【正文】 鹼 洗 KOH（ NaOH）， 1200C 水沖洗 自來水 腐蝕過程物料表面 酸腐蝕 HF+HNO3（ 1﹕ 5） 不能與空氣接觸 電阻 ≥ 10MΩ 酸液環(huán)保處理 去離子水 頻率為 3600Hz 低頻超聲 電阻 ≥ 10MΩ 兩遍清洗 去離子水 水沖洗兩遍 水溫 600C 高頻超聲 電阻 ≥ 10MΩ 三遍清洗 去離子水， 600C 在相對潔凈 離心熱風(fēng)烘干 烘干溫度 700C， ≥ 1小時 間內(nèi)進(jìn)行 包 裝 采用雙層塑料密封包裝 ③、 堝底料酸清洗處理工藝流程 堝底料 電阻率分擋 選出 PN 結(jié)料 打 磨 去除料表面石英渣 時間達(dá) 5060 小時 酸 泡 HF，濃度 50% 進(jìn)一步去除石英渣 水沖洗 中水（經(jīng)過處理的廢水） 腐蝕過程物料表面 酸腐蝕 HF+HNO3（ 1﹕ 5） 不能與空氣接觸 電阻 ≥ 10 兆 Ω 酸液環(huán)保處理 去離子水 頻率為 3600Hz 低頻超聲兩遍清洗 電阻 ≥ 10 兆 Ω 去離子水 水溫 600C 高頻超聲 電阻 ≥ 10 兆 Ω 三遍清洗 去離子水， 600C 在相對潔凈 離心熱風(fēng)甩干 烘干溫度 700C， ≥ 1 小時 間內(nèi)進(jìn)行 包 裝 采用雙層塑料密封包裝 建議： ● 堝底料經(jīng)過 HF 酸鋟泡后不應(yīng)采用氣味很濃的中水沖洗，而應(yīng)改為自來水，最好為去離子水。 1960 年 Dash采用縮徑方法拉制出無位錯硅單晶。 根據(jù)現(xiàn)有爐型 配置 了 17 英寸， 18 英寸和 20 英寸三種不同尺寸的熱系統(tǒng)，并全部配置了導(dǎo)流筒（熱屏）。配置的熱場應(yīng)附和如下要求： 配置成功的熱場不但要保持熔體和晶體生長所需要的，適宜的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度，而且又能得到比較低的所需要的加熱功率和具有比較高的成晶率。摻雜： 摻雜劑（摻雜元素）的選擇 根據(jù)客戶需要，目前本公司生產(chǎn)的均為 P 型導(dǎo)電的硅單晶材料。摻雜 方法和摻雜量計(jì)算 摻雜方法： 硼（ B）的分凝系數(shù)為 ，需要的摻入量比較少。具體指標(biāo)如下： 檢測項(xiàng)目 技術(shù)參數(shù)要求 直徑與偏差 153177。加熱化料 ：待爐室壓力調(diào)整到 后 .按設(shè)計(jì)程序開始加熱。 當(dāng)熔體溫度穩(wěn)定后開始引晶，將籽晶緩慢地下降并與硅熔體少許接觸，如果發(fā)現(xiàn)籽晶與熔體接觸處未出現(xiàn)光環(huán)，意味引晶溫度偏低，情況相反，當(dāng)熔體接觸處立即出現(xiàn)光環(huán)，而且不斷擴(kuò)大，則意味引晶溫度偏高，均應(yīng)及時降低熔體溫度。 逐漸將拉速提高到120— 180 mm/小時。 1 mm。所謂收尾就是將晶體的尾端拉制成圓錐形的細(xì)尾巴，尾端越細(xì)，越長 越好。 （ 2）、 硅片加工工藝中 的必備條件和要求 ①、 切割機(jī) 隨著半導(dǎo)體器件的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的制備技術(shù)和加工技術(shù)以及采用的設(shè)備等也同步在發(fā)展。 為保證漿液質(zhì)量對硅切削液的水含量，電導(dǎo)率以及碳化硅粉粒徑分布均勻性等 .均有比較嚴(yán)格 要求。m) : ≤ 20 BOW(彎曲度 )( 181。晶棒開方 ：將晶棒固定在底盤的相應(yīng)位置上，采用線徑為 120181。 滾磨機(jī)裝置有粗，中，細(xì)三種尺寸不同的粒徑的砂輪，依次進(jìn)行加工，這樣既可獲得比較高的滾磨速度，又可保證加工表面粗糙度 Ω 和損傷層均比較小的滿意結(jié)果。 去膠： 粘接在硅片上的 A， B 膠，用水噴射辦法與石英板底脫離。片籃依次按設(shè)定的程序進(jìn)行清洗。上述參數(shù)均 在同一臺型號為 MS203 無接觸測量儀上進(jìn)行。 。采用的加熱設(shè)備為馬弗爐，溫度為 6500C，受熱時間 30 分鐘后 ，立即取出并用風(fēng)扇急速冷卻到室溫。清洗： 硅片清洗是在超聲清洗槽內(nèi)進(jìn)行。工藝中使用的切削漿液是本廠配制的，粒徑為 1500目（ 8181。配棒： 將兩根棒不同長度配置成一組，使其每組總長度大致相同，便于每組切出的片子數(shù)量也大致相同。滾磨 ：開方的 硅錠 通過滾磨使其四個頂角的直徑尺寸達(dá)到 150177。粘棒： 將硅棒固定在專用的沾棒機(jī)床上，使晶棒的一端面與底板用熱溶膠在 420oC 的溫度下進(jìn)行粘接。m) : 200 177。 用于加工硅片的日產(chǎn)線切割機(jī)（ NTCNipei）配有線徑為 ㎜的金屬線 , 切割速度為 0 .34 ㎜ /min ②、 切割漿液配制和要求 開方用切割漿液是由牌號 PEG304 硅切削液與碳化硅粉 按 ∶ 1比例 配置而成的。為達(dá)到此目標(biāo)難度很大，這不但需要有相應(yīng)的先進(jìn)的加工技術(shù)和設(shè)備，又由于加工工序長，還需要具備一套完整的質(zhì)量管理體系。 如果晶體和坩堝直徑比和補(bǔ)溫程序設(shè) 計(jì)的合適，可保證晶體等徑生長一直到收尾前。如果生長到設(shè)定的直徑尺寸時才意識到開始轉(zhuǎn)肩，則轉(zhuǎn)肩完成后的晶體直徑已經(jīng)超過了所要求的直徑尺寸。這些滑移面是傾斜或垂直于晶體生長軸的。籽晶熔接和引晶： 待物料完全熔化后，調(diào)整 Ar 氣流量（ 40 升/分）和爐室壓力，使其達(dá)到設(shè)定的減壓拉晶工藝要求。另外，多晶硅塊應(yīng)盡量碼成凸起形，這樣可以避免或減少在熔化過程中出現(xiàn)坩堝邊“掛料”或 “搭橋”現(xiàn)象。 (6)、 質(zhì)量目標(biāo)： 根據(jù)客戶對產(chǎn)品要求，目前主要生產(chǎn)直徑 6英寸摻鎵的 P 型導(dǎo)電型號和 100晶向的 的硅單晶。故選擇鎵作為摻雜劑。上述幾種原料的配置根據(jù)公司要求和客戶需要而定。 ⑶、減少熱對流，加快蒸發(fā)氣體從熔體表面揮發(fā)，對降低單晶氧含量十分有 利。： 于 1950 年美國科學(xué)家 G. K. Teal 和 J. B. Little 將該方法成功地移植到拉制鍺單晶上。 根據(jù)原材料來源不同，表面狀態(tài)和 污染情況皆不相同，故對來源不同的原料應(yīng)采用分別單獨(dú)處理工藝。 安全防護(hù)： 在處理工藝中會使用大量強(qiáng)酸（ HF， HNO3）和強(qiáng)鹼（ KOH， NaOH）等物質(zhì)。石英坩堝： 石英坩堝直接與多晶硅料接觸，并伴隨單晶生長過程在高溫下經(jīng)受長時間的烘烤并與硅熔體發(fā)生反應(yīng)和溶解，因此，應(yīng)具有耐高溫，坯料 (二氧化硅 )純度高 ,和外形尺寸標(biāo)準(zhǔn)，無氣泡，無黑點(diǎn)等質(zhì)量特點(diǎn)。根據(jù)部件的用途，對其質(zhì)量要求也有所不同。 表 1 對原材料質(zhì)量要求 檢查 原料 質(zhì) 量 要 求 來 源 內(nèi)在質(zhì)量 外 觀 多晶硅 電阻率： N 型 ≧ 50Ω .cm P 型： ≧ 50Ω .cm 銀灰色， 表面 無氮化硅膜，硅芯與晶體生長成一體 順大公司 邊皮料 質(zhì)量與單晶相似 是否會有粘膠存在 開方整形的下腳料 鍋底料 按電阻率分檔 有無石英渣及夾雜物 單晶生產(chǎn)工藝 復(fù)拉料 頭尾料 質(zhì)量與單晶相似 表面 有無 污 物 單晶生產(chǎn)工藝 廢片料 質(zhì)量與單晶相似 有無砂漿 表面 夾雜物 切片工藝 編寫該篇壯大資料的目的：首先讓大家了解整個硅片生產(chǎn)過程，更重要的是讓各生產(chǎn)工序中的每一位操作人員明確自己的職責(zé)，更自覺地按操作規(guī)程和規(guī)范做好本職工作，為 順大半導(dǎo)體發(fā)展有限公司 的發(fā)展，盡自己的一份力量。擁有大型先進(jìn)的線切割設(shè)備臺。年產(chǎn)量可達(dá)到噸。 太陽能用硅片生產(chǎn)工藝十分復(fù)雜，要通過幾十道工序才能完成，只有發(fā)揮