【文章內(nèi)容簡介】 。 有效焦點尺寸 d 按附錄 E（規(guī)范性附錄）的規(guī)定計算。 采用源在內(nèi)中心透照方式周向曝光時，只要得到的底片質量符合 要求， f值可以減小，但減小值不應超過規(guī)定值的 50%。 采用源在內(nèi)單壁透照方式時，只要得到的底片質量符合 ， f值可以減小，但減小值不應超過規(guī)定值的20%。 理解：（ 1）確定射線源至工件表面的最小距離與檢測技術級別有關。（ 2）鼓勵和提倡采用內(nèi)透法特別是中心內(nèi)透法。 體現(xiàn)了采用單壁透照的原則。減少透照厚度，有利與檢驗缺陷；減少照射角，有利裂紋檢出。 應用：（ 1）由諾模圖中可直接得出射線源至工件表面最小距離（ 2）工件表面至膠片的距離應根據(jù)透照方式確定，同時應考慮焊縫余高和墊板（雙壁單影、單壁單影）的厚度 注意：由諾模圖中給出的數(shù)據(jù)是射線源至工件表面的最小距離。 曝光量 Ｘ射線照相，當焦距為 700mm時，曝光量的推薦值為： A級和 AB級射線檢測技術不小于 15mAmin； B級射線檢測技術不小于 20mAmin。當焦距改變時可按平方反比定律對曝光量的推薦值進行換算。 采用 γ射線源透照時 , 總的曝光時間應不少于輸送源往返所需時間的 10倍。 理解：（ 1）曝光量的大小與焦距有關 （ 2）曝光量的選擇與檢測技術級別有關 （ 3）采用 γ射線源透照時，在某一時段焦距是在不斷變化，為保證底片質量，從而確定了總的曝光時間 應用：以 AB級為例：當焦距 700mm時，曝光量應大于或等于 15mAmin、當焦距大于 700mm時，曝光量應大于 15mAmin、當焦距小于 700mm時，曝光量可小于或等于 15mAmin、焦距改變時按平方反比定律對曝光量的推薦值進行換算。 注意：對小口徑薄壁管采用 γ射線源透照時，強度不宜太大 曝光曲線 對每臺在用射線設備均應做出經(jīng)常檢測材料的曝光曲線，依據(jù)曝光曲線確定曝光參數(shù)。 制作曝光曲線所采用的膠片、增感屏、焦距、射線能量等條件以及底片應達到的靈敏度、黑度等參數(shù)均應符合本部分的規(guī)定。 對使用中的曝光曲線，每年至少應校驗一次。射線設備更換重要部件或經(jīng)較大修理后應及時對曝光曲線進行校驗或重新制作。 理解：（ 1）曝光曲線是針對 X射線機 （ 2）每臺 X射線機必須有曝光曲線且不能混用 （ 3）射線設備重要部件是指 X射線管和高壓包 應用：（ 1）曝光曲線橫坐標上的厚度應是穿透厚度（ 2）當實際拍片的條件與制作曝光曲線的條件不一致時，必須對曝光曲線作相應的修正。 注意：曝光曲線的校驗日期（至少每年一次） 無用射線和散射線屏蔽 應采用金屬增感屏、鉛板、濾波板、準直器等適當 措施，屏蔽散射線和無用射線，限制照射場范圍。 對初次制定的檢測工藝或當在使用中檢測工藝的 條件、環(huán)境發(fā)生改變時 ,應進行背散射防護檢查。 檢查背散射防護的方法是：在暗盒背面貼附“ B”鉛字標記，一般 B鉛字的高度為 13mm、厚度為 ,按檢測工藝的規(guī)定進行透照和暗室處理。若在底片上出現(xiàn)黑度低于周圍背景黑度的“ B”字影像，則說明背散射防護不夠 ,應增大背散射防護鉛板的厚度。若底片上不出現(xiàn) “ B”字影像或出現(xiàn)黑度高于周圍背景黑度的“ B”字影像，則說明背散射防護符合要求。 理解：（ 1）金屬增感屏、鉛板、濾波板、準直器等是屏蔽和控制散射線的主要器件 （ 2）屏蔽和控制散射線與檢測技術級別無關 （ 3）背散射檢查的前提條件（初次制定的檢測工藝或當在使用中檢測工藝的條件、環(huán)境發(fā)生改變） 應用：對不是初次制定的檢測工藝或在使用中檢測工藝的條件、環(huán)境未發(fā)生變化時，不用每次都進行背散射檢查 注意：在薄工件或不用增感屏時，有時會出現(xiàn)黑度高于周圍背景黑度的“ B”字影像 像質計的使用 像質計一般應放置在工件源側表面焊接接頭的一端（在被檢區(qū)長度的 1/4左右位置） ,金屬絲應橫跨焊縫，細絲置于外側。當一張膠片上同時透照多條焊接接頭時 ,像質計應放置在透照區(qū)最邊緣的焊縫處。 像質計放置原則 a) 單壁透照規(guī)定像質計放置在源側。雙壁單影透照規(guī)定像質計放置在膠片側。雙壁雙影透照像質計可放置在源側，也可放置在膠片側。 b) 單壁透照中，如果像質計無法放置在源側，允許放置在膠片側。 c) 單壁透照中像質計放置在膠片側時，應進行對比試驗。對比試驗方法是在射源側和膠片側各放一個像質計，用與工件相同的條件透照，測定出像質計放置在源側和膠片側的靈敏度差異，以此修正像質指數(shù)規(guī)定，以保證實際透照的底片靈敏度符合要求。 d) 當像質計放置在膠片側時，應在像質計上適當位置放置鉛字“ F”作為標記， F標記的影像應與像質計的標記同時出現(xiàn)在底片上，且應在檢測報告中注明。 原則上每張底片上都應有像質計的影像。當一次曝光完成多張膠片照相時，使用的像質計數(shù)量允許減少但應符合以下要求 : a) 環(huán)形對接焊接接頭采用源置于中心周向曝光時，至少在圓周上等間隔地放置 3個像質計 。 b) 球罐對接焊接接頭采用源置于球心的全景曝光時，至少在北極區(qū)、赤道區(qū)、南極區(qū)附近的焊縫上沿緯度等間隔地各放置 3個像質計，在南、北極的極板拼縫上各放置 1個像質計 。 c) 一次曝光連續(xù)排列的多張膠片時，至少在第一張、中間一張和最后一張膠片處各放置一個像質計。 小徑管可選用通用線型像質計或附錄 F（規(guī)范性附錄）規(guī)定的專用（等徑金屬絲）像質計，金屬絲應橫跨焊縫放置。 如底片黑度均勻部位（一般是鄰近焊縫的母材金屬區(qū)）能夠清晰地看到長度不小于10mm的連續(xù)金屬絲影像時，則認為該絲是可識別的。專用像質計至少應能識別兩根金屬絲。 理解：（ 1）在像質計擺放原則中對 1/4處是一個相對概念（ 2）根據(jù)透照方式的不同規(guī)定了像質計應的擺放位置（ 3）規(guī)定了允許減少的三種情況（環(huán)形焊縫周向曝光： ≥3 ；連續(xù)多張一次曝光： ≥3 ；球：≥3 3＋ 2）（ 4） 小徑管即可以選用通用線型像質計也可以選用專用線型像質計（ 4）像質計的觀察 一般在母材上而不是在焊縫上。（考慮深槽焊）（ 5）“ F”標記的影像應與像質計的 標記 同時出現(xiàn)在底片上（像質計的標記是指像質計上的標準號） 應用：（ 1）只有在單壁透照，象質計放在膠片測時才進行對比試驗，其他方式均不用做對比試驗。（ 2）像質計可放置在源側，也可放置在膠片側僅限于小徑管雙壁雙影時使用（ 3）“ F”標記一般應放置在像質計標識的右上角。（ 4）當焊縫寬度較大時應加長金屬絲的長度，或適當移動像質計的位置。（ 5）當象質計放在膠片測時，應在檢驗報告像質計靈敏度一欄中注明 注意：（ 1）雙壁雙影最大透照厚度上限； A級為54mm、 AB為 54mm、 B級為 56mm（表 6） （ 2）小徑管使用專用像質計時要看到 2根 標記 透照部位的標記由識別標記和定位標記組成。標記一般由適當尺寸的鉛（或其他適宜的重金屬）制數(shù)字、拼音字母和符號等構成。 識別標記一般包括：產(chǎn)品編號、對接焊接接頭編號、部位編號和透照日期。返修后的透照還應有返修標記 ,擴大檢測比例的透照應有擴大檢測標記。 定位標記一般包括中心標記和搭接標記。中心標記指示透照部位區(qū)段的中心位置和分段編號的方向 ,一般用十字箭頭“ ↑→ ”表示。搭接標記是連續(xù)檢測時的透照分段標記，可用符號“ ↑”或其他能顯示搭接情況的方法表示。 標記一般應放置在距焊縫邊緣至少5mm以外的部位，搭接標記放置的部位還應符合附錄 G（規(guī)范性附錄）的規(guī)定。所有標記的影像不應重疊，且不應干擾有效評定范圍內(nèi)的影像。 理解：（ 1）未對返修標記 ,擴大檢測比例的擴大檢測標記作出統(tǒng)一規(guī)定。（ 2）搭接標記可以用“ ↑ ”表示也可以用其他符號表示（如 或 A、 B、 C）（ 3）（ 3）根據(jù)射線源、工件、膠片的相互位置按附錄 G規(guī)定放置搭接標記。 應用：（ 1）應在工藝文件中對返修標記、擴大檢測標記以及搭接標記的符號作出明確規(guī)定。（ 2）小徑管雙壁雙影或垂直透照不用搭接標記。 （ 3）除中心 100％透照或連續(xù)多張一次曝光外，否則每張底片上均應有中心標記。（ 216。20mm以下小徑管除外） 注意：不是 100％透照的焊接接頭也要放置搭接標記。（有效區(qū)段標記） 膠片處理 ? 可采用自動沖洗或手工沖洗方式處理 ,推薦采用自動沖洗方式處理。 ? 膠片處理一般應按膠片使用說明書的規(guī)定進行。 理解：（ 1）手工沖洗方式處理是指槽洗不是盤洗（ 2）推薦采用自動沖洗方式處理的目的是盡量防止采用增加或減少顯影時間來控制底片的黑度。 應用：在工藝文件中要明確膠片處理的方式和處理的條件。 注意：采用自動洗片機時要經(jīng)常清洗防止產(chǎn)生劃傷。 評片要求 評片一般應在專用的評片室內(nèi)進行。評片室應整潔、安靜，溫度適宜 ,光線應暗且柔和。 評片人員在評片前應經(jīng)歷一定的暗適應時間。 從陽光下進入評片的暗適應時間一般為 5 min～ 10min；從一般的室內(nèi)進入評片的暗適應時間應不少于 30s。 評片時，底片評定范圍內(nèi)的亮度應符合下列規(guī)定： 當?shù)灼?