gòu)。1．較寬的基區(qū)寬度，更小的電流增益。小信號與功率晶體管特性與最大額定值的比較。3.在一個更寬的溫度范圍內(nèi)有穩(wěn)定的增益及響應(yīng)時間。1.MOSFET的溝道長度視為寄生晶體管的基區(qū)寬度，寄生晶體管的電流增益很大。晶體管消耗(xiāoh224。o)的能量會使其內(nèi)部溫度逐漸升高，以致超過周圍環(huán)境的溫度。元件的溫度差T2T1與熱阻的關(guān)系為： T2－T1＝Pθ,第二十四頁，共二十四頁
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