【正文】 振片的反射和吸收，則穿過兩個(gè)偏振片后的光強(qiáng)Ｉ為 （Ａ） 2I0． （Ｂ） I04． （Ｃ） I02． （Ｄ） 2I2 3. 如果兩個(gè)偏 振片堆疊在一起，且偏振化方向之間夾角為 60176。，假設(shè)二者對(duì)光無吸收，光 強(qiáng)為Ｉ 0的自然光垂直入射在偏振片上，則出射光強(qiáng)為 （Ａ）Ｉ 0／８． （Ｂ）３Ｉ 0／８． （Ｃ）Ｉ 0／４． （Ｄ）３Ｉ 0／４． 4. 自然光以布儒斯特角由空氣入射到一玻璃表面上，反射光是 （Ａ）在入射面 （Ｂ）３／４． （Ｃ）１／８． （Ｄ）３／８． 答案 真空中的靜電場(chǎng) 15C C D D C 610 D C A D B 1115B C C B D 1620 D B C A D 2125 A C D C A 有導(dǎo)體和介質(zhì)的靜電場(chǎng) 15 C C C A B 610C B B C B 真空中的穩(wěn)定磁場(chǎng) 15 A C B D C 610B C B D B 1115 C A B C A 1620 B C B B D 2125 D B D D B 有介質(zhì)的穩(wěn)恒磁場(chǎng) 15 C C B C D 電磁感應(yīng) 15D C E D D 610 D A B D D 1115 A C A C C 1620 B D D B B 2125 C B B A D 光的干涉 15 A C D B A 610 B D B B C 光的衍射 15 D B D B D 610 B A D C D 光的偏振 15 B B A C C 下學(xué)期大學(xué)物理填空題 選擇題： 1． 如圖，兩根直導(dǎo)線 ab和 cd半徑方向被接到一個(gè)截面處處相等的鐵環(huán)上，穩(wěn)恒電流 I從 端流入從 b端流出，則磁感應(yīng)強(qiáng)沿圖中閉合回路 L的積分 等于： L (A) ( D ) 2. 在一圓形電流外取一個(gè)圓形閉合回路 L, 且 L與圓形 電流同心共面 ,由安培環(huán)路定律 可得 : (C ) L (A) L上各點(diǎn)的 B值一定為零 。 (B) 圓形電流在 L上各點(diǎn)的 B值的矢量和一定為零 。 (C) B沿 L上任一點(diǎn)的切向分量為零 。 (D) 安培環(huán)路定律對(duì)圓電流的磁 場(chǎng)不適用 3. （本題 3分） 真空中一無限長直細(xì)導(dǎo)線上通有電流 I，則距導(dǎo)線垂直距離為 a 的空間某點(diǎn)處的磁能密度為： ( A ) （ A） 1 （ B ） （ C ） () （ D ） () 4. （本題 3分） dB＞ 0的磁場(chǎng)，一任意閉 dt 合導(dǎo)線 abca，一部分在螺線管 ( A ) πR2dBπR232dB) （ A） （ B） 3R2dBπR232dB（ C） . 。 5．如圖所示， AB、 CD為長直導(dǎo)線， BC為圓心在 O點(diǎn)的 一段圓弧形導(dǎo)線，其半徑為 R．若通以電流 I，則 O點(diǎn)的磁 感應(yīng)強(qiáng)度大小為：（ D ）． (A)． 6. 載流長直螺旋管 C ） 7. 自感為 的 線 圈 中 ， 當(dāng) 電 流 在 （ 1/16 ） S （ B ） （ A） （ B） （ C） （ D） 8．氫原子中電子處于 的量子狀態(tài)時(shí)，能夠填充的最大電子數(shù)和 Lz的可能值為： （ D ） (A).8。0、 (C). 8。0、 （ B） . 4。0、(D). 4 。0、 9．（本題 3分） 波長 的 X 射線在石臘上受到康普頓散射，那么，在 οπ方向上所散射的 X2 ο 射線波長是： （ B ） （ A） 。 (B) 10. （本題 3分） 一粒子在一維矩形無限深勢(shì)阱中運(yùn)動(dòng)，其波函數(shù)為： ο1 那么，粒子在 處出現(xiàn)的幾率密度為： （ ） (A).1/2a。 (B).1/a。 (C).1/2a。 (D).1/a 11．根據(jù)玻爾氫原子理論，巴爾末系中譜線最小波長與最大波長之比為：（ ） (A).9/4； （ B） .4/9。 (C).5/9。 (D). 9/5 填空題： ．一半徑 的圓形回路放在 B= 的均勻磁場(chǎng)中．回路平面與 B垂直．當(dāng)回路半徑以恒定速率 dr1 =80cm178。s收縮時(shí)，那么，回路中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小為 ． dt 2. （本題 3分） 真空中沿著負(fù) Z 軸方向傳播的平面電磁波， o 點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度為則 o點(diǎn)處的磁場(chǎng)強(qiáng)度為 已知003．（本題 3分） 充了電的由半徑為 r的兩塊園板組成的平行板電容器，放電時(shí)兩極板上的電場(chǎng)強(qiáng)度的大小為 式中，則兩板間的位移電流的大小為 E0、 R、 C均為常數(shù) RC ，其方向與場(chǎng)強(qiáng)方向。 64．加在平行板電容器極板上的電壓變化率為 ．則該電容器的電容為 。 5．（本題 3分） ,在平板電容器 ； L 。 L 6. （本題 3分） 若一個(gè)光子的能量等于一個(gè)電子的靜能，那么，該光子的頻率為 Hz 、 1222波長 、動(dòng)量 ． (電子的靜止質(zhì)量 22 7. （本題 4分） (已知 在氫原子發(fā)射光譜的巴爾末線系中有一頻率為 的譜線，它是氫 原子從能級(jí) 躍遷到能級(jí) 而發(fā)出的。 8．（本題 3分） 在康普頓效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)中，若散射光波長是入射光波長的 倍，則散射光子的能量 E與反沖電子的動(dòng)能 Ek之比 E/Ek等于。 9. （本題 4分） 當(dāng)氫原子中電子處于 的狀態(tài)時(shí)，軌道角動(dòng)量 及沿 z2 軸分量的大小為 ；自旋角動(dòng)量 及沿 z軸分量的大小為 選擇題 1. 下列說法正確的是（ B ） A 閉合曲面上各點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度都為零時(shí)，曲面 D ） A 電場(chǎng)強(qiáng)度 為零的點(diǎn)，電勢(shì)也一定為零； B電場(chǎng)強(qiáng)度不為零的點(diǎn)，電勢(shì)也一定不為零； C電勢(shì)為零的點(diǎn)，電場(chǎng)強(qiáng)度也一定為零； D 電勢(shì)在某一區(qū)域?yàn)槌Ａ浚瑒t電場(chǎng)強(qiáng)度在該區(qū)域 A ） A Q； B Q； ； 4. 當(dāng)一帶電平衡導(dǎo)體達(dá)到靜電平衡時(shí)（ D ） A 表面上電荷密度較大處電勢(shì)較高； B表面曲率較大處電勢(shì)較高； C導(dǎo)體 A ） A. a點(diǎn)最大 B. b 點(diǎn)最大 C. c點(diǎn)最大 二、 填空題 靜止電荷 q在距離 r處的電場(chǎng)強(qiáng)度 E為 ，電勢(shì) U為 2. 一靜電平衡的球形導(dǎo)體，球心 O 處的電勢(shì)為 V0，則導(dǎo)體內(nèi) P 處的電勢(shì)為V0， 場(chǎng) 強(qiáng)為 0。 三、 計(jì)算題 設(shè)勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度 E 與半徑為 R 的半球面對(duì)稱軸平行。試計(jì)算通過此半球面的電 場(chǎng)強(qiáng)度通量。 解：如圖所示，將半球面和半球面的邊緣所圍成的平面構(gòu)成一個(gè)封閉曲面，由高斯定理容易得： 高斯面半球面 平面 由上式可得通過半球面的電場(chǎng)強(qiáng)度通量為： 半球面 平面 2. （ 12 分）兩個(gè)同心球面的半徑分別為 R1 和 R2（ ），各自帶有電荷Q1和 Q2。 求：（ 1）各區(qū)域的電勢(shì)分布；（ 2）兩球面上的電勢(shì)差為多少？ 解：由電荷分布具有球?qū)ΨQ性，因此作一半徑為 r的同心球面做高斯面，由高斯定理得： 表示高斯 面所包圍的凈電荷 高斯面 in當(dāng) 時(shí)， ，由高斯定理可解得： 當(dāng) 時(shí)， 由高斯定理可解得： 當(dāng) 時(shí)， 由高斯定理可解得： 1 以無窮遠(yuǎn)處為零電勢(shì)，積分路徑選擇為徑向，則由電勢(shì)積分表達(dá)式 當(dāng)時(shí)， 1 r 當(dāng) 時(shí)， R2 r 1 當(dāng) 時(shí)， r R1R2 R1 兩球面之間的電壓為： 2 R1 Q1 3 810 均勻帶電球殼 4π32 4π33 (r外 半徑為 R1和 R2(R2 ＞ R1)的兩無限長同軸圓柱面，單位長度上分別帶有電量 和 試求 :(1)r＜ R1； (2) R1＜ r＜ R2； (3) r＞ R2處各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)． 解 : 高斯定理 取同軸圓柱形高斯面，側(cè)面積 則 對(duì) ∴ 沿徑向向外 2π0r