半導體技術(shù)應(yīng)用于太陽能-資料下載頁
2025-04-29 04:05本頁面
【正文】 藝。 四、快速的工藝調(diào)整 依靠中聯(lián)科利強大的技術(shù)力量支持，以及在濕制程方面積累的豐富經(jīng)驗，可迅速對不同廠商不同批次的硅片的作出工藝調(diào)整。 中聯(lián)科利太陽能制絨設(shè)備特點 CUC 低腐蝕量 穩(wěn)定的制絨工藝，全自動的操作系統(tǒng)，工藝的針對性，嚴格的工藝操作監(jiān)控手段等。 降低絨面制作對去損傷的要求，使得以更小的刻蝕量以獲得良好的絨面結(jié)構(gòu)。 刻蝕量： ~10181。m 中聯(lián)科利太陽能制絨設(shè)備特點 CUC 兼容性 采用不同的耐腐蝕及兼容性材料，提高材料對單多晶工藝的可兼容性。兩面風淋隔離，頂部外加潔凈單元，利用三面氣流的導向作用，迅速排放單多晶制絨所產(chǎn)生的腐蝕性氣體，避免了氣體的竄槽現(xiàn)象，解決了槽間的相互影響，從而實現(xiàn)單多晶工藝兼容。國內(nèi)設(shè)備大多沒有考慮到酸堿腐蝕隔離問題。 潔凈單元 兩面風淋隔離 溢流 腐蝕性氣體 中聯(lián)科利半導體技術(shù)優(yōu)勢在太陽能設(shè)備中的具體應(yīng)用 關(guān)鍵技術(shù) CUC ?先進的氣路控制系統(tǒng)： 在設(shè)備的頂部增加潔凈單元，利用氣流體的導向作用實現(xiàn)揮發(fā)的腐蝕性氣體以及生成氣體快速排放 潔凈單元 排風口（負壓） 溢流 傳統(tǒng)的制絨槽：排風口在頂部，堿性蒸氣易在壁上形成結(jié)晶，酸氣易形成粘稠 中聯(lián)科利先進的氣流控制系統(tǒng)，消除了酸堿蒸氣的影響 延長設(shè)備壽命 改善操作環(huán)境 增加潔凈度 避免二次污染 保證質(zhì)量 關(guān)鍵技術(shù) CUC 傳統(tǒng)的制絨設(shè)備采用簡單的自然溢流 我們的設(shè)備采用四周圓齒狀的結(jié)構(gòu)，消除了表面張力的影響，實現(xiàn)均勻溢流，循環(huán)無死角 普通的槽體設(shè)計 中聯(lián)科利的槽體設(shè)計 溢流 ?全溢流的循環(huán)槽體設(shè)計 關(guān)鍵技術(shù) CUC ?自動補液系統(tǒng)的應(yīng)用 預熱、恒溫、預混合的全自動補液系統(tǒng) 配合循環(huán)槽體可實現(xiàn)去除反應(yīng)產(chǎn)物的功能 保持藥液的最佳狀態(tài) 關(guān)鍵技術(shù) CUC ?自動補液系統(tǒng)的應(yīng)用 多點檢測 ，冷熱恒溫，管路加熱 全自動的補液循環(huán)系統(tǒng) 最優(yōu)的補液點控制 關(guān)鍵技術(shù) 日本資深專家嚴格的生產(chǎn)流程控制，潔凈的生產(chǎn)環(huán)境，使太陽能的設(shè)備具有半導體設(shè)備的品質(zhì)。選用滿足半導體要求的管件、材料。 CUC ?半導體優(yōu)良加工工藝的應(yīng)用 關(guān)鍵技術(shù) CUC ?高速伺服馬達 快速平穩(wěn)傳送、沖擊小 高效的生產(chǎn)效率 提高生產(chǎn)量 降低碎片率 關(guān)鍵技術(shù) 機械臂提升部整體包覆 PP板； 花籃掛鉤采用進口耐腐材料； 金屬框體外露部均有防腐包板。 CUC ?設(shè)備防腐措施 關(guān)鍵技術(shù) 采用 QDR技術(shù) 成倍提高清洗效果 CUC ?提高清洗效果的對策 快排時間： ≤5S 關(guān)鍵技術(shù) CUC ?防漏槽體的設(shè)計 防止了藥液對部件的腐蝕 提高設(shè)備的使用壽命 具備設(shè)備的自清洗功能 關(guān)鍵技術(shù) CUC ? PLC控制系統(tǒng) ,智能化的管理 根據(jù)不同廠商不同批次硅片，預設(shè)工藝控制方案。保證生產(chǎn)的系統(tǒng)性以及連續(xù)性，實現(xiàn)產(chǎn)能的最大化。 ? 設(shè)備的系統(tǒng)管理 生產(chǎn)過程的全程記錄，工藝偏離或設(shè)備異常的報警裝置，保證了生產(chǎn)的順利進行。 ? CIM通訊技術(shù)的應(yīng)用 實現(xiàn)工廠的遠程控制及自動化管理 LOGO
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