表面處理技術(shù)概論-第5章氣相沉積技術(shù)(編輯修改稿)
2025-04-01 02:53 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ? CVD ? CVDCVD ≈500 ≈1200 ≈1200 ≈1200 ≈500 ≈1000 ? CVD56 CVD 200 ≈400 ≈500 CVD CVD SiH4O2 SiO2 SiO2 Si3N4 SiO2 Si3N4 SiO2 ≈800 SiH4NH3 SiH4CO2 H2 SiCl4,CO2H2 SiH4 Si3N4 SiO2 SiO2 ≈1200 SiH4H2 SiCl4H2 Si ? IC400IC1000 ? (PCVD)300100 1012 cm3 1 10eV104K298 573K ? CVD ? (MOCVD) ? MOCVD(10 9 ) ? MOCVD (MBE)( ) ?CVD—H2 SiCl4Si CVD CVD ? PECVD ? PECVD ? PECVD ? PECVD (PECVD) ?(PECVD) CVD PECVD Si3N4 SiH4 NH3(N2) 700 900 300 500 SiO2 SiH4 N2O 900 1200 200 300 Al2O3 AlCl3 O2 700 1000 200 500 ? ? ? PECVD ? PECVDPECVD 1 PECV
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