硅片生產(chǎn)工藝技術(shù)流程-資料下載頁
2024-10-29 05:08本頁面
【導(dǎo)讀】江蘇順大半導(dǎo)體發(fā)展有限公司座落于美麗的高郵湖畔。生產(chǎn)太陽能電池用各種尺寸的單晶和多晶硅片。擁有國內(nèi)先進(jìn)的拉制。單晶設(shè)備104臺，全自動單晶爐112臺。年產(chǎn)量可達(dá)到××××噸。擁有大型先進(jìn)的線切割設(shè)備×××臺。并且和無錫尚德形成了合作聯(lián)。盟（伙伴），每×可以向尚德提供×××硅單晶片。公司現(xiàn)在有×××名員工，從事澳、南京。等光伏組件公司都和順大形成了長年的合作關(guān)系。為了公司的進(jìn)一步。在揚(yáng)州投資多晶硅項(xiàng)目，投資規(guī)模達(dá)到××億。2020年底首期工程已經(jīng)正式投入批量生產(chǎn)，年產(chǎn)多晶硅×××噸。成，只有發(fā)揮團(tuán)隊(duì)精神才能保證硅片的最終質(zhì)量。以及廢硅片料等組成。出相應(yīng)的廠內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)。原料，特別是多晶硅進(jìn)廠時(shí)應(yīng)按下列程序進(jìn)行驗(yàn)收：產(chǎn)品廠家，·籽晶與籽晶夾頭：由兩種材料制成。籽晶在使用前需要經(jīng)過5；1HF和HNO3混合液輕腐蝕，籽晶需要延續(xù)用多次時(shí)，表面有。坩堝軸，與金屬坩堝軸直徑尺寸相同，長度根據(jù)要求而定。根據(jù)大裝料量單晶生長工藝要求，在石英坩堝內(nèi)壁還要求涂有均
【正文】 硅片加工生產(chǎn)工藝技術(shù) 硅片加工 工藝 有稱改形工藝，即將硅錠加工成具有規(guī)定幾何尺寸的，滿足太陽能等器件需要的硅片。獲得精確的加工尺寸和完美表面態(tài)的硅片，是人們一直追求的目標(biāo)。為達(dá)到此目標(biāo)難度很大，這不但需要有相應(yīng)的先進(jìn)的加工技術(shù)和設(shè)備，又由于加工工序長，還需要具備一套完整的質(zhì)量管理體系。 硅片的質(zhì)量是影響太陽能 電池轉(zhuǎn)換效率和加工成本的極為重要因素之一，也代表著本公司整體硅材料的生產(chǎn)水平和形象。 （ 2）、 硅片加工工藝中 的必備條件和要求 ①、 切割機(jī) 隨著半導(dǎo)體器件的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的制備技術(shù)和加工技術(shù)以及采用的設(shè)備等也同步在發(fā)展。如硅片切割由外圓，發(fā)展到內(nèi)圓，而今幾乎所有的硅片生產(chǎn)廠家都采用先進(jìn)的 線切割機(jī)切割生產(chǎn) 硅片，其特點(diǎn)： 生產(chǎn)效率高，一次配棒可生產(chǎn)數(shù)百枚硅片， 采用的線徑尺寸小，切割的錠料損失少， 硅片表面損傷小，一般為砂漿粒徑近 1 倍， 硅片表面無刀痕等 開方用的 線切割機(jī) (HCTShaping)配有直徑為 ㎜的金屬線，切割速度為 ㎜ /min，一次最多可生產(chǎn) 25 根方錠。 用于加工硅片的日產(chǎn)線切割機(jī)（ NTCNipei）配有線徑為 ㎜的金屬線 , 切割速度為 0 .34 ㎜ /min ②、 切割漿液配制和要求 開方用切割漿液是由牌號 PEG304 硅切削液與碳化硅粉 按 ∶ 1比例 配置而成的。 切割用漿液是由牌號 PEG301 硅切削液與粒徑為 1500 井 （ 8μ m） 碳化硅粉 按 ∶ 1 比例 配置而成的。 為保證漿液質(zhì)量對硅切削液的水含量，電導(dǎo)率以及碳化硅粉粒徑分布均勻性等 .均有比較嚴(yán)格 要求。 聚本醇水含量 0. 5 %，導(dǎo)電率 (3)、 質(zhì)量目標(biāo) : （ 4）、 硅片加工工藝技術(shù)流程 ①、 開方錠生產(chǎn)工藝流程 開方錠是經(jīng)過如下工序加工成具有標(biāo)定尺寸的方形錠，是制備硅片的初始硅棒。 經(jīng)過性能參數(shù)檢測 技術(shù)參數(shù) 技術(shù)指標(biāo) 晶 向： 100 電阻率 (μ .㎝ )： 摻鎵： ～ 分三檔 :～ ?！?。～ 導(dǎo)電型號： 硅片尺寸 (㎜ )： P（空穴導(dǎo)電） 厚 度 (181。m) ： 125 X 125 ㎜ T V(181。m) : 200 177。 20μ m TTV(181。m) : ≤ 20 BOW(彎曲度 )( 181。m)： ≤ 50 缺 陷： ≤ 50 缺 陷： 無劃痕，無崩邊，無色斑，線痕 , 無晶面體脫落， 無 裂紋等 成品率： 93 % 硅 棒 固定車床上 熱溶膠，加熱 4200C 線切割，線徑 φ 250181。m 600 60～ 1000C 水泡 砂輪粒徑： 300＃， 270＃， 150＃ NaOH， 腐蝕量 ㎜ ㎜ 纖維拋光輪， 拋 4 個頂角 ②、 切片生產(chǎn)工藝流程 ③、 沾 棒 開 方 滾 磨 檢 測 堿 腐 蝕 檢 測 拋 光 去 膠 檢 測 不和格錠 不和格錠 回 庫 不和格錠 開 方 錠 開 方 錠 電阻率分檔 硅片主要加工工序工藝技術(shù)簡述 配棒： 按不同長度 將兩根晶棒配置成一組，要求每組的出片率大致相同。 TV、 TTV、ρ 、 BOW 加清洗液 粘 棒 固 位 切 割 脫膠、清洗 去 膠 插 片 完整片超聲清洗 烘 干 外觀檢查 合 格 片 廢 片 參數(shù)檢測 合 格 片 不合格片 分 檔 成 品 將一組棒固定在切割機(jī)相應(yīng)位置上 線切割線徑 120181。m，切速 高壓水沖洗 手工剝離 插在片夾里 廢 片 去離子水 溫度 70℃ ， 3min 鼓風(fēng)吹 崩邊、裂紋、色斑、污物、晶面脫落等 消除熱施主 熱 處 理 硅片浸在水槽中 AB 膠 粘在噴沙面上 粘棒： 將硅棒固定在專用的沾棒機(jī)床上，使晶棒的一端面與底板用熱溶膠在 420oC 的溫度下進(jìn)行粘接。 晶棒開方 ：將晶棒固定在底盤的相應(yīng)位置上，采用線徑為 120181。m的大型線切割機(jī)進(jìn)行切割，切割速度為 ㎜ /min。加工好的尺寸為125X125mm硅錠，一盤最多可加工 25 根硅錠。 去熱溶膠： 將開方的硅錠浸在溫度為 60～ 100oC 的水槽內(nèi)，保持 20～ 30 分鐘可將粘在晶棒端面上的熱溶膠去掉。 滾磨 ：開方的 硅錠 通過滾磨使其四個頂角的直徑尺寸達(dá)到 150177。 。 滾磨機(jī)裝置有粗，中，細(xì)三種尺寸不同的粒徑的砂輪，依次進(jìn)行加工，這樣既可獲得比較高的滾磨速度，又可保證加工表面粗糙度 Ω 和損傷層均比較小的滿意結(jié)果。 堿腐蝕： 腐蝕 的用意是去除硅錠表面在滾磨加工過程中形成的損傷層，這樣可減少和避免硅片在后序加工中產(chǎn)生邊緣缺陷。具體工藝為：將硅錠置放于盛有 NaOH 飽和溶液的腐蝕槽中，在 90～ 1000C溫度下， 腐蝕 8分鐘，表面去除量為 ～ ㎜。硅錠表面損傷層可完全去除掉。 配棒： 將兩根棒不同長度配置成一組，使其每組總長度大致相同，便于每組切出的片子數(shù)量也大致相同。配棒好的每組棒擺放在一起并設(shè)有標(biāo)記。 粘棒： 將配置好的硅錠的噴砂面與石英板用 AB 膠在常溫下牢固地粘接在一起。 切割。線徑為 120181。m，切速為 ㎜ /min。工藝中使用的切削漿液是本廠配制的，粒徑為 1500目（ 8181。m）。 去膠： 粘接在硅片上的 A， B 膠，用水噴射辦法與石英板底脫離。硅片取出后放入水槽內(nèi)，用手工的辦法將膠剝離干凈。 裝片（插片）： 帶上手套將去膠片裝入片 籃內(nèi)，以便于對硅片后續(xù)處理和記數(shù)等。插片過程也是選片過程，可將不合格的硅片挑選出。 清洗： 硅片清洗是在超聲清洗槽內(nèi)進(jìn)行。清洗槽共有 8 個工位槽，分別為清水槽（一個工位），放有清洗劑的清洗槽（三個工位）以及四個工位的清水槽。片籃依次按設(shè)定的程序進(jìn)行清洗。清洗所用的水均為去離子水。 烘干： 烘干是在鏈?zhǔn)焦娘L(fēng)干燥爐內(nèi)進(jìn)行。片籃放在運(yùn)行的鏈帶上，緩慢通過加熱爐加熱 3 分鐘，在 700C 熱風(fēng)吹烤下將硅片烘干。 熱處理： 硅片通過熱處理消除體內(nèi)熱施主對電阻率的影響。采用的加熱設(shè)備為馬弗爐，溫度為 6500C，受熱時(shí)間 30 分鐘后 ，立即取出并用風(fēng)扇急速冷卻到室溫。 三、 硅片幾何參數(shù)和性能參數(shù)檢測： 加工好硅片進(jìn)行厚度（ TV），總厚度偏差（ TTV），彎曲度（ BOW）和電阻率等參數(shù)檢測。上述參數(shù)均 在同一臺型號為 MS203 無接觸測量儀上進(jìn)行。根據(jù)電阻率檢測結(jié)果對硅片進(jìn)行分檔。摻鎵硅片 : ～ 3Ω .㎝ 。 2～ 4Ω .㎝ 。 3～ 6Ω .㎝分為三檔，摻硼硅片 :1～ 3Ω .㎝為一檔。按分檔的硅片進(jìn)行分別包裝。
黨政相關(guān)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1