緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)-全文預(yù)覽
【正文】 的禁帶寬度，則 常見的 HBT 結(jié)構(gòu)是用 GaAs 做基區(qū)， AlxGa1xAs 做發(fā)射區(qū)。 增大而先增大。 式中， nErE1B口ErEpEnEnEEnE11JJRRJJJJJJ???????口? 當(dāng) JrE 不能被忽略時，注入效率為 ?????? ?? kTqVnL NxJJ 2e x p2 BEiBEdnErEnErEJJ 隨著電流增大， 減小，當(dāng) 但仍不能被忽略時， nErEJJ 1nErE ??JJnErE1BE1JJRR ???口口? 當(dāng)電流繼續(xù)增大到 可以被忽略時，則 nErEJJ1BE1口口RR??? 當(dāng)電流很大時， α 又會開始下降，這是由于大注入效應(yīng)和基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)引起的。 在前面的積分中將下限由 0 改為基區(qū)中任意位置 x ，得 Bn B BnEB( ) ( )dWxqD n x N xJNx??由上式可解出 nB (x) 為 ? ?? ?BBBBnBnEBn B BBnE Bn( ) ( ) d()0 e x p d()1 e x p 1WnExWxJn x N x xq D N xJ xNxq D N x WxWJWqD???????? ????? ? ?????????Bn B BnEB0( 0) ( 0)dWqD n NJNx?? 對于均勻基區(qū)， ? ? ? ?nE BBB0 n B Bl im 1 0 1JW xxn x nqD W W? ?? ? ? ?? ? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ? 對于 緩變基區(qū)晶體管， 當(dāng) 較大時，上式可簡化為 基區(qū)渡越時間與輸運(yùn)系數(shù) 注：將 Dn 寫為 DB ，上式可同時適用于 PNP 管和 NPN 管。 基區(qū)內(nèi)建電場的形成 NB(x) NB(WB) NB(0) WB 0 x 在實際的緩變基區(qū)晶體管中， 的值為 4 ~ 8 。 P N+ N 0 xjc xje NE(x) NB(x) NC x 0 xjc xje 本節(jié)求基區(qū)輸運(yùn)系數(shù) 的思路 BbnE
試題試卷相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1