【導(dǎo)讀】已成為現(xiàn)代社會(huì)的一個(gè)趨勢(shì)，太陽(yáng)能的開(kāi)發(fā)與利用越來(lái)越被人們所重視。其基本原理是利用光生伏打效應(yīng)將太陽(yáng)輻射能直接轉(zhuǎn)換為電能，它的基本。裝置是太陽(yáng)能電池。太陽(yáng)能電池是由太陽(yáng)能電池硅片組件組成的一個(gè)系統(tǒng)。的質(zhì)量直接影響了太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。到的問(wèn)題及解決方案作了詳盡的論述。

　　

【正文】 曲度增大，帶砂能力下降，切割能力降低。從而出現(xiàn)線痕片等。 鋼線張力過(guò)大，懸浮在鋼線上的碳化硅微粉就會(huì)難以進(jìn)入鋸縫，切割效率降低，出現(xiàn)線痕片等，并且斷線的幾率很大。 如果當(dāng)切到膠條的時(shí)候，有時(shí)候會(huì)因?yàn)閺埩κ褂脮r(shí)間過(guò)長(zhǎng)引起偏離零點(diǎn)的變化，出現(xiàn)崩邊等情況。 工件的進(jìn)給速度 工件的進(jìn)給速度與鋼線速度、砂 漿的切割能力以及工件形狀在進(jìn)給的不同位置等有關(guān)。工件進(jìn)給速度在整個(gè)切割過(guò)程中，是由以上的相關(guān)因素決定的，也是最沒(méi)有定量的一個(gè)要素。但控制不好，也可能會(huì)出現(xiàn)線痕片等不良效果，影響切割質(zhì)量和成品率。 硅片（多晶硅）切割工藝及流程 21 hctb6 切片機(jī)開(kāi)機(jī)準(zhǔn)備 “睡 .氣 .漿料閥”打開(kāi)。 “ on上。 ，點(diǎn)擊箭頭所指（ I/O)鍵。 ，使其呈下凹狀態(tài)。 。 ，并連接好沙漿管道。 ，將線網(wǎng)表面的雜質(zhì)拍除干凈。 ，并將過(guò)濾網(wǎng)取出。 ，待轉(zhuǎn)預(yù)清理。 ，再次檢查切割室里是否有碎片，并將其清除。 ，并用水清理干凈。 。 。 ，并用壓縮空氣吹干。 。并用壓縮空氣吹干。 “ bypass”位置 ，使其成凸起狀。 硅片（多晶硅）切割工藝及流程 22 ，用燈照明，觀察線網(wǎng)位置，看硅塊是否完全切透（若未切透，應(yīng)根據(jù)線網(wǎng)位置加切）。 ，在彈出的框中輸入值，范圍在“玻璃區(qū) 5mm/min” 。硅片區(qū) 1030mm/min” . ，點(diǎn)擊硅塊上升鍵，工作臺(tái)將緩慢上升。 ，依次點(diǎn)擊“左上，右上，左下，右下”工作臺(tái)氣壓鍵。依次取下“左上，右上，左下，右下”托板 壓緊固定塊。 ，有兩人將上下工作臺(tái)硅塊取出，并裝好例一邊的插桿。小心將硅塊放入預(yù)清洗架內(nèi)，并在托板上標(biāo)好硅塊位置，用同樣的方式將硅塊逐一取出，取出之后放入裝滿 PEG的車(chē)內(nèi)，隨工單一起送入預(yù)清洗。 ，包裝紙上的箭頭表示放線的方向。 ，選擇直徑與長(zhǎng)度均符合工藝要求的鋼線。 ，并保持包裝紙上的方向朝下。 （箭頭所指方向?yàn)榉啪€方向） ，將其推入到位。 硅片（多晶硅）切割工藝及流程 23 合。 。 。 ，（放線輪為 180N） （出現(xiàn)響聲）。 ，將收線輪轉(zhuǎn)動(dòng)半圈，再用定位器固定。 ，直到聽(tīng)見(jiàn)扳手轉(zhuǎn)動(dòng)聽(tīng)見(jiàn)聲響，在進(jìn)行兩次同樣的轉(zhuǎn)動(dòng)放線輪半圈的操作。 。 。 “高限位”在 彈出的框中輸入值（輸入值 =新線總長(zhǎng) 5km) 。 ，將切割室上方的噴嘴取下。 （靠繞線室側(cè)）將膠布反面導(dǎo)輪偏左側(cè)引入反面纏繞在導(dǎo)輪上，膠布要拉緊，將膠布纏繞 34圈。 。 ，并在線頭上再粘上膠布，并確保粘接牢固。 ，點(diǎn)擊操作界面無(wú)鋼線模式。 24方法，在膠布纏繞住頂層膠布的同時(shí)，一邊再用膠布纏繞住硅片（多晶硅）切割工藝及流程 24 鋼線。 ，再將線慢 走 56圈。 。 ，用手順時(shí)針慢速轉(zhuǎn)動(dòng)導(dǎo)輪運(yùn)行控制器。 （約 5mm)，再次控制導(dǎo)輪以合適的布線速度運(yùn)行。 ，從 d導(dǎo)輪的第一槽開(kāi)始。 。 。 1mm左右時(shí)，停止轉(zhuǎn)動(dòng)。 ，用刀片把膠布將線網(wǎng)壓緊。 。 ，看線 頭是否會(huì)散開(kāi)。 。 ，確保所有門(mén)為鎖好狀態(tài)。 “ SAFE”位置。 。 ，并根據(jù)要切硅塊長(zhǎng)度設(shè)定跑線長(zhǎng)度（一般為 2800m）。 812m/s，點(diǎn)擊屏幕是導(dǎo)輪自動(dòng)跑線。 。 ，將電腦控制屏下方的鎖鍵打在“ bypass”位置。 硅片（多晶硅）切割工藝及流程 25 ，使其呈上凸?fàn)顟B(tài)。 的左端測(cè)量線網(wǎng)，在刻度為 280mm 處用小刀取出一根鋼線。 ，同時(shí)用手指壓住上面鋼線，避免鋼線松動(dòng)。 ，取出前半段線網(wǎng)線頭，將線引向收線輪。 ，并將線掛上滑輪。 。 ，將線頭引向放線輪。 。 ，使鋼線與導(dǎo)輪槽水平無(wú)夾角。 。 ，修剪線頭，使 其為 長(zhǎng)，轉(zhuǎn)動(dòng)線頭一圈或一圈半，使線頭朝出線口方向。 ，確認(rèn)線網(wǎng)是否認(rèn)朝出線口方向，可將線接的頭壓入線網(wǎng)。 。 ，是所有門(mén)鎖住，將鎖門(mén)鍵打在“ safe”位置。 ，將跑線長(zhǎng)度設(shè)定為（一般為 20xx 米），將跑線速度設(shè)定為 812m/s,使導(dǎo)輪自動(dòng)跑線，跑線期間可打開(kāi)觀察窗口檢查線頭是否散開(kāi)或線網(wǎng)散亂。 ，將鎖門(mén)鍵打在“ bypass”位置，點(diǎn)擊主界面上的硅片（多晶硅）切割工藝及流程 26 鎖門(mén)鍵，使其呈上凸?fàn)顟B(tài)，打開(kāi)切割室 門(mén)，并剪去多余的鋼線。 ，使鋼線與導(dǎo)輪槽垂直。 ，將引進(jìn)的線頭與收線輪的線頭打結(jié)，并將線掛上導(dǎo)輪，打開(kāi)左收線輪小張力。 ，觀察鋼線有無(wú)跳線，將左右張力都打向大張力，在大張力喜愛(ài)跑線（ 100m500m）左右，確認(rèn)無(wú)跳線。 選取硅塊 :確定托板上硅塊之間的縫隙呈上窄下寬型，且單個(gè)硅塊呈“側(cè)梯形”。 :確定托板上的硅塊與玻璃面平行，無(wú)左右偏離。 。 否符合分線網(wǎng)要求。 ，凡不符合上述要求的硅塊不能切割。 、邊上、中間的微粒物質(zhì)及膠等。 ，并用小車(chē)緩慢運(yùn)至切片機(jī)外。 6 根砂漿噴嘴徹底清理干凈，并用壓縮氣體吹干。 A B 硅片（多晶硅）切割工藝及流程 27 C D 空氣壓縮鍵，依次裝入硅塊，硅塊裝好后觀察確認(rèn)，硅塊不會(huì)觸碰砂漿噴嘴。 ，復(fù)位后設(shè)定 1mm,然后再次復(fù)位，最后將硅塊升高 1020mm。 ，關(guān)閉所有門(mén)，將鎖門(mén)鍵打上使呈下凹狀態(tài)，點(diǎn)擊安全門(mén)鎖，點(diǎn)擊信息欄，確認(rèn)報(bào)警列表中只顯示鎖門(mén)鍵未到位。如未達(dá)到要求，檢查安全門(mén)是否關(guān)緊。 “ safe”位置，在所有要求符合切割條件后，開(kāi)始熱機(jī)。 7，熱機(jī)自動(dòng)停止后，打開(kāi)安全門(mén)檢查是否有跳線，（如有，貼膠布排線）沒(méi)有就關(guān)門(mén)，所有要求符合后開(kāi)始切割。 第五章．切片切割操作中遇到的問(wèn)題及解決方案 跳線的產(chǎn)生 在排線的過(guò)程中，經(jīng)常會(huì)遇到產(chǎn)生跳線的現(xiàn)象，導(dǎo)致排線的時(shí)間延長(zhǎng)又增加勞力，產(chǎn)生跳線的原因主要是線網(wǎng)沒(méi)有拍干 凈、導(dǎo)輪沒(méi)有吹刮干凈，或者是膠布沒(méi)有貼好產(chǎn)生線松開(kāi)。所以在排線網(wǎng)的時(shí)候一定要注意要拍干凈，同時(shí)要注意不要太重以免臟東西拍到噴嘴上，熱機(jī)的時(shí)候容易產(chǎn)生跳線。膠布也一定要貼緊。 斷線的原因分析及解決 斷線是件頭疼的事情，斷線的原因有很多：線結(jié)沒(méi)打好；滑輪磨壞嚴(yán)重；線重合摩擦嚴(yán)重；跑線的時(shí)候忘記開(kāi)張力等等。所以在操作硅片（多晶硅）切割工藝及流程 28 過(guò)程中每一個(gè)細(xì)節(jié)都要十分小心，才能在最短的時(shí)間內(nèi)最好的完成。 線痕的產(chǎn)生 線痕的產(chǎn)生是十分可惜的，因?yàn)榈搅俗詈笠徊剑丫€排好，沒(méi)跳線、中間沒(méi)有線重合擠壓是減少線痕的最佳辦法。 切片操作過(guò)程中的注意事項(xiàng) 、裝硅塊、取片的時(shí)候都要小心，防止人受傷或硅塊、硅片受損。 ，如果有磨損要換新的。 ，防止跑線的時(shí)候松動(dòng)散開(kāi)。 ，要不會(huì)斷線。 ，沒(méi)裝好就開(kāi)始熱機(jī)會(huì)造成砂漿噴出，造成不必要的麻煩。 參考文獻(xiàn) [1] 車(chē)孝軒 .太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)概念 .湖北：武漢大學(xué)出版社 [2]Martin , Keith Cell Efficiency Tables(Version30).: 硅片（多晶硅）切割工藝及流程 29 致 謝 本論文是在導(dǎo)師陳勇老師的悉心指導(dǎo)和關(guān)懷下完成的。感謝陳勇老師對(duì)我的辛勤培育。從論文的立題到實(shí)驗(yàn)的設(shè)計(jì)以及論文的撰寫(xiě)整個(gè)過(guò)程無(wú)不浸透著老師的硅片（多晶硅）切割工藝及流程 30 心血。他廣博的學(xué)識(shí)，嚴(yán)肅的科學(xué)態(tài)度，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)精神，靈活的思維方式，耐心細(xì)致的言傳身教深深感染激勵(lì)著我，將使我終身受益。導(dǎo)師不但在學(xué)習(xí)上給予我耐心細(xì)致的指導(dǎo)，在生活中也給了我 關(guān)懷，這份師恩我將終身難忘。 同時(shí)感謝同組的張城龍同學(xué)在完成論文中給予的幫助。我們?cè)谶@幾個(gè)月的實(shí)驗(yàn)中互相討論、互相協(xié)作下建立深厚的感情有助于我們今后的工作和生活。另外，我要感謝在這幾年來(lái)對(duì)我有所教導(dǎo)的老師，他們孜孜不倦的教誨不但讓我學(xué)到了很多知識(shí)，而且讓我掌握了學(xué)習(xí)的方法，更教會(huì)了我做人處事的道理，在此表示感謝。我還要向我的同學(xué)們表示感謝，感謝 08光伏（ 8）班所有同學(xué)對(duì)我生活和學(xué)業(yè)上的關(guān)心和幫助。我為自己能夠在這樣一個(gè)溫暖和諧的班級(jí)體中學(xué)習(xí)工作，深感溫暖、愉快和幸運(yùn)。 最后向多年默默支持我和關(guān)心我，不斷給我 信心、支持我上進(jìn)，使我順利完成大學(xué)學(xué)業(yè)的家人，特別是我的父母，獻(xiàn)上我最真摯的謝意和最美好的祝福。