半導(dǎo)體膜厚缺陷測試技術(shù)-資料下載頁
2025-05-12 18:05本頁面
【正文】 之后的離子污染。另外，C－ V特性測試提供了柵氧化層完整性的形（ GOI），包括介質(zhì)厚度、介電常數(shù)（ k）、電極之間硅的電阻率（表征多數(shù)載流子的濃度）以及平帶電壓。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 測量學(xué)和缺陷檢查 37 理解柵氧特性的理想模型是平行板電熱器。在 C－ V測試時，氧化層和硅襯底等效為串聯(lián)電容（見圖）。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 測量學(xué)和缺陷檢查 38 C－ V測試 在 C－ V沾污測試中，使用專用的硅片模擬柵區(qū)的兩個串聯(lián)電容。柵氧化層上方金屬區(qū)域與氧化層下方輕摻雜的硅之間施加以可變電壓（見左圖）。在測試中畫出電容電壓的關(guān)系曲線（見右圖）。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 測量學(xué)和缺陷檢查 39 接觸角度 接觸角度儀用于測量液體與硅片表面的黏附性，并計算表面能或黏附性力。這種測量表征了硅片表面的參數(shù)，比如疏水性、清潔度、光潔度和黏附性（見圖所示）。在液滴與支撐表面之間形成的接觸（正切）角度與固 /液或液 /液界面的相互作用力相關(guān)，并能用于硅片測試規(guī)范或用做硅片質(zhì)量特性。直接角度測量法和間接尺寸測量法都可用于獲得高度精確和可重復(fù)的接觸角度的測量。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 測量學(xué)和缺陷檢查 40 分析設(shè)備 這些分析儀器提供高度精確的硅片測量，它們通常位于線外的實驗室，以解決生產(chǎn)問題。圖顯示了這些設(shè)備中一些首次使用的時間，以及每一種時如何重要或是如何計劃用于工藝開發(fā)或制造的。這些分析設(shè)備綜述如下： ?二次離子質(zhì)譜儀（ SIMS） ?飛行時間二次離子質(zhì)譜儀（ TOF－ SIMS） ?原子力顯微鏡（ AFM） ?俄歇電子能譜儀（ AES） ?X射線光電能譜儀（ XPS） ?透射電子顯微鏡（ TEM） ?能量和波長彌散譜儀（ EDX和 WDX） ?聚焦離子束（ FIB） 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 測量學(xué)和缺陷檢查 41 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 測量學(xué)和缺陷檢查 42 TOFSIMS：飛行時間二次離子質(zhì)譜儀 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 測量學(xué)和缺陷檢查 43 AFM：原子力顯微鏡 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 測量學(xué)和缺陷檢查 44 XPS： X射線光電能譜儀 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 測量學(xué)和缺陷檢查 45 TEM：透射電子顯微鏡 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 測量學(xué)和缺陷檢查 46 EDX：能量彌散譜儀 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 測量學(xué)和缺陷檢查 47 FIB：聚焦離子束 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 測量學(xué)和缺陷檢查 48 從一般概念上看，這樣的良品率是乎太低了。但是要知道，在極其苛刻的潔凈空間中，在 1/2平方英寸的芯片范圍內(nèi)，制作出 數(shù)百萬個微米數(shù)量級 的元器件 平面構(gòu)造 和 立體層次 ，就會覺得能夠生產(chǎn)出任何這樣的芯片是半導(dǎo)體工業(yè)了不起的成就了。 另外一個抑制良品率的重要方面是 大多數(shù)缺陷的不可修復(fù)性。 不象有缺陷的汽車零部件可以更換，這樣的機會對半導(dǎo)體制造來說通常是不存在的。缺陷芯片或晶園一般是不可修復(fù)的。在某些情況下 沒有滿足性能要求的芯片可以被降級處理做低端應(yīng)用。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 測量學(xué)和缺陷檢查 49 良品率測量點 生產(chǎn)工序 測量內(nèi)容晶圓產(chǎn)出數(shù)晶圓生產(chǎn)部門 品率 = 良 晶圓投入數(shù)合格芯片數(shù)晶圓電測 品率 = 良 晶圓上的芯片總數(shù)終測合格的封裝芯片數(shù)投入封裝生產(chǎn)線的合格芯片數(shù)封裝 品率 良 =主要良品率測量點現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 測量學(xué)和缺陷檢查 50 Thanks for listening
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