外文翻譯(中文)摻雜tio2的zno-bi2o3壓敏電阻器的性能及發(fā)展-全文預(yù)覽
【正文】 TiO2添加劑對 ZnO 壓敏陶瓷的電位梯度影響最大 ,可作為晶粒助長劑 ,其作用機(jī)理在于固相傳質(zhì)。因此 ,燒成溫度超過 1100℃后 ,晶粒生長速度相對變慢。由此可見 ,促進(jìn)晶粒增大 ,即增大 do 是降低 壓敏電壓 [14~15]、制 作低壓壓敏電阻器的有效途徑。元件厚度減薄后 , 不但元件的機(jī)械強(qiáng)度降低 ,而且通流容量減小。從 SEM 和 XRD 分析可以發(fā)現(xiàn) ,因Bi2O3 的熔點較低 ,過高的燒結(jié)溫度會使 Bi 原子大量的揮發(fā) ,一方面使ZnO 壓敏陶瓷產(chǎn)生大量的氣孔 , 從而使其結(jié)構(gòu)均勻性變差 ,最終導(dǎo)致樣品的電學(xué)性能變壞 。因為 Bi2O3 的熔點比 ZnO 和其它添加劑的熔點低得多 ,在溫度較低時就可熔化為液相 ,此液相推動其它氧化物均勻地分布在 ZnO 晶粒和晶界中 ,而冷卻時由于 Br3+離子半徑 (0. 110nm)遠(yuǎn)比 Zn2+( 0. 074nm)大 ,不能進(jìn)入 ZnO晶粒而偏析在晶界 ,導(dǎo)致各種添加劑都向晶界偏聚 , 形成一個很薄的界面 , 使晶界勢壘很高 , 從而提高了 ZnO 壓敏電阻器的非線性系數(shù) ,使耐電流通流能力提高 [8,9]。 1 .4 ZnO 壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu) 一般認(rèn)為 ,在壓敏電阻瓷中 ,除主晶相晶粒與晶界相外 ,還有其它物質(zhì)相 ,例如還顯存在著富鉍相、尖晶石相、焦綠石相等 (見圖 2)。熱電子發(fā)射和隧道效應(yīng)是主要的傳輸機(jī)制。這些氧化物的引入 , 在晶粒和晶粒邊界處形成原子缺陷 ,施主或類施主缺陷支配著耗盡層 ,而受主或類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)。在已出版的論中可以找到有關(guān)于它的化學(xué)性能、物理性能、電氣性能和微觀結(jié)構(gòu)的研究 [1,2]。 關(guān)鍵詞 ZnO 壓敏電阻器 性能 發(fā)展 添加劑 Bi2O3 TiO2 晶粒生長 ZnO 壓敏電阻是一種多功能新型陶瓷材料 ,它是以 ZnO 為主體 ,添加若干其它氧化物 (主要為過渡金屬氧化物 )改性 ［ 1］ 的燒結(jié)體材料。特別是毫微米級膠體 TiO2 添加劑的使用，為低電壓ZnO 壓敏電阻器的制造提出了新的方法。中文 4700 字 摻雜 TiO2的 ZnOBi2O3壓敏電阻器的性能及發(fā)展 傅靜 徐政 ( 同濟(jì)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 , 上海 202092) 摘要 本文回顧了 ZnO 壓敏電阻的歷史 ,闡述了 ZnO 壓敏電阻器的性能以及當(dāng)前基礎(chǔ)性研究的現(xiàn)狀 ,并對其發(fā)展進(jìn)行了展望。 TiO2 的添加 促進(jìn)了 ZnO 晶粒的長大，進(jìn)一步減小了晶界擊穿電壓。這些影響為研究低電壓 ZnO 壓敏電阻提供了有效 、合理的方法。 一 基本性能 ZnO 壓敏電阻的高非線性系數(shù)特點與它的燒結(jié)體的顯微結(jié)構(gòu)有關(guān)。這些氧化物中最主
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