【總結(jié)】19-6MOS工藝我們主要要了解各次光刻版的作用,為學(xué)習(xí)版圖設(shè)計(jì)打下基礎(chǔ)。(1)外延生長?外延生長為在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單品層的方法。生長外延層有多種方法,但采用最多的是氣相外延工藝,常使用高頻感應(yīng)爐加熱,襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體
2025-04-28 22:22
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)(4-5)主講:吳玉新手機(jī):18678786355時(shí)間:2022-9-30、10-12T知識(shí)回顧?1、二極管的開關(guān)特性1)輸入高,截止,開關(guān)斷開,輸出高2)輸入低,導(dǎo)通,開關(guān)閉合,輸出低2、三極管的開關(guān)特性1)輸入低,vIVON,截止(都反偏),開關(guān)斷開
2025-05-01 23:36
【總結(jié)】電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)(論文)題目:基于集成驅(qū)動(dòng)電路的IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)本科生課程設(shè)計(jì)(論文)I課程設(shè)計(jì)(論文)任務(wù)及評(píng)語院(系):電氣工程學(xué)院教研室:自動(dòng)化
2025-06-30 09:36
【總結(jié)】§場(chǎng)效應(yīng)管放大電路?場(chǎng)效應(yīng)管的源極、柵極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的射極、基極和集電極。與晶體管的共射、共基和共集三種組態(tài)相對(duì)應(yīng),場(chǎng)效應(yīng)管也有共源、共柵和共漏三種組態(tài)?!靾?chǎng)效應(yīng)管放大電路?一、場(chǎng)效應(yīng)管的偏置電路?二、場(chǎng)效應(yīng)管靜態(tài)工作點(diǎn)的確定?三、場(chǎng)效應(yīng)管的動(dòng)態(tài)分析?四、場(chǎng)效應(yīng)管三種組
2025-07-25 19:03
【總結(jié)】更多相關(guān)資料:更多相關(guān)資料:IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理通過對(duì)功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動(dòng)要求和保護(hù)方法等討論,介紹了的一種可驅(qū)動(dòng)高壓大功率IGBT的集成驅(qū)動(dòng)模塊HCPL-3I6J的應(yīng)用關(guān)鍵詞:IGBT;驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路;電源IG
2025-01-11 23:32
【總結(jié)】半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路?CMOS工藝技術(shù)是當(dāng)代VLSI工藝的主流工藝技術(shù),它是在PMOS與NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。其特點(diǎn)是將NMOS器件與PMOS器件同時(shí)制作在同一硅襯底上。?CMOS工藝技術(shù)一般可分為三類,即?P阱CMOS工藝?
2025-07-25 19:09
【總結(jié)】半導(dǎo)體集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2022/5/24pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝2022/5/24P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-
2025-04-26 12:59
【總結(jié)】論文題目:IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)專業(yè):微電子學(xué)姓名:薛少雄簽名:指導(dǎo)老師:韋力簽名:摘要IGBT將單極型和雙極型器件的各自優(yōu)點(diǎn)集于一身,揚(yáng)長避短,使其特性更加優(yōu)越,具有輸入阻抗
2024-09-05 01:06
【總結(jié)】1/44??????:??????TF?ModuleTeam‘10.03.12[Rev]2/44??????:??????TF?ContentsLCD概要1LCDPANEL2LCDModule3別稱43/44??????:?????
2025-08-01 16:11
【總結(jié)】1.驅(qū)動(dòng)條件驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)于目前的IGBT和MOSFET而言,此電壓一般被限定為20V。推薦使用的柵極驅(qū)動(dòng)電壓推薦使用值須達(dá)到MOSFET:VGS=+10VIGBT:VGG+=+15V,VGG-=-15VIGBT驅(qū)動(dòng)負(fù)偏電壓的作用是,在整個(gè)關(guān)斷過程中維持一個(gè)足夠大的反向柵極電流。利用關(guān)斷過程中的高dvCE/dt值,來吸
2024-09-05 11:09
【總結(jié)】CMOS工藝流程與MOS電路版圖舉例1.CMOS工藝流程1)簡(jiǎn)化N阱CMOS工藝演示flash2)清華工藝錄像:N阱硅柵CMOS工藝流程3)雙阱CMOS集成電路的工藝設(shè)計(jì)4)圖解雙阱硅柵CMOS制作流程2.典型N阱CMOS工藝的剖面圖3.SimplifiedCMOSProcessFlow4.MOS電路版圖舉
2025-02-09 20:35
【總結(jié)】變頻器驅(qū)動(dòng)電路常用的幾種驅(qū)動(dòng)IC變頻器驅(qū)動(dòng)電路中常用IC,共有為數(shù)不多的幾種??梢栽O(shè)想一下,變頻器電路的通用電路,必定是主電路(包括三相整流電路和三相逆變電路)和驅(qū)動(dòng)電路,即便是型號(hào)的功率級(jí)別不同的變頻器,驅(qū)動(dòng)電路卻往往采用了同一型號(hào)的驅(qū)動(dòng)IC,甚至于驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)和布局,是非常類似的和接近的。早期的和小功率的變頻器機(jī)種,經(jīng)常采用TLP250、A3120(HCPL3120)驅(qū)
2025-06-28 11:38
【總結(jié)】步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的工作原理 步進(jìn)電機(jī)在控制系統(tǒng)中具有廣泛的應(yīng)用。它可以把脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)換成角位移,并且可用作電磁制動(dòng)輪、電磁差分器、或角位移發(fā)生器等?! ∮袝r(shí)從一些舊設(shè)備上拆下的步進(jìn)電機(jī)(這種電機(jī)一般沒有損壞)要改作它用,一般需自己設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)器。本文介紹的就是為從一日本產(chǎn)舊式打印機(jī)上拆下的步進(jìn)電機(jī)而設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器。本文先介紹該步進(jìn)電機(jī)的工作原理,然后介紹了其驅(qū)動(dòng)器的軟、硬件設(shè)計(jì)?! ?.
2025-07-24 19:28
【總結(jié)】1第9章MOS集成電路2內(nèi)容提要?MOSIC的主要特點(diǎn)?MOS倒相器?飽和負(fù)載E/EMOS倒相器?E/DMOS倒相器?CMOSIC?MOS工藝?版圖舉例39-1MOSIC的主要特點(diǎn)一、MOSFET的主要特點(diǎn)1
2025-01-19 07:28
【總結(jié)】1?對(duì)IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求?IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)條件密切地關(guān)系到它的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。?柵極電路的正偏壓VGE、負(fù)偏壓-VGE和柵極電阻RG的大小,對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dV/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。2柵極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系?柵極正電壓VGE的
2025-01-12 08:08