【導(dǎo)讀】近年來(lái),隨著晶體管器件精細(xì)化、小型化的高速發(fā)展,高K材料的。提出和開發(fā)成為了新的研究熱點(diǎn)。求高的介電常數(shù)外,對(duì)柵介質(zhì)薄膜界面的質(zhì)量要求非常高。晶粒尺寸及晶界均會(huì)。對(duì)薄膜介電常數(shù)及漏電流大小產(chǎn)生影響。結(jié)構(gòu)及介電、漏電性能的影響。以氧化鋁薄膜為介電層,摻雜銦稼的氧化鋅為半。操作電壓可降低至3V,場(chǎng)遷移率可達(dá)。cm2V-1s-1,開關(guān)比達(dá)到×104。高介電常數(shù)材料在晶體管中的應(yīng)用...........錯(cuò)誤!