igbt驅動電路設計方法(編輯修改稿)
2024-10-11 11:09 本頁面
【文章內容簡介】 ，必須注意將裝置的過電流跳閘水平設定在該限制值以下。當 RG為標準門極電阻值 （ Tj=250℃ )時，電流限制最小值為額定電流值的 2倍左右。 根據(jù)以上條件 ，選定最適合的門極驅動條件。 IGBT 具有 MOS門極構造，在交換時為了對該門極進行充放電，需要門極電流 (驅動電流 )從中流過。圖 1 表示門極充電電荷量的特性。門極充電電荷量特性表 示驅動 IGBT 所必要的電荷量，在計算平均驅動電流和驅動電力時使用。圖 2表示驅動電路的原理圖和電壓電流波形。驅動電路的原理是通過開關 S1, S2 交替轉換正偏壓電源和反偏壓電源，轉換時對門極充放電的電流為驅動電流，圖 2中以電流波形所表示的面積 (斜線部分 )與圖 1中的充放電電荷量相等。 圖 1門極充電電荷量特性 (動態(tài)輸入特性 ) 圖 2驅動電路原理圖以及電壓電流波形 驅動電流的峰值 IGP可由以下近似式求取。 gGGEGEGP RR VVI ? ???? （式 1） +VGE正偏壓電源電壓 VGE反偏壓電源電壓 RG驅動 電路的門極電阻 Rg模塊內部的門極電阻 從門極充電電荷量的特性的 0V開始上升部分的斜度大體上與輸入電容 Cies等效，而反偏壓領域可以作為這個部分的延長考慮。因此，驅動電流的平均值 IG，如圖 1 所示，可
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