《晶體缺陷》ppt課件 (2)-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 克爾缺陷。 在離子晶體中，為了保持電中性和不同離子間的位置關(guān)系，在形成肖特基缺陷時(shí)，新的正、負(fù)離子空位是同時(shí)產(chǎn)生的。固溶體即是一種組成缺陷。 在固態(tài)條件下，一種組分內(nèi)“溶解”了其他組分而而形成的單一、均勻的晶態(tài)固體。 性質(zhì)不同包括： 離子價(jià)態(tài)不同 離子半徑不同 離子電負(fù)性不同 離子的類型和結(jié)構(gòu) 雜質(zhì)，在晶體中的固溶度不同，影響其含量；雜質(zhì)在晶體結(jié)晶過(guò)程中的分凝系數(shù)不同，影響雜質(zhì)在晶體中的分布。 特點(diǎn)：不改變晶體結(jié)構(gòu)，但改變晶胞常數(shù) 連續(xù)固溶體：溶劑和溶質(zhì)任意比例相混溶，分不清溶劑和溶質(zhì)，是相對(duì)的。 （ 3） 固溶體的物理性能可以利用加入的雜質(zhì)離子進(jìn)行調(diào) 節(jié)和改變。 例如： ZnO在 Zn蒸汽中加熱，有些 Zn原子將形成 Zn2+進(jìn)入間隙中而成為 Zn1+xO，這就是非化學(xué)計(jì)量化合物。 如純硅中摻入磷和硼，形成組成缺陷，雜質(zhì)磷原子替代了固有的硅原子，見圖（ B）。在彈性變形范圍內(nèi)，外力移去，晶體回到原始形態(tài)，當(dāng)外力超過(guò)晶體的彈性強(qiáng)度，晶體發(fā)生塑性變形，外力移去，晶體不能回到原始狀體。 （ 2）螺旋位錯(cuò)的集合模型 如圖。 （ 3）位錯(cuò)的滑移和攀移 位錯(cuò)的滑移運(yùn)動(dòng)和攀移運(yùn)動(dòng)是性質(zhì)完全不同的兩種位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)。 刃型位錯(cuò)的滑移 螺位錯(cuò)的滑移 攀移 位錯(cuò)在垂直于滑移面的方向運(yùn)動(dòng)，稱為位錯(cuò)的攀移。當(dāng)一對(duì)正、負(fù)位錯(cuò)在同一滑移面上相遇時(shí)，它們將相互抵消，以為這兩個(gè)半原子面將合并成一個(gè)完整的原子面。 不同狀態(tài)的晶體，位錯(cuò)密度波動(dòng)很大。 本質(zhì)位錯(cuò)環(huán)（晶格空位集聚引起） 外質(zhì)位錯(cuò)環(huán)（間隙原子集聚引起） 面缺陷 晶體的面缺陷是指在晶面的兩側(cè)原子的排列不同，有層錯(cuò)，雙晶缺陷和晶界。 層錯(cuò)破壞了晶體的周期完整性，引起能量升高，通常把產(chǎn)生單位面積層錯(cuò)所需要的能量稱為層錯(cuò)能。 雙晶缺陷是指晶體雙晶接觸，或晶體在特定方向發(fā)生塑性變形，變形區(qū)原子和未變形區(qū)原子在交接處還是緊密接觸（沒(méi)有晶格失配），這種接觸產(chǎn)生的面缺陷，叫 雙晶缺陷 。 ）晶界和大角度（ 10176。 ，可以看成是由一系列刃錯(cuò)位排列而成。 多晶材料（陶瓷） 4． 4 體缺陷 空隙：飽和的晶格空位集聚在一起，形成的空隙，尺寸大約在一個(gè)微米一下；也可能超過(guò)100微米或 1000微米，晶體生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的氣泡
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