igbt驅動電路設計方法-文庫吧
2025-08-02 11:09 本頁面
【正文】 D的反向恢復時的 dv/dt 會發(fā)生誤動作，形成脈沖狀的集電極電流，從而產(chǎn)生不必要的發(fā)熱。這種現(xiàn)象被稱為 dv/dt誤觸發(fā)， +VGE越高越容易發(fā)生。 (7) +VGE越高，短路電流值越高， 短路最大耐受量越小。 : VGE（ 阻斷期 間 ) 門極反偏壓電壓 VGE的推薦值為 5V到 15V。下面說明 VGE設計時應注意的事項。 (1) +VGE應設計在 GE間最大額定電壓 VGES=士 20V的范圍內(nèi)。 (2)電源電壓的變動推薦在士 10%范圍內(nèi)。 (3)IGBT的關斷特性依存于 VGE，特別是集電極電流開始關斷部分的特性在很大程度上依存于 VGE。 因此， VGE 越大，關斷交換時的時 間 和損耗越小。 (4) dv/dt 誤觸發(fā)在 VGE小的情況下也有發(fā)生，所以至少要設定在 5V 以上。尤其是門極配線長的情況下要注意。 :RG 門極電阻 RG的數(shù)值，在說明書中用測定交換特性時的標準門極電阻值表示。 將該值當做門極電阻 RG的大致標準。以下說明 RG設計時應注意的事項。 (1)交換特性在開通和關斷時均依存于 RG , RG越大，交換時 間 和交換損耗 就越大，但交換時的浪涌電壓變小。 (2)dv/dt誤觸發(fā)在 RG較大時不太容易發(fā)生。 (3)雖然 N系列的 IGBT 的 RG越大，短路最大耐受量會增加，但由于電流限制值減少，因此
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