【正文】 膠”雙層掩模掩蔽反應離子刻蝕鋁，突破了常規(guī)干法刻蝕鋁的厚度限制，實現(xiàn)了厚達6μm的鋁，顯著減小了電感的串聯(lián)電阻和提高了品質因數(shù)；　?。?）采用上述自主開發(fā)的局部介質增厚技術和超厚鋁技術，在高阻SOI襯底上制作的2/5/，性能處于同類工藝（兩層鋁布線、高阻襯底）的當時國際領先水平，圖18～圖19為電感結構示意圖和芯片照片?！　　　　　。?）研制了緩變溝道摻雜的射頻SOINMOS器件。其結構和工藝完全兼容于LDMOS器件，；　　（5）研制了SOILDDNMOS器件。，具有優(yōu)良的直流及射頻性能；，處于當時國內領先水平；　?。?）針對薄柵氧LDMOS難于制作自對準硅化物的問題，開發(fā)了“氧化硅/氮化硅”雙層復合側墻基礎上的自對準硅化物新技術，成功地用于制作薄柵氧、薄膜SOILDMOS器件硅化物，使不同柵長的LDMOS器件截止頻率提高了27%42%，最高振蕩頻率提高了14%22%。，，達到當時的國際先進水平；　　圖20一種SOI射頻集成電路剖視圖　?。?）采用上述開發(fā)的新技術和器件結構，在單層多晶硅、包含了功率MOS、NMOS、電感、電容、電阻及MOS變容管等多種有源和無源器件，圖20為一種SOI射頻集成電路剖視圖?！　。骸　。?）清華大學和中芯國際（上海），其主要技術特點為：，，共28層光刻版。，典型字節(jié)編程速度為8V/10ms，塊擦除速度為5ms，擦寫疲勞可靠性105擦寫循環(huán)，室溫和150℃下數(shù)據(jù)保持可靠性10年。該工藝技術具有單元面積小、工藝簡單、成本低、讀取速度高、可靠性好、適宜更小線寬工藝兼容等優(yōu)點；　?。?），聯(lián)合承擔單位合作成功開發(fā)出4M位SONOS存儲器IP硬核（THESM040M）。該IP核芯片具有多區(qū)塊劃分、內置編程和擦除算法、自動掛起和恢復操作功能、內部狀態(tài)監(jiān)控功能、靈活的區(qū)塊保護設置、功耗管理功能、異步分頁讀取模式及內建自測試等多種功能模式；芯片采用內部高壓電路功耗管理、新型陣列結構、反向編程正向讀取技術和讀取靈敏放大電路等多項專利技術，實現(xiàn)了低壓低功耗操作及高速讀取。，編程速度為10181。s，讀取速度40ns。該IP核芯片在嵌入式MCP、智能卡、PDA、機頂盒和各種消費類電子產品等產品領域有廣闊的應用前景；　　　　　?。?）在上述技術基礎上，、4M位特種應用快閃存儲器芯片和65nm/128MbNOR型快閃存儲器芯片等系列成果。；　?。骸　。?）提出了多種可集成的創(chuàng)新型功率MOS器件結構，包括具有緩沖層、復合場極板及內置場限環(huán)的三維高壓MOS結構等，對硅基工藝下的器件擊穿電壓、導通電阻、安全工作區(qū)等關鍵技術指標獲得突破性提升；　　（2）首次提出了體硅100VCDMOS和200～800V外延高低壓兼容的BCD集成工藝技術，具有工藝穩(wěn)定性高、兼容性好、成本低等優(yōu)勢，使這些新型器件適用于多種功率MOS集成電路的量產；　?。?）首次提出了一種帶有緩沖級的新型低功耗高低壓轉換電路，使功率集成芯片功耗降低20％以上；　?。?）提出了多種功率MOS集成電路可靠性和良率控制技術，包括消除集成工藝中復用光刻板套準誤差影響的技術和功率MOS集成電路抗閂鎖效應技術等；　?。?）在國際上首次提出SOI（SilicononInsulator）基高壓器件的介質場EI增強理論；　?。?）首次提出硅基高壓器件體內場降低理論。上述理論及技術與傳統(tǒng)“表面場優(yōu)化”技術相對應，稱之為“體內場優(yōu)化”技術；　?。?）基于背柵場控效應，降低SOI橫向高壓器件體內高場區(qū)電場，提高體內低場區(qū)電場，以優(yōu)化體內場分布，突破習用結構的縱向耐壓限制，提高SOI橫向高壓器件的擊穿電壓；　?。?）基于體內場優(yōu)化理論，提出場氧注入IFO（ImplantationafterFieldOxide）技術，解決薄層SOI高壓器件穿通擊穿難題；　?。?）發(fā)明了系列高壓半導體器件新結構和功率集成電路產品?！　　　　　　　?　　　　四、集成電路封裝　　近十年來，我國集成電路封裝產業(yè)始終保持著強勁的增長勢頭。以2010年統(tǒng)計數(shù)據(jù)為例，%，在集成電路設計、芯片制造和封裝測試三大產業(yè)中，封裝測試業(yè)的規(guī)模仍然保持最大，%。在第五屆（2010）年中國半導體創(chuàng)新產品和技術的評比中，封裝測試業(yè)有四個產品入圍，同時國家重大科技專項的實施加快了集成電路封裝產業(yè)的技術創(chuàng)新步伐，為其發(fā)展增添了活力。　　目前國內封裝測試企業(yè)仍主要集中于長江三角洲、珠江三角洲和京津環(huán)渤海灣地區(qū)，中西部地區(qū)因國家政策扶持引導，區(qū)位優(yōu)勢逐步顯現(xiàn)，對內外資企業(yè)的吸引力不斷增強。長三角洲地區(qū)仍是外資、臺資封裝測試企業(yè)在中國大陸的主要聚集地，但近幾年來，因土地、人力、能源等運營成本不斷提升，對外資封測企業(yè)的吸引力在減弱。長三角地區(qū)，歐美日資本在退出封裝測試業(yè)，而韓國、臺灣地區(qū)的資本在大規(guī)模進入，總體分布情況變化不大，數(shù)量有少量增加?！　?jù)統(tǒng)計，2010年底，國內有一定規(guī)模的集成電路封裝測試企業(yè)有79家，其中本土企業(yè)或內資控股企業(yè)23家，其余均為外資、臺資及合資企業(yè)。目前，國內外資IDM型封裝測試企業(yè)主要封測自己的產品，OEM型企業(yè)所接訂單多為中高端產品；而內資封裝測試企業(yè)的產品已由DIP、SOP等傳統(tǒng)低端產品向QFP、QFN/DFN、BGA、CSP等中高端產品發(fā)展，而且中高端產品的產量與規(guī)模不斷提升。表1是國內集成電路封裝測試業(yè)統(tǒng)計表，表2是國內封裝測試企業(yè)的地域分布情況。　　　　就封裝形式來講，國內市場仍以SOP（SSOP、TSOP）、QFP（LQFP、TQFP）等中低端產品為主，但隨著平板電視、信息家電和3G手機等消費及通信領域技術的迅猛發(fā)展，國內集成電路市場對中高端電路產品的需求不斷增加，集成電路設計公司和整機廠對MCM（MCP）、QFN/DFN、BGA、CSP、3D、SiP、WLP和FC等中高端封裝技術產品的需求明顯增強。隨著三網(wǎng)融合、物聯(lián)網(wǎng)及TDSCDMA(3G手機標準)與CMMB（中國移動多媒體廣播）兩大自主標準與技術的進一步融合與發(fā)展，先進封裝產品的市場需求將穩(wěn)步增長?！　闈M足歐盟RoHS、WEEE及中國《電子信息產品污染控制管理辦法》等指令的要求，無鉛化電鍍、綠色樹脂等技術已廣泛使用，無鉛產品已是集成電路產品的主流。同時，因黃金、銅等有色金屬價格的不斷攀升，合金絲（金基、非金基）及矩陣式框架等低成本技術的研究日趨活躍，部分批量生產的產業(yè)化技術趨于成熟，各公司正大力推廣此類降低成本的技術，以保證企業(yè)有足夠的市場競爭力?！　〗鼛啄辏瑖鴥燃呻娐贩庋b測試企業(yè)技術創(chuàng)新方面又有突破。不斷研發(fā)、持續(xù)投入，創(chuàng)新封測技術及產品已是業(yè)界共識。通富微電、長電科技等企業(yè)在多圈陣列四邊無引腳封測、高密度BUMP、雙層線路WLCSP，多芯片封裝（MCP）等技術領域取得了新的成果，部分產品已開始量產。在中國半導體行業(yè)協(xié)會、中國電子報等聯(lián)合舉辦的“第五屆（2010年度）中國半導體創(chuàng)新產品和技術”評選活動中，長電科技、通富微電等單位的四項技術成功入選?！　?　　當前，在工藝技術發(fā)展和電子系統(tǒng)需求的雙重驅動下，系統(tǒng)級封裝（SiP，SysteminPackage）成為未來封裝技術和系統(tǒng)集成的主流技術路線之一，國際半導體技術藍圖（ITRS）2003年即明確將SiP列為了半導體技術的重要發(fā)展趨勢。ITRS在上述白皮書中表述的關于未來半導體技術發(fā)展的基本判斷中包括：延續(xù)摩爾定律（MoreMoore）、擴展摩爾定律（MorethenMoore,MtM）和超越CMOS（BeyondCMOS）是三個主要的發(fā)展方向。半導體技術發(fā)展必須滿足未來高性能、低功耗、小型化、異質工藝集成、低成本的系統(tǒng)需求，單純依靠芯片系統(tǒng)（SoC，SystemonChip）已經難以實現(xiàn)和滿足這樣的需要，因此與SoC互補，在封裝層次完成系統(tǒng)集成是一個現(xiàn)實的解決方案。SiP和SoC兩者的充分結合將是未來高附加值集成電子產品的主要解決方案?！　≡赟iP成為熟知的概念之前，多芯片模塊（MCM）曾經作為重要的技術方向被關注，但是由于當時所處的環(huán)境和技術的成熟度，導致了良率上存在較多的問題，因此沒有廣泛應用。自2000年以來，系統(tǒng)級封裝（SiP）作為一種新的集成方法成為了封裝領域關注的一個焦點。作為一項先進的系統(tǒng)集成和封裝技術，SiP具有一系列獨特的技術優(yōu)勢，滿足了當今電子產品高性能、多功能以及更輕、更小和更薄的發(fā)展需求，具有廣闊的應用市場和發(fā)展前景?！　】上驳氖?，在國家相關政策的支持下，尤其是2009年以來在國家科技重大專項（如02專項）的支持下，國內骨干的集成電路封裝企業(yè)（如長電科技、南通富士通、天水華天、華潤安盛等）在先進封裝技術的開發(fā)、儲備、應用上得到了長足發(fā)展，在某些方面開始對國際封裝企業(yè)巨頭開始形成了挑戰(zhàn)。國內的研究機構在多年堅持跟蹤國際研究動態(tài)的基礎上，結合國內產業(yè)的現(xiàn)狀，在緊密聯(lián)系產業(yè)界的同時，也提出了在SiP技術領域的研究方向。國內信息產業(yè)的一些重要的集成制造商（如華為、中興通訊、聯(lián)想、國民技術等）在產品系統(tǒng)集成的過程中，不斷面臨著SiP技術落后的障礙，因而對系統(tǒng)級封裝有著巨大的需求?！　∨c國際上的情況一樣，系統(tǒng)集成制造商和芯片設計企業(yè)對系統(tǒng)級封裝的需求是封裝企業(yè)在SiP技術開發(fā)方面的推動力。中興通訊、華為技術、聯(lián)想科技等大型終端產品企業(yè)對SiP技術的也有較多需求。華為技術、中興通訊這類通信設備廠家需要SiP技術的產品包括：DDR內存集成、基站RF多頻模組、手機上網(wǎng)卡、手機基帶與射頻、電源管理芯片集成等。聯(lián)想科技在手機上網(wǎng)卡、手機基帶與射頻、電源管理芯片集成、MCU和電源管理芯片集成等方面有SiP需求。華為、中興、聯(lián)想等終端產品企業(yè)產品定位在國際一線市場，對SiP技術的需求一直跟隨國際最新的發(fā)展趨勢，在國內是最先進行技術研究和產品嘗試的企業(yè)；國民技術、展訊通訊、中星微電子等企業(yè)產品定位在國內中低端市場，更多借用國外量產技術進行二次創(chuàng)新的方式來完成積累，技術方向主要由本土市場來驅動?！　鴥裙歉煞庋b企業(yè)近年來發(fā)展迅速，在先進封裝技術開發(fā)上投入了大量的力量，在圓片級凸點技術、應用于CMOSImageSensor封裝的TSV技術等方面已經具備了和世界級封裝企業(yè)競爭的實力，正處在“全面趕上、局部突破”的關鍵發(fā)展階段。　　長電科技/長電先進、南通富士通（通富微電）、天水華天等企業(yè)均在系統(tǒng)級封裝及測試領域展開了研發(fā)。這些企業(yè)已經可以提供WaferBumping的服務，硅通孔（TSV）技術也已取得一些專利成果并開始產業(yè)化過程。在系統(tǒng)級封裝的選型、封裝設計、封裝模型電性參數(shù)提取、SI/PI分析服務方面我國企業(yè)也已經積累了一些重要經驗?！　￠L電科技目前的主要SiP封裝產品為存儲卡、智能卡、安全芯片、MEMS和DDR內存驅動等，其在2010年給國民技術設計的用于移動支付的RFIDmicroSD卡，集成了6顆芯片、20顆電容電阻和晶振，已經可以量產。南通富士通（通富微電）能夠提供從系統(tǒng)設計、電仿真、熱力模擬到產品封裝、測試的完整解決方案與產業(yè)鏈服務模式，其產品包括CMMB模塊、電源模塊等。天水華天在SiP方向采取低投入跟隨型戰(zhàn)略已經在試產RFSIM數(shù)據(jù)卡和sidebysideLGASiP封裝的產品。　　國內在先進封裝技術方面的研究工作有多年的歷史，在封裝材料界面機理、封裝工藝過程和裝備原理等方面多家研究所和大學都開展過多方面的工作?！　≡谙冗M封裝技術方面，國內多家大學和研究所在金屬基封裝材料、無鉛焊料性能與機理、封裝的仿真與模擬等方面開展了基礎性和應用性的研究。在系統(tǒng)級封裝領域主要的研究力量包括中科院微電子所、中科院微系統(tǒng)所、清華大學、北京大學、復旦大學、華中科技大學、上海交通大學、中電13所等機構?！　〗陙懋a業(yè)發(fā)展迅速，對先進技術的需求強烈，產業(yè)自發(fā)投入資源開始技術研發(fā)，在設備條件等方面已經領先于研究機構。因此目前國內的研究機構一方面在基礎研究上繼續(xù)開展工作，另一方面都與產業(yè)內的骨干企業(yè)建立了戰(zhàn)略合作?！凹呻娐犯呙芏确庋b國家工程實驗室”（發(fā)改委支持）、“集成電路封測產業(yè)鏈技術創(chuàng)新聯(lián)盟”（02專項支持）、“中科華天西鈦先進封裝聯(lián)合實驗室”（企業(yè)支持）、TSV聯(lián)合攻關體（企業(yè)支持）等聯(lián)合機構的建立，是研究機構（研究所、大學）在系統(tǒng)級封裝的研究為產業(yè)服務的表現(xiàn)。在國家02專項的支持下，中科院微電子所聯(lián)合多家研究機構（中南大學、清華大學、復旦大學、北京大學、華中科技大學、中科院深圳先進技術研究院、中科院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所、東南大學），以“高密度三維系統(tǒng)級封裝的關鍵技術研究”為主題，重點開展了系統(tǒng)級封裝的設計方法研究、可靠性和可制造性基礎研究、三維集成封裝的關鍵技術研究和多功能化集成系統(tǒng)實現(xiàn)方法等研究工作，成為國內系統(tǒng)級封裝研究的主要團隊。目前在系統(tǒng)級三維封裝設計、混合信號芯片的測試方法、TSV關鍵工藝等方面有顯著突破。中科院微電子所組織國內相關的企業(yè)和研究機構，成立了針對TSV技術的聯(lián)合攻關體，更多的研究機構（上海交通大學、浙江大學、中國科技大學、哈爾濱工業(yè)大學、北京工業(yè)大學、西安電子科技大學等）也加入到系統(tǒng)級封裝的研究中。來源:中國半導體行業(yè)信息網(wǎng)37 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