緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)-資料下載頁
2025-05-13 04:23本頁面
【正文】 ? ?????????口口2pE E E GiE2nE B 1 iB B 1pE EGnE B 1e xp1 1 e xpJ R R EnJ R n R k TJ REJ R k T????? ? ? ???????? ? ? ? ????口口口口口口NE 增大而下降，從而導(dǎo)致 α 與 β 的下降。 增大而先增大。但當(dāng) NE 超過 ( 1 ~ 5 ) 1019 cm3 后， γ 反而隨 隨著 NE 的增大， 減小， 增大， γ 隨 NE 1BE口口RR?????? ?kTE Gex pEGB11 e x pRER k T? ????? ????口口 (2) 俄歇復(fù)合增強(qiáng) ??????????EEE DN? ??EL ????? ?????pEJ 基區(qū)陷落效應(yīng) 當(dāng)發(fā)射區(qū)的磷摻雜濃度很高時(shí)，會使發(fā)射區(qū)下方的集電結(jié)結(jié)面向下擴(kuò)展，這個(gè)現(xiàn)象稱為 基區(qū)陷落效應(yīng) 。 由于基區(qū)陷落效應(yīng)，使得結(jié)深不易控制，難以將基區(qū)寬度做得很薄。 為了避免基區(qū)陷落效應(yīng)，目前微波晶體管的發(fā)射區(qū)多采用砷擴(kuò)散來代替磷擴(kuò)散。 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 （ HBT） 式中， ，當(dāng) 時(shí)， ，則 GEGBG EEE ??? GBGE EE ? 0G ??E?????? ?????kTERRRRGB1EB1Ee x p11口口異口口同??1ex p G ??????? ?kTE同異 ?? ? 若選擇不同的材料來制作發(fā)射區(qū)與基區(qū)，使兩區(qū)具有不同的禁帶寬度，則 常見的 HBT 結(jié)構(gòu)是用 GaAs 做基區(qū)， AlxGa1xAs 做發(fā)射區(qū)。另一種 HBT 結(jié)構(gòu)是用 SiGe 做基區(qū)， Si 做發(fā)射區(qū)。 HBT 能提高注入效率，使 β 得到幾個(gè)數(shù)量級的提高。或在不降低注入效率的情況下，大幅度提高基區(qū)摻雜濃度，從而降低基極電阻，并為進(jìn)一步減薄基區(qū)寬度提供條件。 在 SiGe HBT 中，可通過使基區(qū)中半導(dǎo)體材料組分的不均勻分布，得到緩變的基區(qū)禁帶寬度。與緩變的基區(qū)摻雜濃度類似，緩變的基區(qū)禁帶寬度也將在基區(qū)中產(chǎn)生一個(gè)對少子起加速作用的內(nèi)建電場，降低少子的基區(qū)渡越時(shí)間。
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