有機電子學(xué)思考題及答案1-資料下載頁
2025-06-19 03:57本頁面
【正文】 有機材料中，激子的擴散長度在幾百個197。之內(nèi)。35. 給出靜電復(fù)印的功能結(jié)構(gòu)層，指出其中的有機材料及其作用。結(jié)合示意圖，簡述靜電復(fù)印的工作原理。（P117附）36. 將材料根據(jù)導(dǎo)電性的不同進(jìn)行分類，并指出每一類的能隙特點。根據(jù)導(dǎo)電性的不同，可將材料分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體、超導(dǎo)體四類。從能帶理論角度，能隙5eV的材料通常稱為絕緣體，~3eV范圍的材料通常為半導(dǎo)體，導(dǎo)帶能隙比較模糊。36. 定義電導(dǎo)率、電流密度與載流子遷移率，推導(dǎo)出表示它們之間關(guān)系的公式。（P119附）37 下圖是n型摻雜半導(dǎo)體的載流子密度和能級隨溫度的變化曲線，分別對載流子密度和能級與溫度的關(guān)系加以討論。（P127128）38. 金屬與非金屬的接觸分為哪幾類？分別加以解釋。根據(jù)接觸勢壘的不同，可以分為：中性接觸、Schottky接觸和歐姆接觸。中性接觸時，半導(dǎo)體沒有被摻雜，同時它本身不存在電荷，亦即不存在界面處電子向金屬或半導(dǎo)體的流動。非金屬接觸時，通過金屬/半導(dǎo)體界面向半導(dǎo)體注入載流子產(chǎn)生的電流電壓可分為兩種情況：當(dāng)接觸面的電流電壓曲線表現(xiàn)出對稱的線性特征時，該電接觸為歐姆接觸否則為Schottky接觸。歐姆接觸時，金屬與半導(dǎo)體之間的接觸阻抗比半導(dǎo)體內(nèi)部的串聯(lián)阻抗小得多，可忽略不計。意味著在接觸處及附近，自由載流子密度比半導(dǎo)體內(nèi)要高得多?！队袡C電子學(xué)基礎(chǔ)》討論（這個誰有答案哦？）1. 半導(dǎo)體和絕緣體的能帶有何異同？2. 什么是半導(dǎo)體的摻雜？什么是p型半導(dǎo)體？n型半導(dǎo)體？3. 指出下列半導(dǎo)體的類型：1）在硅中摻雜磷，2）在硅中摻雜鋁。（n；p）4. 請描述在固體材料中吸收光譜與發(fā)射光譜為寬峰的機理，以及發(fā)射光譜紅移的原因。（畫出分子基態(tài)、激發(fā)態(tài)的能量分子構(gòu)象坐標(biāo)的勢能面圖，闡述FranckCondon原理）5. 請指出兩種能量傳遞的種類，以及它們發(fā)生的必要條件。6. 請畫出OPV器件的暗態(tài)下以及光照下IV曲線，并描述用于OPV表征的參數(shù)：開路電壓、短路電流、填充因子、功率轉(zhuǎn)換效率。7. 請簡單畫出兩種FET的結(jié)構(gòu)。圖1 柵極/襯底 半導(dǎo)體 絕緣體 漏 源 柵極/襯底 絕緣體 半導(dǎo)體 源 漏 絕緣層 襯底 半導(dǎo)體源漏 柵極abc。，并由此解釋載流子注入、傳輸、復(fù)合以及發(fā)光的過程（P302）。，請指出雙層器件相對單層器件的優(yōu)點。，碳原子的雜化類型。、spsp雜化軌道的形狀、可與相鄰的分子形成p鍵的數(shù)量。，并比較其穩(wěn)定的大小。15. 請畫出OFET器件的輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線，并標(biāo)記出開起電壓和開/關(guān)比值（P180）。，并加以說明。17. 畫出包括振動在內(nèi)的分子能級圖（包括單線態(tài)、三線態(tài)激發(fā)態(tài)），指出主要的分子內(nèi)電子衰變過程及其壽命(P9)。18. 請闡述OPV器件的工作過程。
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