【導讀】近年來，隨著晶體管器件精細化、小型化的高速發(fā)展，高K材料的。提出和開發(fā)成為了新的研究熱點。求高的介電常數(shù)外，對柵介質薄膜界面的質量要求非常高。晶粒尺寸及晶界均會。對薄膜介電常數(shù)及漏電流大小產(chǎn)生影響。結構及介電、漏電性能的影響。以氧化鋁薄膜為介電層，摻雜銦稼的氧化鋅為半。操作電壓可降低至3V，場遷移率可達。cm2V-1s-1，開關比達到×104。高介電常數(shù)材料在晶體管中的應用...........錯誤!

　　

【正文】 進行。 圖 37 以 Al2O3 為柵介質層的 晶體管 器件結構 我們采用 Keithley 2400 數(shù)字源表，用 Keithley 2400 可實現(xiàn)在一定的柵極電壓下，場效應晶體管 ISDVSD 曲線的自動測量。通過測量不同柵壓下的 ISDVSD曲線，可獲得一組場效應晶體管的輸入輸出特性圖，同樣的道理，我們也可以實現(xiàn)場效應晶體管轉移特性曲線的記錄．從場效應晶體管的輸入輸出特性特性曲線簇以及場效應晶體管轉移特性曲線可以得到我們想要得到的關鍵參量：遷移率、閾值電壓、開關比等。 晶體管 的輸入輸出曲線：固定柵電壓，測試源漏電流隨源漏電壓的變化關系 。晶體管 的轉移特性曲線：固定源漏電壓，測試源漏電流隨柵極偏壓的變化關系。 晶體管 器件的輸出特性曲線和轉移特性曲線見圖 38。柵壓 (VG) 測試范圍為 3 到 6 V，且每隔 1 V 測試一組數(shù)據(jù)，所有器件都有典型的 N 型 晶體管 特性。在轉移特性曲線中， VDS恒為 3 V。 Al2O3 IGZO 硅基底 (柵極 ) Al Al 山東大學畢業(yè)論文 26 圖 38 光波處理氧化鋁晶體管 輸出特性曲線和轉移特性曲線 山東大學畢業(yè)論文 27 從圖 38 中可以明顯看出，當源漏電壓較小時，器件工作在線性區(qū)；當源漏電壓增加到接近柵極電壓后，源漏電流趨于恒定，器件工作在飽和區(qū)。 電學性能參數(shù)匯總見表 31。 表 31 光波處理氧化鋁晶體管 器件的電學性能 薄膜處理 單位面積電容 (nF/cm2 ) 載流子遷移率 (cm2/Vs) 開關比 閾值電壓 (V) 光波處理 140 104 第 四 章 結論 本論文主要研究了在低溫條件下通過溶膠 凝膠法制備的高 K 材料氧化鋁在不同退火（紫外照輻，光波處理）條件下薄膜的生長情況和電學特性的差異以及在薄膜晶體管中的應用 。通過 SEM 對薄膜的形貌、粗糙度等進行了檢測分析，對制備得到的低操作電壓場效應晶體管的測試分析，可以得出以下結論： (220 ℃ ) 制備了高 K 介電薄膜，通過旋涂后進行的紫外照射退火處理，可以更好的使 薄膜均勻平滑，無明顯缺陷，成膜質量良好 ，在 涂膜 5層時 ， 膜厚 100nm，外加電壓 3V時，獲得漏電流均在 106A/cm2 的數(shù)量級，單位 面積電容達到 170nF/cm2。 ，可以得到致密均勻的薄膜。 樣品的單位面積電容可達 nF/cm2，漏電流約為 106A/cm2 ，可以滿足薄膜晶體管介電材料的使用要求。 山東大學畢業(yè)論文 28 IGZO 薄膜制備的效應晶體管操作電壓可降低至 3 V，場遷移率可達 ，開關比達到 104。 致謝 衷心感謝我的導師王素梅副教授，在我進行畢業(yè)設計期間，無論從篩選題目、實驗設計還是論文的批閱修訂等方面都耗費了王老師大量的心血。平日里與老師探討學術問題，交流實驗經(jīng)驗，都讓我獲得了廣博的學科知識，收獲了寶貴的人生經(jīng)驗，增長了豐富的人生閱歷。老師寬闊的胸懷、高尚的人格、開闊的視野、淵博的學識、嚴謹?shù)闹螌W態(tài)度，都令我獲益匪淺。 同時也要感謝無機所的各位老師在大學四年中對我的幫助和教導，老師們的治學態(tài)度將令我終身難忘，老師們的諄諄教誨必將指導我日后兢兢業(yè)業(yè)、勤勤懇懇地工作，我將時時刻刻銘記自己曾經(jīng)是一名山東大學無機 非金屬材料工程專業(yè)的學生。 也要感謝張倩學姐、 呂媛媛 等同組同學在實驗過程中對我的指導和幫助，謝謝你們！ 最后，謹向所有關心和幫助過我的老師和同學們致以最崇高的敬意和最誠摯的感謝！ 山東大學畢業(yè)論文 29 參考文獻 [1] 馮翔 . 溶液法制備薄膜晶體管及其圖案化與性能研究 [D]. 合肥：合肥工業(yè)大學 , 20xx,97100. 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