場效應晶體管-資料下載頁
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【正文】 M和極間電容。 第四節(jié) 輸出特性 轉(zhuǎn)移特性 2 4 6 8 10 12 14 16 0 uGS=0V 1 1 2 uDS(V) iD(mA) 2 2 4 6 8 10 12 iD(mA) 0 1 2 3 4 5 1 2 3 2 4 6 8 10 12 uGS(V) UP IDSS uDS=10V 2. N溝道耗盡型 MOS管 3. N溝道結(jié)型場效應管 uGS(V) iD(mA) 0 uDS=10V UP IDSS 2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=0V 2 3 1 uDS(V) iD(mA) 4 1 2 3 4 第四節(jié) 本 章 小 結(jié) 本章首先介紹了半導體的基礎(chǔ)知識，然后闡述了半導體二極管、雙極型晶體管（ BJT）和場效應管（ FET）的工作原理、特性曲線和主要參數(shù)。 一、 PN結(jié) 在本征半導體中摻入不同雜質(zhì)就形成 N型半導體與P型半導體，控制摻入雜質(zhì)的多少就可有效地改變其導電性，從而實現(xiàn)導電性能的可控性。 1. 雜質(zhì)半導體 第四章 將兩種雜質(zhì)半導體制作在同一個硅片（或鍺片）上，在它們的交界面處，擴散運動和漂移運動達到動態(tài)平衡，從而形成 PN結(jié)。 正確理解 PN結(jié)單向?qū)щ娦浴⒎聪驌舸┨匦?、溫度特性和電容效應，有利于了解半導體二極管、晶體管和場效應管等電子器件的特性和參數(shù)。 2. PN結(jié) 載流子有兩種有序的運動：因濃度差而產(chǎn)生的運動稱為擴散運動，因電位差而產(chǎn)生的運動稱為漂移運動。 半導體有兩種載流子：自由電子和空穴。 第四章 二、半導體二極管 一個 PN結(jié)經(jīng)封裝并引出電極后就構(gòu)成二極管。 二極管加正向電壓時，產(chǎn)生擴散電流，電流和電壓成指數(shù)關(guān)系；加反向電壓時，產(chǎn)生漂移電流，其數(shù)值很??；體現(xiàn)出單向?qū)щ娦浴? 特殊二極管與普通二極管一樣，具有單向?qū)щ娦?。利?PN結(jié)擊穿時的特性可制成穩(wěn)壓二極管。 IF、 IR、 UR和 fM是二極管的主要參數(shù)。 第四章 三、晶體管 晶體管具有電流放大作用。 當發(fā)射結(jié)正向偏置而集電結(jié)反向偏置時，從發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)的非平衡少子中僅有很少部分與基區(qū)的多子復合，形成基極電流，而大部分在集電結(jié)外電場作用下形成漂移電流 iC，體現(xiàn)出 iB（或 iE， uBE）對 iC的控制作用。此時，可將iC看作為電流 iB控制的電流源。 晶體管的輸入特性和輸出特性表明各級之間電流與電壓的關(guān)系， β、 α、 ICBO（ ICEO）、 ICM、 U(BR)CEO、 PCM和 fM是它的主要參數(shù)。 晶體管有截止、放大、飽和三個工作區(qū)域，學習時應特別注意使管子在不同工作區(qū)的外部條件。 第四章 四、場效應管 場效應管分為結(jié)型和絕緣柵型兩種類型，每種類型均分為兩種不同的溝道： N溝道和 P溝道，而MOS管又分為增強型和耗盡型兩種形式。 場效應管工作在恒流區(qū)時，利用柵 源之間外加電壓所產(chǎn)生的電場來改變導電溝道的寬窄，從而控制多子漂移運動所產(chǎn)生的漏極電流 iD。此時，可將 iD看作由電壓 uGS控制的電流源，轉(zhuǎn)移特性曲線描述了這種控制關(guān)系。 gm、 UT或 UP、 IDSS、 IDM、 U(BR)DS、 PDM和極間電容是它的主要參數(shù)。 和晶體管類似，場效應管有截止區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)三個工作區(qū)域。 第四章
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