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表面處理技術(shù)概論-氣相沉積技術(shù)(編輯修改稿)

2025-04-01 02:53 本頁面

　

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 200≈400≈500CVD CVD SiH4O2 SiO2 SiO2 Si3N4 SiO2 Si3N4 SiO2 ≈800SiH4NH3 SiH4CO2 H2 SiCl4,CO2H2 SiH4 Si3N4 SiO2 SiO2 ≈1200 SiH4H2 SiCl4H2 Si ? IC400IC1000 ? (PCVD)300100 1012 cm3 1 10eV104K298 573K ? CVD ? (MOCVD) ? MOCVD(10 9 ) ? MOCVD (MBE)( ) ?CVD—H2 SiCl4Si CVD CVD ? PECVD ? PECVD ? PECVD ? PECVD (PECVD) ?(PECVD) CVD PECVD Si3N4 SiH4 NH3(N2) 700 900 300 500 SiO2 SiH4 N2O 900 1200 200 300 Al2O3 AlCl3 O2 700 1000 200 500 ? ? ? PECVD ? PECVDPECVD 1 PECVD αGe αC αSiCCVD ? DCPECVD ZnSn ZnS Ge Al2O3 /eV /μm 5μm dn/dT/(103/K) /[W/(cm?K)] /( 106/K) /MPa ~ 20 83000 20 1370

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