晶體缺陷ppt課件(2)-資料下載頁
2025-01-13 11:38本頁面
【正文】 形金屬： 10111012條 /cm2 （ 5）位錯環(huán) 晶體內(nèi)部的位錯線，終止在晶體表面或晶界面上，形成一個封閉的回路，成為位錯環(huán)。位錯環(huán)中有螺旋位錯，也有滑移，刃位錯，也叫混合式位錯。 本質(zhì)位錯環(huán)（晶格空位集聚引起） 外質(zhì)位錯環(huán)（間隙原子集聚引起） 面缺陷 晶體的面缺陷是指在晶面的兩側(cè)原子的排列不同，有層錯，雙晶缺陷和晶界。 晶體按一定的規(guī)則層狀堆積，有個層疊規(guī)律，如果某層中斷或多出一層，不符合層疊規(guī)律，就形成了 層錯 。 如圖所示。如果 ABCABC…… 堆積規(guī)律中，插入一層原子（如 A層），稱為外質(zhì)層錯；如果缺少一層原子，稱為內(nèi)質(zhì)層錯。 層錯破壞了晶體的周期完整性，引起能量升高，通常把產(chǎn)生單位面積層錯所需要的能量稱為層錯能。 層錯能出現(xiàn)時僅表現(xiàn)在改變了原子的次近鄰關系，幾乎不產(chǎn)生點陣畸變。所以，層錯能相對于晶界能而言是比較小的。層錯能越小的晶體，則層錯出現(xiàn)的幾率越大。 雙晶缺陷是指晶體雙晶接觸，或晶體在特定方向發(fā)生塑性變形，變形區(qū)原子和未變形區(qū)原子在交接處還是緊密接觸（沒有晶格失配），這種接觸產(chǎn)生的面缺陷，叫 雙晶缺陷 。兩個孿晶接觸的界面。 斜長石的格子雙晶 固溶體的分離造成的 晶界 相同晶體不同晶向的晶粒間界簡稱為晶界，是多晶體常見的缺陷。晶界是多晶體中由于晶粒的取向不同而形成的，根據(jù)相鄰兩個晶粒取向之間的偏差大小，可分為小角度（ 10176。 ）晶界和大角度（ 10176。 ）晶界二類。 小角度晶界的傾斜角通常為 2176。 3176。 ，可以看成是由一系列刃錯位排列而成。 還有一種晶界： 結(jié)晶過程開始時，形成許多晶核。當進一步長大時，形成相互交錯接觸的許多晶粒聚集體較多晶體，各晶粒晶面交角大 。晶界具有無定形的性質(zhì)。 多晶材料（陶瓷） 4． 4 體缺陷 空隙：飽和的晶格空位集聚在一起，形成的空隙，尺寸大約在一個微米一下；也可能超過100微米或 1000微米，晶體生長過程中產(chǎn)生的氣泡。 析出物：雜質(zhì)濃度超過了其固溶度，以不同的物質(zhì)析出在晶體中，比如氧沉底（ SiO2），碳沉淀（ SiC），形成了異質(zhì)核。 析出物，有個臨界尺寸，只有大于臨界尺寸的，在晶體結(jié)晶過程中，才會穩(wěn)定長大；小于臨界尺寸的析出物，可能會再度消失，與其析出速度，溶解速度和濃度，溫度，擴散系數(shù)有關。
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