【正文】 器設(shè)備見表 22。得到白色乳濁液。清洗步驟如下： 25 min，目的是清洗硅片上附著的物。若親水性好，則可以準(zhǔn)備涂膜。200℃， 5min，接著進(jìn)行光波處理或紫外照射處理，使膜更致密均勻，從而得到一層 Al2O3 薄膜。 本實(shí)驗(yàn)對薄膜制品的熱處理溫度均為 300 ℃ ，保溫時(shí)間為 1 小時(shí) 。晶體管導(dǎo)電溝道尺寸由掩膜板來控制，導(dǎo)電溝道長 L=50 μm，寬 W=20xxμm。同時(shí)，通過除去所測樣品的表面積 S，得到單位面積電容值。而相應(yīng)的，涂的薄膜層數(shù)越多，測得的漏電越小，電學(xué)性能更優(yōu)異。 山東大學(xué)畢業(yè)論文 25 可以得出，在光波處理的氧化鋁薄膜比起紫外照射的薄膜，漏電更小，相應(yīng)的電學(xué)性能更好。柵壓 (VG) 測試范圍為 3 到 6 V，且每隔 1 V 測試一組數(shù)據(jù)，所有器件都有典型的 N 型 晶體管 特性。 山東大學(xué)畢業(yè)論文 28 IGZO 薄膜制備的效應(yīng)晶體管操作電壓可降低至 3 V，場遷移率可達(dá) ，開關(guān)比達(dá)到 104。ev V V,StesmansA. Polarity dependence of defect generation in ultrathin SiO2/ZrO2 gate dielectric stackes [J].Appl Phys Lett. 20xx,79:3134. [10] Qi Wen Jir,Byoung Hun Lee, Renee Neih,et al[A].HighK Gate Dielectrics,Part of SPIE Conference on Microelectonic Device Technology [C].Santa Clara, California, September1999,SPIE,24. [11] Hubbrad K J,Schlom D stability of binary oxides in contact with silicon [J].J Mater Res. 1996,11:2770. 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P. Gusev[16]發(fā) 現(xiàn) Al2O3/Si界面較直，沒有發(fā)現(xiàn) SiOx界面態(tài)密度小的情況。 一些常用的高介電常數(shù)材料 Ⅳ B 族元素 (Ti、 Zr、 Hf) 氧化物 Ti、 Zr、 Hf 等 Ⅳ B 族元素的氧化物和硅化物常作為柵介質(zhì)材料進(jìn)行制備，下面對其進(jìn)行簡單的介紹： ZrO2 薄膜以其寬禁帶 ( V) ， Si/ZrO2 界面勢壘高度為 2eV，能在 Si 上穩(wěn)定，能被氫氟酸腐蝕和較高的介電常數(shù) (1530) 等優(yōu)異性能得到廣泛研究[911]。隨著晶體管期間小型化的發(fā)展，柵介質(zhì)二氧化硅的厚度也在相應(yīng)減小，導(dǎo)致形成大的漏電流。 (2) 載流子遷移率 晶體管 的載流子遷移率 μ 又叫場效應(yīng)遷移率，是指單位電場下電荷載流子的平均移動速度，它反映在不同電場下空穴或電子在半導(dǎo)體中的遷移的 能力，是表征 晶體管 器件非常重要的參數(shù)，單位為 cm2V1s1。更重要的是，我們還可以通過提高柵介質(zhì)層的表面質(zhì)量來改善與半導(dǎo)體層的界面特性，從而提高半導(dǎo)體薄膜生長質(zhì)量。屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。因而晶體管的特征尺寸幾乎隨著摩爾定律的預(yù)測，快速地以每兩、三年一個世代的腳步持續(xù)縮小。滿足低操作電壓晶體管器件的使用要求。山東大學(xué)畢業(yè)論文 1 畢業(yè)論文 (設(shè)計(jì) ) 論文 (設(shè)計(jì) ) 題目： 高 k 介電薄膜的制備以及薄膜晶體管中的應(yīng)用研究 The fabrication of high