半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用于太陽能-wenkub
2023-05-14 04:05:57 本頁面
【正文】 中聯(lián)科利太陽能制絨設(shè)備 制絨設(shè)備工序流程（單 /多晶兼容） CUC 自動(dòng)上料 單晶粗拋 QDR 單晶制絨 1 單晶制絨2 QDR 單晶制絨3 單晶制絨4 QDR 多晶制絨 Overflow QDR HCl酸洗 QDR HF酸洗 QDR Overflow 慢提拉 /OF 熱 N2烘干 自動(dòng)下料 甩干機(jī) 中聯(lián)科利太陽能制絨設(shè)備特點(diǎn) 工藝的穩(wěn)定性 補(bǔ)液點(diǎn) 良品區(qū) 最佳工藝點(diǎn) 制絨量 上限 下限 制絨的影響因素： 濃度 溫度 時(shí)間 通過對各影響因素的分析確定最佳的工藝窗口區(qū)間，對各工藝點(diǎn)進(jìn)行有效控制。反應(yīng)過程放出巨大的熱量，控制好濃度、時(shí)間和溫度能達(dá)到良好的絨面效果。太陽能清洗技術(shù)對比 單晶硅太陽能電池清洗制絨技術(shù)： 利用堿性溶液對單晶硅不同晶面的腐蝕速率的差異，在硅片表面腐蝕出“金字塔”的絨面結(jié)構(gòu)。 CUC第三代清洗技術(shù)方案特點(diǎn) 風(fēng)淋室 無塵車間 CUC 中聯(lián)科利全系列半導(dǎo)體清洗設(shè)備 清洗設(shè)備 濕法清洗機(jī) 部件清洗機(jī) 藥液系統(tǒng) 硅片清洗 濕法刻蝕 RCA清洗 EKC清洗 SiN刻蝕 SiO2刻蝕 去膠 石英管清洗 花籃和金屬部件清洗 藥液供應(yīng)系統(tǒng) 廢液回收系統(tǒng) 輔助設(shè)備 (N2柜 甩干機(jī) 藥液槽 存儲柜等 ) CUC 半導(dǎo)體 amp。 潔凈單元 兩面風(fēng)簾 隔離 溢流 兩面風(fēng)簾隔離，頂部外加潔凈單元，利用三面氣流的導(dǎo)向作用，迅速排放反應(yīng)產(chǎn)生的腐蝕性氣體，避免了氣體的串槽現(xiàn)象。 高 適用批量生產(chǎn) 6~8寸芯片 第三代清洗設(shè)備 (自動(dòng)無花籃 帶有CIM通信功能 ) 無水痕殘留 ， 使用改良 RCA工藝清洗效果顯著 刻蝕后，厚度均一性好。 CUC 半導(dǎo)體濕法工藝面臨的挑戰(zhàn) 濕法工藝的發(fā)展焦點(diǎn)主要集中在 ： ? 降低缺陷率 ： 主要指 particle去除數(shù)目和效率； ? 選擇比 ： 根據(jù)化學(xué)藥液對不同材料的刻蝕速度不同來達(dá)到既刻蝕目標(biāo)又不損傷圖形、襯 底、或襯底上的薄膜（由藥液的種類改良而定）的目的； ? 表面處理的均一性 ； 濕法工藝面臨的挑戰(zhàn) ： ? 在半導(dǎo)體芯片集成度約來越高，線寬越來越小的情況下，如何無損傷去除顆粒是要面臨的關(guān)鍵問題； ? 傳統(tǒng)化學(xué)清洗藥液導(dǎo)致介電常數(shù)顯著變化和對薄膜結(jié)構(gòu)的構(gòu)成損傷 ，很難維持低 k材料的電介常數(shù)； ? 單片噴淋清洗設(shè)備在 12寸 IC芯片的制造過程中被廣泛使用，清洗效果好，無交叉污染問題及節(jié)省藥液 。18″ 4k(10μm) 256k (2μm) 16M () 256M () 4G (90nm) 64G (40nm) 16k( 6μm) 1M () 64M () 1G () 16G (65nm) (35nm) RCA清洗工藝 研發(fā)出來 RCA (SC1+SC2) 改良 RCA (SC1+SC2DHF+SC3) 機(jī)能水 (DIW+O3/NH3) 硅片的尺寸發(fā)展 CPU芯片發(fā)展 存儲器芯片發(fā)展 半導(dǎo)體清洗技術(shù) 發(fā)展 CUC 半導(dǎo)體清洗設(shè)備的發(fā)展趨勢 半導(dǎo)體清洗設(shè)備的發(fā)展是依據(jù)硅片尺寸變大及工藝技術(shù)的進(jìn)步而不斷提高的 : ?從手動(dòng)設(shè)備發(fā)展到自動(dòng)有花籃設(shè)備是為適應(yīng)工廠大批量生產(chǎn)； ?從自動(dòng)有花籃設(shè)備發(fā)展到自動(dòng)無花籃設(shè)備是為提高清洗效果； ?從自動(dòng)無花籃設(shè)備發(fā)展到
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