【正文】 x p 1dWq D n q VkTNx??????????????? 上式實(shí)際上也可用于均勻基區(qū)晶體管。 發(fā)射區(qū)重?fù)诫s的影響 重?fù)诫s效應(yīng)： 當(dāng)發(fā)射區(qū)摻雜濃度 NE 太高時(shí)，不但不能提高注入效率 γ ，反而會(huì)使其下降，從而使 α 和 β 下降。與緩變的基區(qū)摻雜濃度類似，緩變的基區(qū)禁帶寬度也將在基區(qū)中產(chǎn)生一個(gè)對(duì)少子起加速作用的內(nèi)建電場(chǎng)，降低少子的基區(qū)渡越時(shí)間。 對(duì)于均勻基區(qū) 晶體管 ， B2Bb0 2lim DW???? 可見， 內(nèi)建電場(chǎng)的存在使少子的基區(qū)渡越時(shí)間大為減小。 BB0Bbn E n E( ) dWq n x xQJJ? ?? ????????? ??????1122 B2Bb DW?2Bn2112W eD?? ? ????? ? ? ?????? ?BnE BBn1 e xp 1() xWJWnxqD??? ? ??????? 利用上面得到的基區(qū)渡越時(shí)間 ?b ，可得 緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù) 為 ???????? ???????????? 112211 2B2BBbLW?? 注入效率與電流放大系數(shù) 22 BEnE p B 1 n i2 BEp n B 1 ie xp 1e xp 1qVJ q R D nkTqVqk T R nkT????????? ?????????????? ????????口口BB1pB01dWRq N x???口 根據(jù)非均勻材料方塊電阻表達(dá)式，緩變基區(qū)的方塊電阻為 于是 JnE 可表示為 B2n i B EnEB0e x p 1dWq D n q VJkTNx??????????????? 已知 （ 343a） 類似地，可得從基區(qū)注入發(fā)射區(qū)的空穴形成的電流密度為 式中， 2 BEn E n p B 1 i e x p 1qVJ q k T R nkT????????????????口2 BEp E n p E i e x p 1qVJ q k T R nkT????????????????口EEnE01dWRq N x???口（ 343a） （ 343b） 1BE1BEnEpEpEnEnEEnE