半導體硅片的化學清洗技術(shù)-資料下載頁
2025-08-05 20:49本頁面
【正文】 HFSC1 + 螯合劑4）.DHF的改進： DHF + 氧化劑（例HF+H2O2）DHF + 陰離子界面活性劑DHF + 絡合劑DHF + 螯合劑5）酸系統(tǒng)溶液： HNO3 + H2OHNO3 + HF + H2OHF + HCL6）.其它： 電介超純?nèi)ルx子水B. O3＋H2O清洗 1）.如硅片表面附著有機物，就不能完全去除表面的自然氧化層和金屬雜質(zhì)，因此清洗時首先應去除有機物。2）.據(jù)報道在用添加210 ppm O3 的超凈水清洗，對去除有機物很有效，可在室溫進行清洗，不必進行廢液處理，比SC1清洗有很多優(yōu)點。C. HF ＋ H2O2清洗1. 據(jù)報道用HF % + H2O2 10 %，在室溫下清洗，可防止DHF清洗中的Cu等貴金屬的附著。2. 由于H2O2氧化作用，可在硅表面形成自然氧化膜，同時又因HF的作用將自然氧化層腐蝕掉，附著在氧化膜上的金屬可溶解到清洗液中，并隨去離子水的沖洗而被排除。在APM清洗時附著在晶片表面的金屬氫氧化物也可被去除。晶片表面的自然氧化膜不會再生長。3. Al、Fe、Ni等金屬同DHF清洗一樣，不會附著在晶片表面。4. 對n+、P+ 型硅表面的腐蝕速度比n、p 型硅表面大得多，可導致表面粗糙，因而不適合使用于n+、P+ 型的硅片清洗。5. 添加強氧化劑H2O2（E0=），比Cu2+ 離子優(yōu)先從Si中奪取電子，因此硅表面由于H2O2 被氧化，Cu以Cu2+ 離子狀態(tài)存在于清洗液中。即使硅表面附著金屬Cu，也會從氧化劑H2O2 奪取電子呈離子化。硅表面被氧化，形成一層自然氧化膜。因此Cu2+ 離子和Si電子交換很難發(fā)生，并越來越不易附著。D. DHF ＋ 界面活性劑的清洗據(jù)報道在HF %的DHF液中加入界面活性劑，其清洗效果與HF + H2O2清洗有相同效果。E. DHF＋陰離子界面活性劑清洗據(jù)報道在DHF液，硅表面為負電位，粒子表面為正電位，當加入陰離子界面活性劑，可使得硅表面和粒子表面的電位為同符號，即粒子表面電位由正變?yōu)樨摚c硅片表面正電位同符號，使硅片表面和粒子表面之間產(chǎn)生電的排斥力，因此可防止粒子的再附著。F. 以HF / O3 為基礎的硅片化學清洗技術(shù)此清洗工藝是以德國ASTEC公司的AD(ASTECDrying) 專利而聞名于世。其HF/O3 清洗、干燥均在一個工藝槽內(nèi)完成,。而傳統(tǒng)工藝則須經(jīng)多道工藝以達到去除金屬污染、沖洗和干燥的目的。在HF / O3清洗、干燥工藝后形成的硅片H表面 (Hterminal) 在其以后的工藝流程中可按要求在臭氧氣相中被重新氧化.五. 總結(jié)1. 用RCA法清洗對去除粒子有效，但對去除金屬雜質(zhì)Al、Fe效果很小。2. DHF清洗不能充分去除Cu，HPM清洗容易殘留Al。3. 有機物，粒子、金屬雜質(zhì)在一道工序中被全部去除的清洗方法，目前還不能實現(xiàn)。4. 為了去除粒子，應使用改進的SC1液即APM液，為去除金屬雜質(zhì)，應使用不附著Cu的改進的DHF液。5. 為達到更好的效果，應將上述新清洗方法適當組合，使清洗效果最佳。
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