igbt驅(qū)動電路設(shè)計方法(已修改)
2025-09-16 11:09 本頁面
【正文】 1. 驅(qū)動條件 驅(qū)動電壓 對于目前的 IGBT 和 MOSFET 而言，此電壓一般被限定為 20 V。推薦使用的柵極驅(qū)動電壓推薦使用值須達(dá)到 MOSFET ： VGS=+10 V IGBT： V GG+=+15 V, V GG=15 V IGBT 驅(qū)動負(fù)偏電壓的作用是，在整個關(guān)斷過程中維持一個足夠大的反向柵極電流。利用關(guān)斷過程中的高 dvCE/dt值，來吸取 n 漂移區(qū)內(nèi)的大部分空穴載流子，進(jìn)而縮短拖尾電流的時間。 與 IGBT 不同的是，采用負(fù)偏的靜態(tài)柵源電壓來維持 MOSFET 關(guān)斷狀態(tài)的方法是不可取的 ， 主要是由于 MOSFET的 晶體管結(jié)構(gòu)所能夠承受的 dv/dt有限，從而限制了柵源負(fù)偏電壓的應(yīng)用。 :+VGE(導(dǎo)通期間 ) 門極正偏壓電壓 +VGE的推薦值為 +15V，下面說明 +VGE設(shè)計時應(yīng)注意的事項。 (1) +VGE應(yīng) 設(shè)計在 GE間 最大額定電壓 VGES=士 20V的范圍內(nèi)。 (2)電源電壓的變動在士 10%范圍內(nèi)。 (3)導(dǎo)通期 間 的 CE間 飽和電壓 (VCE(sat))隨 +VGE變化， +VGE越高飽和電壓越低。 (4) +VGE越高，開通交換時的時 間 和損耗越小。 (5) +VGE越高，開通時 (FWD反向恢復(fù)時 )的對置支路 越容易產(chǎn)生浪涌電壓。 (6)即使是在 IGBT 斷開的時 間 段內(nèi)，由于 FW
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1