20xx年醫(yī)學(xué)專題—和健康的就好啦-預(yù)覽頁
【正文】 率(gōnglǜ)晶體管的結(jié)構(gòu) 橫截面示意圖 相互交叉的晶體管結(jié)構(gòu),第一頁，共二十四頁。 3．集電極最大額定電流遠大于于小信號(x236。,8.1功率(gōnglǜ)雙極晶體管,8.1.2 功率晶體管的特性(t232。i),npn達林頓組態(tài)(zǔ t224。)溝道VMOS,第五頁，共二十四頁。)及響應(yīng)時間。shēng)雙極晶體管,第八頁，共二十四頁。)開態(tài)。,第九頁，共二十四頁。元件的溫度差T2T1與熱阻的關(guān)系為： T2－T1＝Pθ P是通過元件的熱功率。ngy224。,8.4半導(dǎo)體閘流管,半導(dǎo)體閘流管的基本(jīběn)特性,第十三頁，共二十四頁。fā)機理,第十六頁，共二十四頁。如果寄生的四層結(jié)構(gòu)被觸發(fā)進入(j236。,第十八頁，共二十四頁。,8.4半導(dǎo)體閘流管,器件(q236。ji224。n)結(jié)構(gòu),3.MOS柵控的閘流管,第二十二頁，共二十四頁。,內(nèi)容(n232。1．較寬的基區(qū)寬度，更小的電流增益。晶體管消耗(xiāo
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