緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)-預(yù)覽頁
【正文】 QJ? ? 進(jìn)而求出基區(qū)渡越時間 bB1 ?? ?? ?? 將 E 代入少子電流密度方程，求出 JnE 、 nB (x) 與 QB 令基區(qū)多子電流密度為零，解出基區(qū)內(nèi)建電場 E 最后求出 ?? bB1 ?? ?? ?? 基區(qū)雜質(zhì)分布的不均勻會在基區(qū)中產(chǎn)生一個內(nèi)建電場 E ，使少子在基區(qū)內(nèi)以漂移運動為主， 所以 緩變基區(qū)晶體管又 稱為漂移晶體管。對于均勻基區(qū)晶體管， NB 為常數(shù)，這時 2n B n i B EnEB B B( 0 ) e x p 1q D n q D n q VJW W N k T????? ? ????????? 下面求基區(qū)少子分布 nB (x) 。 當(dāng)電流很小時，相應(yīng)的 VBE 也很小，這時 很大，使 γ 減小，從而使 α 減小。 發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng) 對于室溫下的硅 ， 21sE2sG 163??????????kTNqqE???12EG 1822 .5 [ m e V ]10NE ???????? (1) 禁帶變窄 GE?VE VECECE?GEGE? 發(fā)射區(qū)禁帶變窄后，會使其本征載流子濃度 ni 發(fā)生變化， 2 GiB C V2 2 2G G GiE C V iB iBe x pe x p e x pEn N NkTE E En N N n nk T k T???? ????? ? ?? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?2 BEnE p n B 1 iB2 BEpE p n E iEe xp 1e xp 1qVJ qk T R nkTqVJ qk T R nkT????????? ? ?????????????? ? ?????????口口2pE E E GiE2nE B 1 iB B 1pE EGnE B 1e xp1 1 e xpJ R R EnJ R n R k TJ REJ R k T????? ? ? ???????? ? ? ? ????口口口口口口NE 增大而下降，從而導(dǎo)致 α 與 β 的下降。 為了避免基區(qū)陷落效應(yīng)，目前微波晶體管的發(fā)射區(qū)多采用砷擴散來代替磷擴散?；蛟诓唤档妥⑷胄实那闆r下，大幅度提高基區(qū)摻雜濃度，從而降低基極電阻，并為進(jìn)一步減薄基區(qū)寬度提供條件
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