半導(dǎo)體封裝流程(ppt45頁)-資料下載頁
2025-02-26 01:37本頁面
【正文】 olding Temp： 175~185176。 C； Clamp Pressure： 3000~4000N； Transfer Pressure： 1000~1500Psi； Transfer Time： 5~15s； Cure Time： 60~120s； Cavity L/F L/F Logo EOL– Molding（注塑） Molding Cycle 塊狀塑封料放入模具孔中 高溫下，塑封料開始熔化，順著軌道流向孔穴中 從底部開始，逐漸覆蓋芯片 完全覆蓋包裹完畢，成型固化 Logo EOL– Laser Mark（激光打字） 在產(chǎn)品（ Package）的正面或者背面激光刻字。內(nèi)容有：產(chǎn)品名稱，生產(chǎn)日期，生產(chǎn)批次等； Before After Logo EOL– Post Mold Cure（模后固化） 用于 Molding后塑封料的固化，保護(hù) IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)，消除內(nèi)部應(yīng)力。 Cure Temp： 175+/5176。 C； Cure Time： 8Hrs ESPEC Oven 4hrs Logo EOL– Deflash（去溢料） Before After 目的： 去溢料 的目的在于去除模具后在管體周圍引線之間 多余的溢料； 方法：弱酸浸泡，高壓水沖洗； Logo EOL– Plating（電鍍） Before Plating After Plating ? 利用金屬和化學(xué)的方法，在引線框架的表面 鍍上一層鍍層，以防止外界環(huán)境的影響（潮濕 和熱）。并且使元器件在 PCB板上容易焊接及 提高導(dǎo)電性。 ? 電鍍一般有兩種類型： PbFree：無鉛電鍍，采用的是 %的高純 度的錫（ Tin），為目前普遍采用的技術(shù)，符合 Rohs的要求； TinLead：鉛錫合金。 Tin占 85%， Lead占 15%，由于不符合 Rohs，目前基本被淘汰； Logo EOL– Post Annealing Bake（電鍍退火） 目的： 讓無鉛電鍍后的產(chǎn)品在高溫下烘烤一段時間，目的在于 消除電鍍層潛在的晶須生長的問題 。 條件： 150+/5C。 2Hrs； 晶須 晶須，是指錫在長時間的潮濕環(huán)境和溫度變化環(huán)境下生長出的一種須狀晶體，可能導(dǎo)致產(chǎn)品引腳的短路 。 Logo EOL– TrimForm（切筋成型） Trim：將一條片的引線框架切割成單獨(dú)的 Unit（ IC）的過程； Form：對切筋后的 IC產(chǎn)品進(jìn)行引腳成型，達(dá)到工藝需要求的形狀， 并放置進(jìn) Tube或者 Tray盤中； Logo EOL– TrimForm（切筋成型） Cutting Tool Forming Punch Cutting Die Stripper Pad Forming Die 1 2 3 4 Logo EOL– Final Visual Inspection（第四道光檢） Final Visual InspectionFVI 在低倍放大鏡下，對產(chǎn)品外觀進(jìn)行檢查。主要針對 EOL工藝可能產(chǎn)生的廢品：例如Molding缺陷，電鍍?nèi)毕莺蚑rim/Form缺陷等； Logo The End Thank You！ Introduction of IC Assembly Process Logo 演講完畢，謝謝觀看！
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