半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用于太陽能-在線瀏覽
2025-06-16 04:05本頁面
【正文】 產(chǎn) 6~8寸芯片 第三代清洗設(shè)備 (自動(dòng)無花籃 帶有CIM通信功能 ) 無水痕殘留 ， 使用改良 RCA工藝清洗效果顯著 刻蝕后，厚度均一性好。 CUC CUC第三代清洗技術(shù)方案特點(diǎn) 中聯(lián)科利的設(shè)備解決方案： 環(huán)境改良 氣流控制技術(shù)的應(yīng)用 （ 層流凈化系統(tǒng)和風(fēng)簾技術(shù) ）； 排風(fēng)口（負(fù)壓） 溢流 設(shè)備頂部設(shè)置潔凈單元，利用氣流的導(dǎo)向作用實(shí)現(xiàn)揮發(fā)的腐蝕性氣體及反應(yīng)生成氣體快速排放。 潔凈單元 兩面風(fēng)簾 隔離 溢流 兩面風(fēng)簾隔離，頂部外加潔凈單元，利用三面氣流的導(dǎo)向作用，迅速排放反應(yīng)產(chǎn)生的腐蝕性氣體，避免了氣體的串槽現(xiàn)象。 ℃ ，電子冷熱器內(nèi)部溫度控制精度達(dá)到 177。 CUC第三代清洗技術(shù)方案特點(diǎn) 風(fēng)淋室 無塵車間 CUC 中聯(lián)科利全系列半導(dǎo)體清洗設(shè)備 清洗設(shè)備 濕法清洗機(jī) 部件清洗機(jī) 藥液系統(tǒng) 硅片清洗 濕法刻蝕 RCA清洗 EKC清洗 SiN刻蝕 SiO2刻蝕 去膠 石英管清洗 花籃和金屬部件清洗 藥液供應(yīng)系統(tǒng) 廢液回收系統(tǒng) 輔助設(shè)備 (N2柜 甩干機(jī) 藥液槽 存儲(chǔ)柜等 ) CUC 半導(dǎo)體 amp。改良的 RCA用 SPM溶液 去 有機(jī)雜質(zhì)沾污，稀的 HF腐蝕表面生成的自然氧化膜。太陽能清洗技術(shù)對比 單晶硅太陽能電池清洗制絨技術(shù)： 利用堿性溶液對單晶硅不同晶面的腐蝕速率的差異，在硅片表面腐蝕出“金字塔”的絨面結(jié)構(gòu)。 CUC 半導(dǎo)體 amp。反應(yīng)過程放出巨大的熱量，控制好濃度、時(shí)間和溫度能達(dá)到良好的絨面效果。 CUC 半導(dǎo)體 amp。太陽能清洗設(shè)備要求對比 產(chǎn)能 清洗要求 藥液系統(tǒng) 自動(dòng)化程度 干燥方式 全自動(dòng) RCA 清洗設(shè)備 200片 /小時(shí) 顯著去除雜質(zhì)顆粒 有機(jī)殘余物 自動(dòng)補(bǔ)液 (以時(shí)間和批次控制 ) 高 IPA干燥 太陽能電池清洗制絨 1600~2000片 /小時(shí) 形成均勻金字塔結(jié)構(gòu)的絨面 自動(dòng)補(bǔ)液 (依據(jù)經(jīng)驗(yàn) ) 高 旋轉(zhuǎn)甩干 /熱N2烘干 太陽能電池清洗設(shè)備要求高產(chǎn)能 , 清洗后形成金字塔結(jié)構(gòu)的均勻絨面 半導(dǎo)體清洗設(shè)備要求潔凈度高，硅片表面殘余顆粒數(shù)少 CUC 應(yīng)用到太陽能清洗設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù) 半導(dǎo)體清洗技術(shù)在太陽能電池上的應(yīng)用 ?設(shè)計(jì)理念源于半導(dǎo)體設(shè)備要求 ?應(yīng)用第三代半導(dǎo)體清洗技術(shù) ?單晶多晶綜合型制絨設(shè)備 ?成熟的濃度溫度控制工藝，保證處理均一性 ?機(jī)械手定位精確、運(yùn)行平穩(wěn)，有效降低碎片率 ?運(yùn)用氣流控制技術(shù)，極大地減少污染 CUC 浙江紹興向日葵太陽能清洗案例 全 自 動(dòng) 制 絨 清洗 設(shè)備 設(shè)備參數(shù) ?設(shè)備尺寸： L18m x x ?硅片尺寸： (mm) (mm) ?生產(chǎn)能力： 1600片 /小時(shí) ?單晶制絨： 30min 8085℃ ?多晶制絨： 510min 2025℃ ?自動(dòng)補(bǔ)液： NaOH、 IPA、 Na2SiO HF、 HNO HCL、 DIW、 HOT DIW等 ?傳送速率： 200500mm/sec CUC 臥 式 石 英 爐 管 清 洗 機(jī) 浙江紹興向日葵太陽能清洗案例 CUC 設(shè)備參數(shù)
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