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半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展-資料下載頁(yè)

2025-02-26 08:37本頁(yè)面
  

【正文】 (L 10 nm, 20nm)? 低功耗? 最佳閾值電壓 (60 mV / decade)23FinFET24FinFET制造25FinFET制造2627FinFET 快閃存儲(chǔ)器7 : 浮 柵9: 控制 柵 極11: 柵 氧化物12: 柵電 極13: 半 導(dǎo) 體區(qū)14: 源 /漏28三、探討的問(wèn)題改進(jìn)型產(chǎn)品:集成電路布圖、含有計(jì)算機(jī)軟件的制造設(shè)備、印刷電路板( 1) 印刷電路板能否獲取專利保護(hù)(版權(quán)、外觀設(shè)計(jì)、商業(yè)秘密)?( 2)集成電路布圖能否獲取專利保護(hù)(集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例、版權(quán)、商業(yè)秘密)?( 3)含有計(jì)算機(jī)軟件的制造設(shè)備能否獲取專利保護(hù)?29( 1)印刷電路板能否獲取專利保護(hù)(版權(quán)、外觀、商業(yè)秘密)?申請(qǐng)文件如何表述?案例 1:權(quán)利要求30( 2)集成電路布圖能否獲取專利保護(hù)(集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例、版權(quán)、商業(yè)秘密)?申請(qǐng)文件如何表述?31案例 232( 3)含有計(jì)算機(jī)軟件的制造設(shè)備能否獲取保護(hù)?申請(qǐng)文件如何表述?33謝謝!34演講完畢,謝謝觀看!
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