北京郵電大學微電子學基礎1-2微學1晶體結構和電子狀態(tài)-資料下載頁
2024-12-30 02:59本頁面
【正文】 入的能級稱為 缺陷能級 。 由雜質原子引起，在禁帶中引入的能級稱為 雜質能級 。 3，施主雜質和施主能級 雜質原子的電離過程 施主雜質：一個 V族原子摻入硅中，可以向硅提供一個自由電子，而本身成為帶正電的離子，通常稱這種雜質為施主雜質。 施主能級 (ED) 主要依靠導帶電子導電的半導體叫 n型半導體。 4，受主雜質和受主能級 空穴的電離過程 受主雜質： III族雜質原子在硅中能夠接受電子產生導電空穴，并成為負電中心，這類雜質原子稱為受主雜質。 主要依靠價帶中空穴導電的半導體稱為 p型半導體。 5，雜質的補償 半導體內同時含有施主雜質 ND和受主雜質 NA時，施主和受主在導電性能上有相互抵消的作用，通常稱它為雜質的補償作用。 經過補償后，半導體中的凈雜質濃度稱為有效雜質濃度(ND NA)。 6，淺能級和深能級雜質 淺能級 深能級 淺能級雜質 深能級雜質 同一種雜質可以在禁代中引入多個能級 7，電子的有效質量 晶體中的電子在綜合場中運動，電子的加速度應是半導體內部勢場和外力作用的綜合結果。 經典力學描述自由電子： F = m a 晶體中的電子： F = (∑m n ) a； (∑m n )代表了內部勢場的作用。 M n：電子有效質量； Mp：空穴有效質量 內層電子有效質量大；外層電子有效質量小，外力造成的加速度大。 有效質量可以為負值。 Mn，電子的有效質量 ∑ F=F外場 +F晶格 ∑ F=Ma F外場 +F晶格 =Ma F外場 =（ M F晶格 /a） a F外場 =mna 第一二章小結 半導體的晶體結構 原子中電子的能級 晶體中電子的能帶 半導體中雜質和缺陷的能級 Youxiaozhiliang 助教，作業(yè) 1 曹春艷 –手機： 13581534204 –郵箱： 張雅君 手機： 18811347688 郵箱： 作業(yè) 1：第 2章，習題 1，習題 5 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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