晶體缺陷ppt課件(2)-資料下載頁(yè)
2025-01-13 11:38本頁(yè)面
【正文】 形金屬： 10111012條 /cm2 （ 5）位錯(cuò)環(huán) 晶體內(nèi)部的位錯(cuò)線，終止在晶體表面或晶界面上，形成一個(gè)封閉的回路，成為位錯(cuò)環(huán)。位錯(cuò)環(huán)中有螺旋位錯(cuò)，也有滑移，刃位錯(cuò)，也叫混合式位錯(cuò)。 本質(zhì)位錯(cuò)環(huán)（晶格空位集聚引起） 外質(zhì)位錯(cuò)環(huán)（間隙原子集聚引起） 面缺陷 晶體的面缺陷是指在晶面的兩側(cè)原子的排列不同，有層錯(cuò)，雙晶缺陷和晶界。 晶體按一定的規(guī)則層狀堆積，有個(gè)層疊規(guī)律，如果某層中斷或多出一層，不符合層疊規(guī)律，就形成了 層錯(cuò) 。 如圖所示。如果 ABCABC…… 堆積規(guī)律中，插入一層原子（如 A層），稱為外質(zhì)層錯(cuò)；如果缺少一層原子，稱為內(nèi)質(zhì)層錯(cuò)。 層錯(cuò)破壞了晶體的周期完整性，引起能量升高，通常把產(chǎn)生單位面積層錯(cuò)所需要的能量稱為層錯(cuò)能。 層錯(cuò)能出現(xiàn)時(shí)僅表現(xiàn)在改變了原子的次近鄰關(guān)系，幾乎不產(chǎn)生點(diǎn)陣畸變。所以，層錯(cuò)能相對(duì)于晶界能而言是比較小的。層錯(cuò)能越小的晶體，則層錯(cuò)出現(xiàn)的幾率越大。 雙晶缺陷是指晶體雙晶接觸，或晶體在特定方向發(fā)生塑性變形，變形區(qū)原子和未變形區(qū)原子在交接處還是緊密接觸（沒(méi)有晶格失配），這種接觸產(chǎn)生的面缺陷，叫 雙晶缺陷 。兩個(gè)孿晶接觸的界面。 斜長(zhǎng)石的格子雙晶 固溶體的分離造成的 晶界 相同晶體不同晶向的晶粒間界簡(jiǎn)稱為晶界，是多晶體常見(jiàn)的缺陷。晶界是多晶體中由于晶粒的取向不同而形成的，根據(jù)相鄰兩個(gè)晶粒取向之間的偏差大小，可分為小角度（ 10176。 ）晶界和大角度（ 10176。 ）晶界二類。 小角度晶界的傾斜角通常為 2176。 3176。 ，可以看成是由一系列刃錯(cuò)位排列而成。 還有一種晶界： 結(jié)晶過(guò)程開(kāi)始時(shí)，形成許多晶核。當(dāng)進(jìn)一步長(zhǎng)大時(shí)，形成相互交錯(cuò)接觸的許多晶粒聚集體較多晶體，各晶粒晶面交角大 。晶界具有無(wú)定形的性質(zhì)。 多晶材料（陶瓷） 4． 4 體缺陷 空隙：飽和的晶格空位集聚在一起，形成的空隙，尺寸大約在一個(gè)微米一下；也可能超過(guò)100微米或 1000微米，晶體生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的氣泡。 析出物：雜質(zhì)濃度超過(guò)了其固溶度，以不同的物質(zhì)析出在晶體中，比如氧沉底（ SiO2），碳沉淀（ SiC），形成了異質(zhì)核。 析出物，有個(gè)臨界尺寸，只有大于臨界尺寸的，在晶體結(jié)晶過(guò)程中，才會(huì)穩(wěn)定長(zhǎng)大；小于臨界尺寸的析出物，可能會(huì)再度消失，與其析出速度，溶解速度和濃度，溫度，擴(kuò)散系數(shù)有關(guān)。
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1