外文翻譯---對用高溫高壓連續(xù)流微反應(yīng)合成磷化銦納米晶體的研究-資料下載頁
2025-05-12 09:56本頁面
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【正文】 作 之上 來探測 重要的 實驗參數(shù) 包含 InP 納米晶體的合成。我們發(fā)現(xiàn)的增長主要來自 InP 納米晶體老化的狀態(tài) ,這是用一種模型一致 InP 納米晶體增長 ,主要是 無分子狀態(tài)組成的 納米晶體生長過程 ,如聚結(jié)從 無分子狀態(tài) InP 物種和顆粒成熟過程。 InP 增長模式相比之下以分子為基礎(chǔ)的增長和硫化鋅奈的觀測和硒化鉛納米晶體。我們觀察到納米晶體的大小主要取決于銦濃度溶液中游離脂肪酸和老化溫度。其他實驗參數(shù)如 注入 溫度和粒子濃度似乎沒有明顯影響 磷化銦 納米晶體大小或粒徑分布。此外 ,我們探測生長能力更大 的非晶 InP 通過 順序注射進下一階段的前身的微流控反應(yīng)堆。利用高溫和高壓連續(xù)微流體系統(tǒng)允許用一種更廣泛的選擇溶劑 ,前兆 ,和配體系統(tǒng) ,提供一個大大提高了參數(shù)空間探索 的 合成條件。利用高壓低分子量溶劑提供了超臨界條件下可調(diào)從液體到 液狀物 ,提供高擴散率 ,改善混合 ,并能夠進入溶劑溶解各種采用傳統(tǒng) 方法合成的 化合物納米晶體。 [使用超臨界流體萃取反應(yīng)堆結(jié)果在窄停留時間分布、生產(chǎn)同質(zhì)的反應(yīng)條件對合成晶態(tài)的理想。微流體系統(tǒng)允許精確控制反應(yīng)條件和再現(xiàn)性由于嚴格控制的傳熱傳質(zhì)。此外 ,微流體 系統(tǒng)能夠被用于快速篩查的反應(yīng)參數(shù)與原位反應(yīng)監(jiān)測。圖 1說明了我 們真正連續(xù)三階段微流體系統(tǒng)組成的混合、老化、以及順序注射階段操作壓力為 65巴 . 圖一：三階段的高溫高壓微流系統(tǒng) a)混合階段 b)老化階段 c)通過六個額外的注入管道的順序注入的微反應(yīng)。管道的寬度和深度范圍為 80到 400微米之間。順序注射的微反應(yīng)包括伴隨高流阻的壓降區(qū)，來 獲得均勻分布的注射 ,以防止任何回流。 5 沒有將任何人工合成步驟之間的批處理操作。 [2 h]我們將每個階段以獨立調(diào)查的混合和衰老的過程。前兩個階段的反應(yīng)堆被用作系統(tǒng)研究納米晶體形成的銦 (圖 1 a,b)?；旌戏磻?yīng)器的溫度 維持 在恒溫下用來調(diào)節(jié) 不同溫度混合的影響。 另外， 第一反應(yīng)階段可以加熱到創(chuàng)建一個溫度梯度以相對較窄的粒徑分布 來 迅速獲取高度結(jié)晶 InP 奈 (參見圖 S1的支持信息 )。第二個 (老化 )階段的反應(yīng)堆操作溫度從 200 340 C 用來研究 老化溫度 的 作用。在第三階段的系統(tǒng) ,連續(xù)的 注入反應(yīng)堆 (圖 1 c)被用來供給 更多的 分子 使 InP 納米晶體 得到進一步的增加 。 就 大多數(shù) InP 合成納米晶體 來說 ,利用超臨界辛烷 (Tc = 8 C 和 Pc = m Pa)無論是老化和連續(xù)增長反應(yīng)堆被維持 在 320 C。辛烷被選為溶劑 是 為 了提供 更好 的混合、快速擴散系數(shù) ,以及足夠的密度 ,，使所有的試劑得到溶解 。 6 指導(dǎo)教師審閱意見 ： 指導(dǎo)教師： 2020 年 3 月 12 日
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