11電子探針分析-資料下載頁
2025-01-04 02:44本頁面
【正文】 線掃描 ， 可以很快顯示濃度與擴(kuò)散距離的關(guān)系曲線 ， 若以微米級(jí)逐點(diǎn)分析 ， 即可相當(dāng)精確地測定擴(kuò)散系數(shù)和激活能 。 第十章 電子探針顯微分析 (3) 面掃描分析 ? 聚焦電子束在試樣上作二維光柵掃描 ， X射線譜儀處于能探測某一元素特征 X射線狀態(tài) ， 用譜儀輸出的脈沖信號(hào)（ 用波譜儀時(shí)為經(jīng)放大的脈沖信號(hào) ， 用能譜儀時(shí) ， 為多道分析器的相應(yīng)于該元素 X射線能量通道輸出的信號(hào) ） 調(diào)制同步掃描的顯像管亮度 ， 在熒光屏上得到由許多亮點(diǎn)組成的圖像 ， 稱為 X射線掃描像或元素面分布圖像 。 第十章 電子探針顯微分析 ? 試樣每產(chǎn)生一個(gè) X光子 ， 探測器輸出一個(gè)脈沖 ， 顯像管熒光屏上就產(chǎn)生一個(gè)亮點(diǎn) 。 若試樣上某區(qū)域該元素含量多 ， 熒光屏圖像上相應(yīng)區(qū)域的亮點(diǎn)就密集 。 根據(jù)圖像上亮點(diǎn)的疏密和分布 ， 可確定該元素在試樣中分布情況 。 第十章 電子探針顯微分析 ? 在一幅 X射線掃描像中 ， 亮區(qū)代表元素含量高 ， 灰區(qū)代表元素含量較低 ， 黑色區(qū)域代表元素含量很低或不存在 。 第十章 電子探針顯微分析 (4) 定量分析 ? 在穩(wěn)定的電子束照射下 ， 由譜儀得到的 X射線譜在扣除了背景計(jì)數(shù)率之后 ， 各元素的同類特征譜線的強(qiáng)度值應(yīng)與它們的濃度相對(duì)應(yīng) 。 然而 ， 由譜線強(qiáng)度的直接對(duì)比只能對(duì)元素的相對(duì)含量作出粗略的估計(jì) ，即使通過強(qiáng)度的歸一化求得的濃度值 ， 最多也只能是 — 種半定量分析結(jié)果 ， 其誤差是相當(dāng)大的 。 第十章 電子探針顯微分析 ? 產(chǎn)生這種誤差的原因是：譜線強(qiáng)度除與元素含量有關(guān)外 ， 還與試樣的化學(xué)成分有關(guān) ， 通常稱為 “ 基體效應(yīng) ” ， 譜儀對(duì)不同波長 （ 或能量 ） 隨 X射線探測的效率有所不同 。 如何消除這些誤差 ， 這就是定量分析所要解決的問題 。 第十章 電子探針顯微分析 SEM+(WDS+EDS) 第十章 電子探針顯微分析 ? (1) 組分不均勻合金試樣的微區(qū)成分分析； ? (2) 擴(kuò)散對(duì)試樣中成分梯度的測定； ? (3) 相圖低溫等溫截面的測定； ? (4) 金屬／半導(dǎo)體界面反應(yīng)產(chǎn)物。 三 、 電子探針儀的應(yīng)用 第十章 電子探針顯微分析 (1) 組分不均勻合金試樣的微區(qū)成分分析 ? 利用背散射電子的原子序數(shù)襯度可以區(qū)別平均原子序數(shù)不同的區(qū)域 ， 但不能對(duì)具體的元素及其含量進(jìn)行分析 。 ? 利用 X射線光譜儀或能譜儀可以對(duì)微區(qū)成分進(jìn)行定量分析 ， 在鋼鐵等復(fù)相材料中相的鑒定和夾雜物分析中 ， 在鑄造合金的成分偏析的分析中得到了廣泛的應(yīng)用 。 ? 在厚試樣中 ， 由于電子散射范圍較大 ， 微區(qū)成分的空間分辨率約 1 ?m3， 在薄試樣中空間分辨率可達(dá) (10 nm)3。 第十章 電子探針顯微分析 微區(qū)成分分析 第十章 電子探針顯微分析 (2) 擴(kuò)散對(duì)試樣中成分梯度的測定 ? 不同成分的二種材料緊密接觸并加熱后形成擴(kuò)散對(duì) ，擴(kuò)散對(duì)試樣中的成分梯度可以沿?cái)U(kuò)散方向每隔幾個(gè) ?m進(jìn)行測定 ， 和擴(kuò)散方程的結(jié)果進(jìn)行對(duì)照后還可進(jìn)一步測定擴(kuò)散系數(shù) 。 第十章 電子探針顯微分析 (3) 相圖低溫等溫截面的測定 ? 合金的低溫等溫截面由于擴(kuò)散緩慢試樣成分不均勻很難測定 。 但是這種成分不均勻是宏觀范圍內(nèi)的不均勻 ， 在接觸的兩相界面兩側(cè)微觀范圍內(nèi) (1?m量級(jí) )成分還是均勻的 ， 并且達(dá)到了平衡狀態(tài) 。 利用薄試樣微區(qū)成分分析方法可以測定相互接觸的兩相的平衡成分 ， 從而測定低溫等溫截面 。 第十章 電子探針顯微分析 試樣中的成分 第十章 電子探針顯微分析 (4) 金屬／半導(dǎo)體界面反應(yīng)產(chǎn)物 ? 半導(dǎo)體 (硅 、 砷化鉀等 )上通常沉積金屬薄膜 (厚度約幾百 nm)并經(jīng)熱處理后形成歐姆接觸或肖特基接觸 。 ? 熱處理過程中 ， 在界面上常形成界面反應(yīng)產(chǎn)生的化合物 ， 利用薄的截面試樣可以測定這些厚度小于100 nm的化合物的成分 、 結(jié)構(gòu)以及界面平整度等 。 第十章 電子探針顯微分析 化合物的成分 第十章 電子探針顯微分析 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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