【導(dǎo)讀】的性能以及當(dāng)前基礎(chǔ)性研究的現(xiàn)狀,并對其發(fā)展進行了展望。阻器未來的發(fā)展趨勢是生產(chǎn)低壓高能多層式ZnO壓敏電阻器。加劑的作用機理。TiO2的添加促進了ZnO晶粒的長大,進一步減小了。特別是毫微米級膠體TiO2添加劑的使用,為低電壓。ZnO壓敏電阻器的制造提出了新的方法。一般,低電壓ZnO壓敏陶瓷的適當(dāng)燒。結(jié)溫度不應(yīng)超過1250℃。這些影響為研究低電壓ZnO壓敏電阻提供。了有效、合理的方法。ZnO壓敏電阻是一種多功能新型陶瓷材料,它是以ZnO為主體,純ZnO具有線性V-I特性的非化學(xué)計量n型半導(dǎo)體。有非線性,在ZnO中引入各種氧化物。Bi2O3被認(rèn)為是壓敏電阻的組成成分,不加它的話很難獲得壓敏電阻。主缺陷支配著耗盡層,而受主或類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)。等的遷移能夠形成缺陷引起的勢壘。數(shù)a有關(guān),隨著燒結(jié)溫度的升高,低壓ZnO陶瓷的壓敏場強E1mA下降,由上式可見,欲制得低壓高能壓敏電阻器,關(guān)鍵是制。溫度超過1100℃后,晶粒生長速度相對變慢。