【導(dǎo)讀】生產(chǎn)正處于傳統(tǒng)農(nóng)業(yè)向現(xiàn)代化農(nóng)業(yè)轉(zhuǎn)型的重要時(shí)期。產(chǎn)力質(zhì)的飛躍，必須大力發(fā)展信息技術(shù)這一管理和傳播手段。應(yīng)用前景和發(fā)展?jié)摿?，?duì)于提高勞動(dòng)者素質(zhì)，實(shí)現(xiàn)農(nóng)業(yè)現(xiàn)代化有著重要意義。本文主要研究了人工智能、知識(shí)庫(kù)建立，數(shù)據(jù)庫(kù)建立，推理系統(tǒng)設(shè)計(jì)。提出了設(shè)計(jì)方案并予以實(shí)現(xiàn)。通過(guò)對(duì)經(jīng)典專家系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法的研究和分析發(fā)現(xiàn)，多知。識(shí)庫(kù)、多主體特性是專家系統(tǒng)發(fā)展的趨勢(shì)。完成了相應(yīng)的硬件電路，和軟件程序編譯，為了實(shí)現(xiàn)葡萄葉部病害的準(zhǔn)確診斷，斷的調(diào)試，初步完成了葡萄葉部病害的診斷。步研究奠定基礎(chǔ)。整理和詳盡的用戶需求分析的基礎(chǔ)。定性推理模型算法。本文著重圍繞著以下問(wèn)題開(kāi)展了研究工作：。應(yīng)用該葡萄葉部疾病診斷系統(tǒng)，初步診斷葡萄葉部病害的幾種類型。工智能發(fā)展趨勢(shì)的[1]。本上解決目前我國(guó)所開(kāi)發(fā)的農(nóng)作物疾病診斷專家系統(tǒng)不能適合于現(xiàn)地使用的問(wèn)題[2],解決農(nóng)作物疾病專家不足問(wèn)題,保證現(xiàn)代農(nóng)業(yè)的健康發(fā)展[3]。

　　

【正文】 ，但振蕩器停正工作并禁正其它所有部件工作到下一個(gè)硬件復(fù)位。 30 引腳功能說(shuō)明： Vcc：電源電壓 GND：地 PO口： PO口是一組 8位漏極開(kāi)路型雙向 I/O口 ，也即地址 /數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時(shí)，每位能吸收電流的方式驅(qū)動(dòng) 8個(gè) TTL邏輯門(mén)電路，對(duì)端口寫(xiě) “ I” 可作為高阻抗端用。 在訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí)，這組日線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址 (低 8位 )和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問(wèn)期間激活內(nèi)部上拉電阻。 在 Flash編程時(shí)， PO接收指令字節(jié)，而在 程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)，校驗(yàn)時(shí)，要求外接上拉電阻。 P1口： P1是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電陰的 8位雙向 I/O口， P1的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng) (吸收或輸出電流 )4個(gè) TTL邏輯 Il電路。對(duì)端口寫(xiě)“ 1”，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。作輸入口使用時(shí)，囚為內(nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信口拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流 (IIL)。 Flash編程和程序校驗(yàn)期間， P1接收低 8位地址。 31 P2口 :P2是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O日， P2的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng) (吸收或輸出電流 )4個(gè) TTL邏輯門(mén)電路。對(duì)端口寫(xiě)“ 1”， 通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口，作輸入口使用時(shí)，囚為內(nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信口拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流 (IIL)。 在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或 16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 (例如執(zhí)行 MOVX @DPTR指令 )時(shí)， P2口送出高 8位地址數(shù)據(jù)。在訪問(wèn) 8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 (如執(zhí)行 MOVX @RI指令 )時(shí)， P2口線上的內(nèi)容 (也即特殊功能寄存器（ CSFR）區(qū)中 R2寄存器的內(nèi)容 )，在整個(gè)訪問(wèn)期間小改變。 Flash編程或校驗(yàn)時(shí)， P2亦接收高位地址和其它控制信號(hào)。 P3口： P3口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻 的 8位雙向 I/O口。 P3口輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng) (吸收或輸出電流 )4個(gè) TTL邏輯門(mén)電路。對(duì) P3口寫(xiě)入 “1” 時(shí)，它們被內(nèi)部上拉電阻陰級(jí)拉高并可作為輸入端口。作輸入端時(shí)，被外部拉低的 P3口將用上拉電阻輸出電流 (IIL)。 P3日除了作為一般的 I/O口線外，更重要的用途是它的第二功能，如下表所示： P3口還接收一些用于 Flash閃速存儲(chǔ)器編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。 RST：復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí)， RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位 ALE/PROG：當(dāng)訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)， ALE(地址 鎖存允許 )輸出脈沖用于鎖存地址的低 8位字節(jié)。即使訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器， ALE仍以時(shí)鐘振蕩頻率的 1/6輸出固定的正脈沖信號(hào)，因此它可對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)口的。要注意的是 :每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè) ALE脈沖。 32 對(duì) Flash存儲(chǔ)器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖 (PRaG)。 如有必要，可通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器（ SFR）區(qū)中的 8EH單元的 DO位置位，可禁止ALE操作。該位置位后，只有一條 MOVX和 MOVC指令 ALE會(huì)被激活。此外，該引腳會(huì)被微弱拉高，單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí)，應(yīng)設(shè)置 ALE無(wú)效。 PSEN： 程序儲(chǔ) 存允許（ PSEN）輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)，當(dāng) AT89C51由外部程序存儲(chǔ)器取指令據(jù)（或數(shù)據(jù) )時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩次 PSEN有效，即輸出兩個(gè)脈沖。在此期間，當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，這兩次有效的 PSEN出現(xiàn)。 EA/VPP：外部訪問(wèn)允許。欲使 CPU僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器 (地址 OOOOHFFFFH)EA端必須保持低電平 (接地 )。需注意的是：如果加密位 LB1被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存EA端狀態(tài)。 如 EA端為高電平 (接 Vcc端 )， CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。 Flash存儲(chǔ)器編程時(shí)，該引腳加上 +12V的 編程允許電源 Vpp，當(dāng)然這必須是該器件是使用 12V編程電壓 Vpp。 XTAL1：振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。 XTAL2：振蕩器反相放大器的輸出端。 時(shí)鐘振蕩器 AT89C51中有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器，引腳 XTAL1和 XTAL2分別是該放大器的輸入端和輸出端。這個(gè)放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器，振蕩電路參見(jiàn)圖 5。 外接石英晶體 (或陶瓷諧振器 )及電容 C1， C2接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。對(duì)外接電容 C1， C2雖然沒(méi)有十分嚴(yán)格的要求， 但電容容量的大小會(huì)輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性，如果使用石英晶體，我們推薦電容使用 30pF士 IOpF，而如使用陶瓷諧振器建議選擇 40pF士 IOFo 用戶也可以采用外部時(shí)鐘。采用外部時(shí)鐘的電路如圖 5右圖所示。這種情況下，外部時(shí)鐘脈沖接到 XTAL1端，即內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端， XTAL2則懸空。 33 由于外部時(shí)鐘信號(hào)是通過(guò)一個(gè) 2分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的，所以對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的占空比沒(méi)有特殊要求，但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符和產(chǎn)品技術(shù)條件的要求。 空 閑節(jié)電模式 AT89C51有兩種可用軟件編程的省電模式，它們是空閑模式和掉電工作模式。這兩種方式是控制專用寄存器 PCON(即電源控制寄存器 )中的 PD()和 IDL()位來(lái)實(shí)現(xiàn)的。 PD是掉電模式，當(dāng) PD=1時(shí)，激活掉電工作模式，單片機(jī)進(jìn)入掉電工作狀態(tài)。 IDL是空閑等待方式，當(dāng) IDL=1，激活空閑工作模式，單片機(jī)進(jìn)入睡眠狀態(tài)。如需同時(shí)進(jìn)入兩種工作模式，即 PD和 IDL同時(shí)為 1，則先激活掉電模式。 在空閑工作模式狀態(tài)， CPU保持睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài)，這種方式由軟件產(chǎn)生。此時(shí)， 片內(nèi) RAM和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容保持小變?？臻e模式可由任何允許的中斷請(qǐng)求或硬件復(fù)位終止。 終止空閑工作模式的方法有兩種，其一是任何一條被允許中斷的事件被激活， IDL ()被硬件清除，即刻終止空閑工作模式。程序會(huì)首先響應(yīng)中斷，進(jìn)入中斷服務(wù)程序，執(zhí)行完中斷服務(wù)程序并緊隨 RETI(中斷返回 )指令后，下一條要執(zhí)行的指令就是使單片機(jī)進(jìn)入空閑模式那條指令后而的一條指令。 其二是通過(guò)硬件復(fù)位也可將空閑工作模式終止。需要注意的是，當(dāng)由硬件復(fù)位來(lái)終止空閑工作模式時(shí)， CPU通常是從激活空閑模式那條指令的下一條指 令開(kāi)始繼續(xù)執(zhí)行程序的，要完成內(nèi)部復(fù)位操作，硬件復(fù)位脈沖要保持兩個(gè)機(jī)器周期 (24個(gè)時(shí)鐘周期 )有效，在這種情況下，內(nèi)部禁止 CPU訪問(wèn)片內(nèi) RAM，而允許訪問(wèn)其它端口。為了避免可 34 能對(duì)口產(chǎn)生意外寫(xiě)入，激活空閑模式的那條指令后一條指令應(yīng)是一條對(duì)端口或外部存儲(chǔ)器的寫(xiě)入指令。 掉電模式 在掉電模式下，振蕩器停止工作，進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi) RAM和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止比掉電模式前被凍結(jié)。退出掉電模式的唯一方法是硬件復(fù)位，復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器但小改變 RAM中的內(nèi)容，在Vcc恢復(fù)到正常 工作電平前，復(fù)位應(yīng)無(wú)效，且必須保持一定時(shí)間以使振蕩器重啟動(dòng)并穩(wěn)定工作。