igbt驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法-資料下載頁
【導(dǎo)讀】對(duì)于目前的IGBT和MOSFET而言，此電壓一般被限定為20V。推薦使用的柵極驅(qū)動(dòng)。IGBT驅(qū)動(dòng)負(fù)偏電壓的作用是，在整個(gè)關(guān)斷過程中維持一個(gè)足夠大的反向柵極電流。+VGE應(yīng)設(shè)計(jì)在G-E間最大額定電壓VGES=士20V的范圍內(nèi)。電源電壓的變動(dòng)在士10%范圍內(nèi)。導(dǎo)通期間的C-E間飽和電壓隨+VGE變化，+VGE越高飽和電壓越低。+VGE越高，開通時(shí)的對(duì)置支路越容易產(chǎn)生浪涌電壓。脈沖狀的集電極電流，從而產(chǎn)生不必要的發(fā)熱。線長的情況下要注意。門極電阻RG的數(shù)值，在說明書中用測(cè)定交換特性時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)門極電阻值表示。以下說明RG設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的事項(xiàng)。dv/dt誤觸發(fā)在RG較大時(shí)不太容易發(fā)生。時(shí)，電流限制最小值為額定電流值的2倍左右。根據(jù)以上條件，選定最適合的門極驅(qū)動(dòng)條件。要的電荷量，在計(jì)算平均驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)電力時(shí)使用。驅(qū)動(dòng)電流的峰值IGP可由以下近似式求取。課題擬采用eupec(優(yōu)派克)的單相橋IGBT模塊F4-25R12NS4。經(jīng)查F4-25R12NS4的datesheet，IGBT的模塊內(nèi)部的門極電阻Rg為0。電平時(shí)驅(qū)動(dòng)電路輸出電壓-9V使IGBT關(guān)斷，符合IGBT驅(qū)動(dòng)電壓要求。
【正文】 4VGND_1PWMC1100uF/50VC2D3 20V BZX84C18(2)D2 20V BZX84C18(1)D1 9V(IN4739)270RR13kR313RR2GNDIGBT_GIGBT_E104/50V 圖 4 HCPL3120驅(qū)動(dòng)電路 HCPL3120的 datesheet可知，芯片輸入電流最大為 25mA,PWM高電平時(shí) 為 5V,則可以算出 R1最小為 200Ω ，根據(jù) datesheet經(jīng)驗(yàn)值可選 270Ω 。 經(jīng)查 F425R12NS4的 datesheet， IGBT 的 模塊內(nèi)部的門極電阻 Rg為 0。 HCPL3120 的datesheet 可知，芯片最大峰值電流為 ,根據(jù)式 1可算出 R2=12Ω ，實(shí)際值可選大于等于12Ω 的電阻，可選 13Ω 。 查穩(wěn)壓管 IN4739 的 datesheet可知，穩(wěn)壓管穩(wěn)定電流在 5mA與 25mA之間，由以下公式算 R3值 。 ??? kmAVR 3515m ax3 ??? kmAVR in3 R3值可在 R3max與 R3min選取?？蛇x 3kΩ 。 上圖所示電路當(dāng) PWM 高電平時(shí) ，驅(qū)動(dòng)電路輸出電壓 +15V使 IGBT 開通；當(dāng) PWM 低電平時(shí)驅(qū)動(dòng)電路輸出電壓 9V使 IGBT關(guān)斷 ，符合 IGBT驅(qū)動(dòng)電壓要求。
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